三星电子将其4nm产能的50%以上划归存储芯片制造

随着高带宽存储器（HBM）需求持续超过供给，据报道三星电子已将其4nm产能的50%以上划归存储芯片制造。该消息来自ZDNet Korea，涉及的是存储芯片的基础晶粒（base die）。与采用定制存储制造工艺的HBM DRAM模组不同，基础晶粒使用制造逻辑芯片的工艺生产。

报道称三星计划在2026年第三季度扩大HBM4存储芯片产能，截至上个月，该公司4nm芯片制造产能的50%已预留给HBM4存储芯片。该媒体甚至表示，4nm工艺目前正以满负荷状态运转，50%至60%的产出被HBM4存储芯片的基础晶粒占用。

三星在全球半导体制造业中的角色，使其具备自行设计DRAM和基础晶粒芯片的独特地位。存储器生产的演进，让位于HBM堆栈底部、承托上方DRAM堆叠层的基础晶粒承担了更重的负担。

三星正在其从4nm到7nm的各代工艺上量产相关产品。生产在该公司的平泽2厂与3厂进行，动用的是S5和S6代工产线。这些设施的4nm工艺总产能为每月3万片晶圆，其中1.5万片用于HBM4基础晶粒。

2026年8月曾有报道称，三星也在考虑将其2nm技术用于HBM基础晶粒。报道称该公司有意改造Giheung工业区的一条产线，并补充说2nm HBM基础晶粒可能专门预留给为AI芯片巨头英伟达设计的产品。

将逻辑代工工艺用于HBM基础晶粒的转变始于HBM3和HBM3E产品。由于更高的数据传输速率和引脚速度，这些芯片需要先进工艺。在基础晶粒方面，三星依赖自有工艺，SK海力士则将生产外包给台积电，而美光据信采用的是定制工艺。

二季度DRAM市场变化

2026年第二季度全球DRAM市场规模达到1470.24亿美元，环比大幅增长55.9%，刷新行业历史最高纪录。

从各家厂商二季度经营数据可以清晰看到行业分化与成长态势。三星电子继续稳固全球DRAM龙头地位，第二季度DRAM销售收入591.18亿美元，环比增长54.7%，市场份额来到40.2%，继续领跑全球市场。作为存储行业第一大厂商，三星兼顾服务器通用DRAM与HBM高端产品布局，充分享受本轮AI存储周期红利，营收体量继续拉开与其他竞争对手的差距。

SK海力士第二季度DRAM销售收入384.34亿美元，环比增长37.6%，市场份额26.1%，位居全球第二位。不同于其他厂商，SK海力士HBM出货占比维持高位，HBM产品定价结构在一定程度上抵消普通DRAM的价格上涨收益，也造成其整体营收环比增幅低于同行。尽管增速相对温和，但HBM作为AI算力核心载体，依旧是SK海力士重要的基本盘。

美光第二季度财季统计周期为2026年3-5月，DRAM销售收入313.28亿美元，环比增长66.9%，市场份额21.3%，位列全球第三。美光本季度营收增速表现亮眼，通用DRAM产品价格上涨有效带动整体业绩增长，服务器、消费级多线产品同步发力，进一步巩固自身在全球DRAM市场的位置。

长鑫存储交出本季度最亮眼的增长答卷，第二季度DRAM销售收入145.45亿美元，环比增幅高达99%，市场份额逼近10%，坐稳全球第四的位置，也是所有主流厂商当中营收环比增速最高的企业。增长背后主要来自移动类LP4X/5X产品，该系列占据长鑫主要出货比重，移动DRAM价格涨幅领先其他应用赛道，直接带动企业营收实现近乎翻倍的成长，国内DRAM厂商的全球影响力正在持续抬升。