全球硅晶圆，明年缺口15%

AI算力竞赛推升硅晶圆需求，产业供需拐点显现。随着HBM、2纳米以下先进逻辑芯片同步扩产，机构预估，全球硅晶圆供需缺口将从2026年底约8%，扩大至2027年的15%、2028年的24%，行业景气有望重回上行周期。

机构指出，2027年年中将是关键转折点。随着客户库存逐步回归正常水平，HBM、DRAM以及先进逻辑芯片新增产能同步投产，如果供给扩张速度无法跟上，2027年下半年至2028年上半年或将迎来新一轮缺货与抢货潮。

需求回暖已有迹可循。SEMI统计，2026年第二季度全球硅晶圆出货面积达35.73亿平方英寸，环比增长9.1%、同比增长7.4%，增长动力主要来自AI相关需求，并由先进逻辑、存储器进一步拓展至功率器件及光子领域。

供给端，机构估算，2026年全球12英寸硅晶圆月产能约1069万片，同比增长7%；2027年仅增长约3%至1100万片；2028年增长约6%至1170万～1176万片。新增供给包括环球晶圆二期初期约30万片产能，以及合晶约10万片产能。

相比温和增长的供给，AI带动的需求增速更快，HBM成为重要驱动力。机构预估，2027、2028年HBM所用硅晶圆消耗量分别同比增长23%、28%；伴随HBM迭代升级、单颗容量提升，DRAM晶圆投入量持续走高。

普通DRAM厂商也将开启扩产，新产能自2027年起陆续投产，到2028年新增月产能约35万～45万片，主要来自三星、SK海力士、美光及长鑫存储等企业。

先进逻辑芯片是另一大需求来源。AI拉动3纳米、2纳米及以下制程扩产，台积电、三星与英特尔同步建设先进产能，其中台积电N2、A16及A14制程持续扩产。机构预估，2027、2028年逻辑制程硅晶圆消耗量分别同比增长12%、11%。

供应链透露，台积电近期首次对外释放明年2/3纳米扩产规划，希望合作厂商一同全力推进。据了解，台积电3纳米月产能在去年底达到12万‑13万片，今年底将进一步扩充至18万片。尽管2纳米实现量产后，3纳米已经不再是台积电最先进制程，但市场需求依旧旺盛，台积电因此持续扩大3纳米产能，目标到明年中期3纳米月产能突破21万片，半年增幅超一成；换算来看，2025年底至2027年年中这一年半时间，产能增幅接近七成。在2纳米方面，供应链表示，台积电今年底月产能将达到9万片，明年中期进一步提升至11万片，半年产能增幅超两成。

台积电此前表示，2026年资本支出将落在600亿‑640亿美元区间，其中约70%‑80%投入先进制程。公司正在新建三座3纳米晶圆厂，分别布局于中国台湾、美国亚利桑那州以及日本；同时，还在中国台湾持续改造5纳米设备，用来扩充3纳米产能。

目前客户硅晶圆库存仍维持在100～120天，距离50～70天的正常水平还需要一段时间消化。机构认为，随着库存去化叠加AI需求升温，2027年年中硅晶圆供需拐点信号会更加清晰。