台积电 2 纳米推进速度超越 3 纳米，算力真卡点却不在先进制程

台积电首次向供应链释放 2027 年 2 纳米与 3 纳米的扩产目标。2 纳米月产能将从 2026 年底的 9 万片提升至 2027 年中的 11 万片，增幅 22%；3 纳米同期从超过 18 万片提升至 21 万片，增幅超过 16%。更年轻的一代反而扩得更快，这在台积电以往的迭代节奏里并不常见。

3 纳米制程月产能在 2025 年底为 12 万至 13 万片，2026 年底扩至 18 万片，2027 年中目标突破 21 万片，一年半时间增幅接近七成。

台积电此前表示，2026 年资本支出将落在 600 亿至 640 亿美元区间，其中约 70% 至 80% 投入先进制程。对照摩根士丹利今年 4 月给出的 520 亿至 560 亿美元预测，实际口径在半年内超过了当时的预测上限约 80 亿美元。

8 月业绩提供了最新验证，台积电当月合并营收约 5148 亿元新台币，同比增长约 53.3%，连续改写单月历史新高；前八个月合并营收约 3.39 万亿元新台币，同比增长约 39.3%。

英伟达、AMD、高通与苹果等厂商均已锁定台积电 2 纳米工艺，用于下一代 AI 芯片与移动芯片的生产。云服务供应商持续扩建 AI 数据中心，谷歌与亚马逊也在推进自研定制芯片，共同推高先进制程与先进封装的产能占用。

台积电位于美国亚利桑那州的 Fab 4 工厂计划 2030 年才开始量产，主攻 2 纳米以下制程，工厂尚未开工建设，产能已被全部预订。截至 2025 年第四季度，台积电占全球晶圆代工市场 72% 的份额。

2 纳米量产后，3 纳米已不再是台积电最先进制程，产能却仍在扩大，原因在于本轮需求的结构与以往不同。台积电的观察是，AI 带动的算力需求使 2 纳米与 3 纳米形成世代交叠，而非单纯的制程替代。下半年智能手机新品推升 3 纳米拉货，高性能计算与手机客户同时导入 2 纳米，两条曲线的重叠期维持了先进制程的产能利用率。

支撑扩产的不全是新建产能。台积电正新建三座 3 纳米晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州与日本，同时改造中国台湾的 5 纳米设备扩充 3 纳米产能。更成熟的节点也在腾挪，其计划推动中科 15A 厂的 28 至 22 纳米制程升级至 4 纳米。改造既有厂房的设备调试周期短于新建；此前亦有报道指出，台积电正将 4 纳米产能转换为 3 纳米，背景是中低端智能手机带来的成熟制程需求下滑。

台积电同时考虑将封装产能翻倍，这一动作的体量比晶圆扩产更大。其 CoWoS 产能占全球 85% 以上份额，公司计划布局 7 座先进封装工厂，覆盖 CoWoS、WMCM 与 SoIC 三条技术线。按规划，到 2027 年，先进封装年产能将从当前的 130 万片晶圆提升至 200 万片，增幅约 53.85%。英伟达已预订台积电 2026 年 80 万至 85 万片晶圆产能，占该年度份额超过一半。

晶圆侧的增长目标是 22%，封装侧是 53.85%，封装产能的追赶压力明显更大，这也解释了台积电为何要把部分老旧 8 英寸晶圆厂改造为先进封装产线。技术路线也在切换，CoWoS 的继任者 CoPoS 已完成中试线设备交付，预计 2028 年底至 2029 年上半年量产。

台积电仍在攻坚 2 纳米以下的 A16、A14、A13 与 A12 等节点，并与阿斯麦合作推动高数值孔径极紫外光刻从 6 英寸光罩向 12 英寸光罩迁移。

从 9 万片到 11 万片，2 纳米这一轮扩产的绝对量并不大。真正需要留意的是增速顺序被颠倒过来，以及封装侧以两倍于晶圆侧的速度追赶。前者说明需求尚未被制程代际的自然替代消化，后者说明卡住算力交付的位置，已经不在晶圆厂里。