从电网到芯片栅极:800VDC推动AI电源设计

来源:半导纵横发布时间:2026-08-17 16:28
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数据中心功耗相比过去提升一个数量级,各类创新技术都亟待落地。

AI数据中心面临的供电问题已经传导至芯片裸片层面。工程师正努力降低以热量形式产生的损耗,尽可能把更多电力输送到晶体管栅极。

服务器机架功耗从数百千瓦向兆瓦级攀升,每一级电能转换 —— 从中压交流电转为800伏直流,再进一步降到1伏以内供电轨,都会影响性能、可靠性以及散热余量。“如今服务器机架功耗大约125千瓦,” 英飞凌科技工业绿色电源部门总裁Peter Wawer表示,“下一阶段将达到500千瓦。后续我们会迈向1兆瓦、800伏高压直流‑直流架构。”

当前的挑战在于提升从交流电网到芯片栅极、从高压到GPU及其他AI加速器所需极低电压的能量转换效率。“像AI数据中心这类高能耗设施,通常需要接入中压电网,”Wawer说道,“输电线路对应的电压为35千伏。现阶段需要变压器把高压交流电转换成低压交流电,之后再完成交直流转换。”

在AI爆发之前,数据中心的电源转换环节更多。“AI兴起之前的传统多级架构下,所有传统数据中心普遍采用48伏或者12伏供电体系,” 是德科技电力电子设计软件产品经理Steven Lee介绍,“过去数据中心功耗远没有AI拉动的这么高。从电网到芯片的整套链路,交流电转为直流电,再降压到GPU所需的1.2伏或者0.7伏,这套方案在AI时代到来之前完全够用。”

全新架构正在减少转换层级。“超大规模云服务商即将从传统415伏交流供电架构切换至800伏直流架构,数据中心的元器件供应商需要重新思考器件设计,” 新思科技应用工程总监Pavani Gottipati表示,“这其中就包括采用固态变压器。固态变压器可以减少电源转换级数,降低每一级转换带来的损耗,打造高能效的数据中心。”

800伏直流意味着供电链路不必经过A→B、B→C、C→D的多段转换。“可以直接实现A到D的转换,”Lee说,“电源转换器的级数越少,整体效率越高。损耗主要来自发热、器件开关损耗等因素。”

旧有48伏体系的交流部分转换步骤繁多,直流‑直流环节并非问题根源。“老式数据中心架构配有UPS不间断电源,再接PDU电源分配单元,之后输出48伏,”Lee解释道,“但全新800伏架构下,依托碳化硅器件,上述部件整合为单一交直流前端,两级转换合并为一级。”

图1:供电技术发展趋势。

每一次电能转换,都需要配套供电架构做出改变。“如果继续维持50伏左右电压,物理层面已经无法向IT机架输送如此大的功率,” 德州仪器计算电源技术专家Pradeep Shenoy表示,“800伏是必然选择:功率不变时,提升电压就可以降低电流,二者呈反比。即便现在给IT机架内部母排做液冷,50伏电压依旧扛不住大电流。800伏直流已是大势所趋,现在的问题是如何做好准备。”

对比400伏与800伏,中途停留在中间档位意义有限。“行业的推进速度可能会比我们预想的更快,”Shenoy称,“如果先采用多个中间电压档位,过一两年就会发现:电压还得继续往上提,不如直接一步到位上800伏。毕竟功耗上涨速度太快。我已经在参与一些前瞻性讨论,研究800伏之后下一代供电方案。”

切换到800伏直流,全部供电元器件都需要升级,防范打火与起火风险。

“为承载AI业务,从48伏升级至800伏直流,安全是首要挑战,尤其存量数据中心改造,要改成混合供电或者全800伏直流模式难度很大,” 楷登电子高级首席产品工程师Hoa Tram表示,“数据中心改造800伏直流几乎会触及供电栈的每一层。现有保护装置、开关柜都是针对交流故障分断设计。所以800伏直流配电链路内的开关柜、断路器、保险丝、隔离开关,全部要替换为直流规格设备。还要把800伏直流架构的遥测系统接入原有监控告警平台。运维人员也需要接受专项培训,掌握新设备的操作维护能力。”

多种架构并存也增加了复杂度。“一部分方案采用单极800伏直流母线,另一部分倾向于双极 ±400伏直流设计,”Tram指出,“标准分化给设备互通、保护方案、人员培训认证都带来麻烦。”

