SK海力士加速1c DRAM切换，四季度达到34%

SK海力士正在快速提升10纳米级第六代（1c）DRAM的生产占比。由于1c DRAM将作为核心堆叠芯片，从下一代高带宽内存HBM4E开始投入使用，该公司正加快工艺迭代节奏。随着服务器与人工智能（AI）领域对高附加值内存的需求不断上涨，SK海力士与三星电子、美光之间转向更先进工艺的竞争愈发激烈。

年内1c工艺占比有望达到34%及以上

据业内消息，SK海力士的1c DRAM占比从今年一季度约10%提升至二季度的13%左右。预计三季度将升至24%上下，四季度进一步达到34%区间。明年一季度，1c工艺占比有望攀升至35%附近，将首次超过1b工艺（约33%），成为主力生产工艺。

10纳米级第五代（1b）DRAM的占比在二季度达到43%左右的峰值后开始回落。随着1c产能切换提速，老旧工艺的占比持续收缩。根据今年二季度末的行业估算，三星电子1c工艺占比约16%，美光约19%，二者暂时领先SK海力士（13%左右）。不过，SK海力士将在下半年加速工艺切换，预计四季度实现反超三星电子（SK海力士约34%，三星约31%）。

在上个月的二季度财报电话会议上，SK海力士表示，10纳米级第六代（1c）工艺DRAM已于二季度正式开始供货。SK海力士预测，伴随下半年HBM4出货规模扩大，基于1c工艺的通用DRAM出货量也会增长，比特产能增速将高于上半年。

工艺迭代，为HBM4E性能提升做好准备

三星电子与SK海力士争夺HBM4主导地位的竞争，本质比拼的是1c工艺的切换速度。三星电子从HBM4阶段就导入1c DRAM，宣称可以实现约11.7Gbps的运行速率，性能处于行业顶尖水平。与之不同，SK海力士选择优先保障量产稳定性的路线：先用经过验证的1b DRAM搭配MR‑MUF先进封装技术，等到下一代HBM4E（第七代HBM），才把1c DRAM作为HBM核心芯片正式启用。

SK海力士第七代高带宽内存HBM4E的12层堆叠样品。

业内观察人士表示，两家企业的市场份额差异正是源于上述战略分歧。包括Counterpoint Research在内的主流研究机构预测，结合今年英伟达、谷歌、AMD的采购总量来看，HBM4市场中SK海力士份额将处于55%左右，三星电子约28‑29%，美光约18‑19%。SK海力士依靠优先保障量产稳定性获得出货量优势，三星电子则希望凭借更强的技术规格扩大市场份额。

与此同时有分析认为，SK海力士加速推进1c工艺，带来的收益不只是制程微缩，还将体现在成本与生产效率层面。相比上一代工艺，单颗晶圆产出的比特数量有所提升，同等晶圆投料可以产出更多有效比特，增强成本竞争力。这也被视作帮助DRAM业务在下半年及之后守住盈利水平的重要因素。在切换1c工艺的同时，服务器内存与HBM等高价值产品占比持续提高，生产效率的提升很有可能直接转化为利润率改善。

一位半导体行业业内人士表示：“1c工艺的推进速度固然喜人，但最终还是要看实际量产良率以及客户认证进度，只有这两项落地才有实际意义。” 他还补充道：“从HBM4E开始，三星电子与SK海力士之间先进工艺的竞争会进一步白热化。”