DB HiTek完成8英寸SiC MOSFET工艺验证

DB HiTek今日宣布已经完成基于8英寸晶圆的1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证。DB HiTek计划正式为客户产品开发提供支持、开拓新客户，并加快搭建2027年量产体系。

SiC是下一代功率半导体材料，对比传统硅材料，它在高温、高压环境下具备更优异的性能，可应用于电动汽车、可再生能源、工业电力设备等领域。目前SiC市场仍以6英寸晶圆为主流，但为提升生产效率、增强成本竞争力，全球头部企业正在向8英寸转型。DB HiTek为应对这一市场变化，一直在推进8英寸SiC工艺技术开发以及代工服务体系建设。

DB HiTek优化迭代了面向大功率MOSFET的SiC工艺技术，实现了优异的电气性能与高可靠性。该公司搭建出全球首套8英寸1200V SiC完整代工工艺流程，建成一套可覆盖从设计、制造、特性测试到可靠性验证全流程的代工服务体系。

为推进8英寸SiC代工业务落地，DB HiTek将向客户提供自主研发的第一代、第二代1200V SiC MOSFET工艺设计套件PDK（Process Design Kit），第三代PDK计划于11月推出。客户借助PDK能够降低前期开发投入，加快原型样品制作，预计可将产品开发周期缩短1年以上。

PDK配套的第二代工艺，在栅极开启电压Vgs (on)=18V条件下，实现比导通电阻Rsp≤2.5mΩ∙cm²、阈值电压Vth≥3V的优异电气性能，并且完成了技术门槛极高的可靠性验证。计划11月发布的第三代工艺，目标在同样18V栅极电压条件下实现比导通电阻≤2.3mΩ∙cm²；同时将验证并达成短路耐受时间SCWT≥2.5μs的短路安全工作区（SCSOA）指标，验证完成后向客户交付对应的PDK。

上月，DB HiTek公布第二季度合并财报，实现营收4145亿韩元，同比增长23%；营业利润大增43%，达到1052亿韩元，营业利润率提升3个百分点至25%。本次业绩超出市场预期。此前分析师预测营收为3911亿韩元，营业利润886亿韩元。

DB HiTek表示，高附加值半导体产品需求上涨，汽车与工业级功率半导体需求尤为旺盛，同时AI数据中心、机器人应用领域的需求也在持续增长。子公司DB GlobalChip在二季度开始出货移动显示驱动芯片（DDI），同样拉动了整体业绩增长。

受旺盛的客户需求、产能紧张影响，该季度代工厂的产能利用率接近100%。DB HiTek同时提到，其子公司DB World决定暂停铁合金业务，未来集团合并营收或将因此下滑，但该举措有望改善公司盈利能力、债务比率以及现金流状况。

由于钢铁行业长期低迷，亏损持续累积，DB World已于5月29日宣布，铁合金业务将停工至9月30日。2025年，铁合金业务占DB HiTek合并营收的18.7%，本次暂停的业务规模约400亿韩元。