除此之外,部分数据中心会继续沿用48伏架构,但搭配新型电源转换方案。例如宾汉姆顿大学研发面向AI数据中心的单级负载点转换器,在GPU附近直接把48伏降压。实验室原型实现效率提升10%‑12%,压摆率翻倍,供电响应速度更快。

优势:效率、功率密度提升,铜材用量下降

对比传统48伏架构,800伏直流架构拥有多项优势。

“改用直流供电之后,可以实现更高功率密度,在更小空间承载更大功率,” 是德科技Lee说道,“采用800伏直流的核心好处就是效率更高、电源转换器体积更小、功率密度更高。”

德州仪器Shenoy同样认为效率是核心吸引力。“举个例子,很多处理器供电转换器输入为12伏,输出降到1伏甚至更低,” 他说,“仅仅把输入提升到6伏,效率大约就能提升2%,同等面积下输出功率提升约30%。电路板空间十分紧张,这点提升非常关键。效率、功率密度都很重要,器件整体稳定性与可靠性同样不能忽视。上百颗电源芯片为AI处理器供电,任何一颗失效都可能导致处理器宕机。”

转换环节效率提升,就会减少电力损耗。“整条供电链路每提升一个百分点的效率,价值都十分可观,”Shenoy表示,“会直接降低云服务商、超大规模厂商的运营成本。”

800伏直流还可以减少铜材消耗。“电压更高,电流更小,线缆就可以做得更细,”Lee解释,“AI数据中心如果沿用旧的转换方案,铜材消耗量会非常巨大。功率等于电压乘以电流,总功率不变,48伏对应的电流会非常大,线缆必须做得很粗,否则会烧毁。AI功耗暴涨,粗铜线的用料成本和体积都会难以承受。”

无论是数据中心还是汽车领域,提升系统电压,同样利好备份与主供电电池。“目前绝大多数电池系统为400伏架构,” 西门子EDA电池技术全球高级总监Puneet Sinha称,“大量企业投入研发,向800伏架构演进。电压提升能够改善充电性能,但也会对系统电子器件带来影响,既包括电池本身,也包括车载、数据中心内的逆变器等部件。”

碳化硅、氮化镓固态器件

800伏直流架构中,固态变压器正在替代传统铁芯变压器。

“AI芯片集成多颗GPU、CPU,功耗需求激增,” 新思科技Gottipati表示,“高功耗芯片负载波动剧烈。芯片设计层面采用碳化硅、氮化镓这类宽禁带材料,可以提升功率密度,释放算力。但这类器件开关速度更快,热管理与散热系统设计也变得更加关键。”

固态变压器可以直接接入高压交流电网。“根据架构不同,输出可以降压为低压交流,也可以直接输出直流,例如800伏直流,” 英飞凌Wawer说道。

图2:800伏架构实现方案。

从48伏转向800伏架构,一大设计难点在于用好碳化硅、氮化镓这类宽禁带半导体新技术。

“它们正在逐步取代传统硅基器件。合理使用碳化硅、氮化镓,开关速度更快,发热损耗更低,转换器整体效率更高,” 是德科技Lee说,“多级转换叠加,哪怕只有1% 的效率提升,累积收益也相当可观,这正是设计师追求的目标,即便是个位数的效率提升。”

不过用碳化硅、氮化镓替换硅器件,并不像看上去那么简单。“传统硅器件工作在千赫兹级别,开关速度慢,电磁干扰、噪声问题相对可控,”Lee表示,“高速开关会带来高频噪声,向外辐射,也会影响芯片栅极。驱动栅极需要全新信号方案,闭环控制也必须做好,否则电路会不稳定,高频工况下该问题会更加突出。同时碳化硅、氮化镓也会改变磁性元器件设计,可以采用体积更小、重量更轻的磁件。”

宽禁带材料还能节省板卡空间。“传统变压器占用大量板上面积,”Lee解释,“数据中心追求服务器高密度堆叠,元器件需要轻薄小巧。氮化镓,尤其是碳化硅普及之后,可以用扁平器件替代传统变压器,机架内可以部署更多设备。原先一台机架放12台设备,占用面积缩小之后,可以做到20台,同时采用性能更优的新型变压器。”

图3:平面变压器对比传统绕线式变压器,效率更高,更便于堆叠。

硅、碳化硅、氮化镓,不同电压等级下存在应用重叠。“并非非此即彼,选型取决于实际需求,”Wawer表示,“高压大功率场景,可选硅与碳化硅。部分应用不需要高开关速度,例如50‑60赫兹的高压直流输电转换器,依旧选用IGBT绝缘栅双极型晶体管。该技术成熟、成本优势明显,未来十到二十年不会发生大变化。固态变压器需要高压、高速开关、低开关损耗,碳化硅是最优解,没有其他器件可以替代。”

