英特尔,再次站在存储的十字路口

来源:半导纵横发布时间:2026-08-17 14:41
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英特尔正在探索将内存堆叠在CPU之上的技术路径。

英特尔曾是半导体存储领域先驱,后来成长为CPU巨头,如今正谋划再度回归存储赛道。存储行业本身已经发生巨变,从周期性极强的大宗商品业务,演变为人工智能时代的金矿。英特尔CEO陈立武在一期播客节目中释放出这一信号。

陈立武讲话的核心观点是,存储芯片已经不再属于大宗商品,现有存储架构仍存在大量创新空间。这一点不难理解,人工智能已经深刻改变存储芯片市场。此外,行业观察人士认为,存储供应紧张的局面将持续至2030年以后。

陈立武还暗示,英特尔正在探索将内存堆叠在CPU之上的技术路径。“英特尔不只是研发全新架构的CPU,同时也在研发集成堆叠DRAM能力的CPU。” 英特尔Lunar Lake平台就是一例,该平台将内存与CPU封装在同一个封装体内。

业内观察人士很快将陈立武关于存储的表态,与英特尔近期的人事变动联系起来:SK海力士前CEO Seok‑Hee Lee出任公司高级副总裁,负责代工业务与先进封装技术。Lee曾在英特尔任职十年(2000‑2010年),之后执掌SK海力士,是高带宽内存HBM开发的核心人物,如今几乎每一款主流AI加速器都搭载HBM。

尽管释放出诸多信号,谈及多项储备项目,但陈立武并未公布任何明确落地计划。目前尚不清楚,这些存储架构创新项目究竟属于英特尔官方立项,还是来自他本人通过自己创立并担任董事长的风投机构Walden International开展的个人投资。

即便如此,陈立武的 “存储言论” 已经在行业掀起波澜,也让业界回顾起英特尔在存储领域半个世纪的坎坷历程。下文简要回顾英特尔与存储半导体爱恨交织的发展历史。

存储往事

1968年,Robert Noyce与Gordon Moore创立英特尔,公司早期高度聚焦半导体存储业务。彼时存储芯片制造成本高昂、生产难度大,市场主要被磁芯存储器占据。英特尔目标是让存储速度更快、体积更小、成本更低。

1969年,英特尔推出全球首款商用SRAM芯片3101;1970年,推出首款商用DRAM芯片1103。DRAM业务取得巨大商业成功,让英特尔成为存储芯片龙头企业。但进入20世纪80年代初,NEC、日立、富士通建立起成熟产线,芯片良率比美国厂商高出40%,成本更是美国企业难以企及。

日本存储芯片凭借更低价格、更高良率造成英特尔巨额亏损,英特尔1985年退出DRAM市场,将重心转向x86处理器。但在20世纪90年代末,英特尔再度入局存储,联合Rambus为Pentium 4处理器主推RDRAM内存。但RDRAM成本高、延迟大,市场更青睐DDR内存,英特尔2001年放弃该方案。

随后,英特尔与美光在2012年共同研发Optane,这是一款结合DRAM与NAND特性的高速混合存储产品。Optane基于3D XPoint技术,2017年正式上市。但HBM、多层3D堆叠内存等竞品成本更低、发展前景更好,Optane未能取得预期商业成果,英特尔于2022年关停该业务。

Optane成本高昂,性能提升幅度有限。

英特尔还曾联合美光布局3D NAND闪存。但市场接受度低迷、持续亏损,英特尔2020年以90亿美元将NAND业务出售给SK海力士。

Reddit论坛有网友评论:“英特尔总能在最差的时机退出存储业务,这很符合英特尔的一贯风格。” 另一条评论措辞更为尖锐:“英特尔每次进场,行业已经到顶峰;每次退场,行业才刚刚开始增长。” 还有网友评价,这是 “董事会主导的创新”。

但也有论坛参与者提出,80年代英特尔DRAM业务本身已经不盈利,公司当时押注386处理器,“事后证明这是正确的抉择,英特尔自此迎来高速增长”。这件事利弊两面,很难简单评判。

英特尔XBM与ZAM内存技术

虽然陈立武主导的存储架构创新储备项目细节尚不明确,但英特尔两项新一代存储技术 ——跨批次内存XBM(cross‑batch memory)与ZAM(Z‑angle memory)已经受到行业关注。ZAM预计2029‑2030年推出,XBM有望在下一个十年初对外发布。

XBM是一款超高带宽内存,后端集成晶体管,物理尺寸与HBM4保持一致,是对DRAM架构与互连方式的彻底重新设计。传统HBM芯片通过硅中介层连接主处理器,中介层会增加成本、限制封装尺寸,目前几乎只能依托台积电CoWoS封装工艺完成组装。

XBM不再走中介层布线,而是将数据串行传输至通用小芯片互连快速接口UCIe链路。传统DRAM把1T1C(一晶体管一电容)存储单元放在硅片前端工艺层;XBM将存储单元移至后端工艺层BEOL,前端硅片可以腾出更多空间布置硅通孔TSV。

XBM通过架构层面改进解决HBM现存局限。

ZAM由英特尔与软银子公司Saimemory联合开发,采用熔合键合技术,堆叠九层大体沿用传统架构的DRAM,层间硅片厚度约3微米,目标带宽密度约为HBM4的两倍。

1985年英特尔选择放弃存储、主攻逻辑芯片,如今又回归存储本源,XBM与ZAM就是这一转向的证明。AI彻底重塑存储市场,布局存储合乎逻辑,但英特尔不能只依靠存储架构创新。例如,它还需要存储芯片制造基础设施;同时,此前多次存储业务失败,也会带来心理层面的压力。

未来一段时间,英特尔的存储战略会披露更多细节,这将决定这家位于加州圣克拉拉的芯片厂商,能否在存储行业重新站稳脚跟。同时外界也将看到:当下代工业务、AI处理器研发急需资金的英特尔,将如何落地重返存储赛道这项宏大计划。

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