Resonac成功开发12英寸SiC单晶基板

Resonac宣布已经实现直径300毫米（12英寸）碳化硅（SiC）单晶生长以及基板加工。该公司表示：“300毫米是目前正在研发的SiC基板当中全球最大级别尺寸，是SiC基板以及SiC外延片实现大尺寸化、高品质化的重要技术里程碑。”

在SiC基板行业正从6英寸向8英寸正式切换的过程中，中国、美国厂商已经接连公布300毫米产品的研发成果。

本次开发完成的12英寸SiC单晶基板（右侧）

SiC单晶基板/外延片的技术革新

碳化硅作为功率半导体材料，相比传统硅晶圆，电力转换损耗、发热量更低，有助于实现节能。主要应用领域为电动汽车（EV）与可再生能源，同时在数据中心电源等追求高效率的场景，应用范围也在不断扩大。Resonac目前已经实现150毫米SiC外延片量产，200毫米SiC外延片也已经开始出货。

从2022年起，Resonac就依托日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）的绿色创新基金项目，推进SiC晶圆大尺寸化等相关研发。该企业表示，凭借长期积累的SiC单晶生长技术与基板加工技术，此次成功完成300毫米SiC单晶生长与基板加工。

该公司表示：“今后我们将继续以‘同类最佳’为座右铭，不断推进SiC单晶基板以及外延片的技术革新。通过提供高性能、高可靠性的SiC材料，助力电力电子市场发展，为实现可持续社会做出贡献。”

中国加速研发，美国紧随其后

围绕SiC向300毫米升级，中国SiC基板大厂天岳先进在2024年11月发布号称 “业界首款” 的N型SiC基板。此后，中国还有多家厂商宣布实现单晶以及基板研发突破。2026年6月在德国举办的PCIM Europe 2026展会上，中国晶瑞电子材料也展出了4H‑SiC N型300毫米基板等产品。

美国方面，Coherent在2025年12月公布300毫米SiC平台的开发计划，2026年8月，面向AI半导体厂商的高导热300毫米SiC基板已经开始样品出货，Coherent表示，其300毫米衬底经过专门设计，相比现有方案，散热扩散能力最高可提升25%，并且能够兼容现有半导体制造平台。Wolfspeed也宣布成功制造出300毫米SiC单晶晶圆。

根据相关报告，全球SiC衬底市场规模预计将在2024年达到16.7亿美元，到2030年将增长至34.4亿美元，年复合增长率（CAGR）为12.8%。与此同时，SiC器件市场的需求也在持续上升，预计到2029年，全球SiC器件市场将达到100亿美元。

SiC基板分为具备导电性的N型、高电阻的半绝缘型等，根据不同用途区分使用。N型主要用作SiC功率半导体基板；半绝缘型除射频器件之外，也逐步应用于AR智能眼镜等产品。

另外，由于SiC单晶材料导热系数高，在AI服务器、高性能计算半导体散热基板、先进封装基板等方向的应用也备受行业关注。