其他宽禁带器件还包括数字热插拔控制器,例如750伏、1200伏碳化硅结型场效应管。Wawer提到,氮化镓凭借效率、功率密度,兼顾高低压场景,同样是关键材料。

PMIC电源管理芯片的角色

先进数据中心中,电源管理芯片(PMIC)的定位也在发生变化。

“PMIC已经从后台辅助器件,变成决定系统性能的核心部件,”Rambus芯片产品营销高级总监Piero Bianco表示,“AI场景要求更高功率密度、电压调节精度,负载瞬态波动也更加剧烈。与此同时AI服务器集成更多算力、网络、存储,散热装置体积变大,留给元器件的空间进一步压缩。行业越来越多地采用PMIC,在靠近负载的位置生成供电轨,实现分布式供电。基于PMIC的分布式供电,降低转换损耗,电压调节更精准,更好应对剧烈的负载瞬态变化。同时具备高精度遥测能力,实时管控系统功耗;集成时序控制,省去外部时序器件,电路板空间利用率更高。”

AI数据中心承载大量训练、推理业务,PMIC、内存等全部器件承受更大压力。

“内存子系统是PMIC压力最大的地方,”Bianco称,“PMIC是集成控制器、MOS管驱动、功率MOS管的多输出电源芯片。DRAM速率持续提升,对PMIC的负载电流、调压精度、瞬态响应的要求越来越严苛。电压跌落会造成内存时序异常,引发数据损坏、服务器故障,调压与瞬态指标至关重要。DDR5时代,内存供电方案从主板转移到内存模组PMIC,正是源于这类需求,这也持续给芯片与应用层面的PMIC设计带来挑战。”

Lee提到,PMIC面临和其他器件一致的约束条件:在极小空间内输出尽可能大的功率。“PMIC会在AI数据中心演进过程中扮演非常重要的角色。”

GPU与加速器本身同样需要提升能效

打造高能效数据中心,需要多维度共同进步。“处理器本身的计算效率提升也是一大挑战,”Shenoy说道,“GPU会在有限芯片面积内塞进更多算力,这是产品核心价值。新一代芯片可以把Token处理能力提升十倍,这类方向会持续演进,意义重大。”

节能需求高涨,原本面向边缘、车载市场的GPU IP厂商,也看到客户尝试把芯片扩展到数据中心场景。

“我们的高能效IP方案已经可以扩展做大尺寸GPU,”Imagination Technologies产品管理总监Matthew Bubis表示,“另外大量客户希望自研芯片,对标AMD、英特尔、英伟达,需要更强性能的GPU。客户看中我们IP的能效、性能与可扩展性,推动需求增长。过去AI集中在大型数据中心板卡;现在从最小IP核到大尺寸芯片,都希望内置AI能力,也就是在GPU内部集成大量矩阵运算单元。”

AI需求还在持续增长,各类电能转换优化与芯片创新都至关重要。“对比两年前,客户对智能化的要求更高,” 新思科技物联网与边缘AI处理器业务副总裁兼总经理John Weil说,“以视觉语言模型VLM为例。两年前主流是各类视觉模型,大语言模型几乎无足轻重。现在系统不仅可以识别画面中的人物,还能完成高层意图判断。不到两年时间,AI已经从提升系统服务质量,转向基于数据与部署模型做确定性决策。”

结语

行业投入大量资金与研发力量,推进800伏直流架构、固态变压器、固态断路器方案,以此降低AI数据中心功耗。但基础设施与电网属于迭代节奏非常缓慢的产业。

“中国推进交直流基础设施建设速度很快,属于自上而下推动,” 英飞凌Wawer表示,“但我所在的德国推进就很慢。基础设施建设落地周期不能低估,会拖累整体进度。再好的创新,最终也要落地部署。”

数据中心功耗相比过去提升一个数量级,各类创新技术都亟待落地。“从几百瓦走到千瓦级别,” 德州仪器Shenoy说道,“机架层面,从现在几十、几百千瓦,不久后迈向兆瓦。整个数据中心,从如今几十、上百兆瓦,走向吉瓦级别。”

数据中心运营商必须解决供电难题。“能源从哪里获取?整套供电链路如何设计?”Shenoy提出,“发电端输出特定电压,和GPU实际需要的电压规格并不匹配。”

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