【方案精选】飞骧科技FX5627ZB，卓胜微MXD8641H，慧智微S55043-11/Phase8L等

本期我们精选了5款 射频芯片 应用的相关产品或解决方案。如果您的企业也有相关内容待推广，欢迎入驻半导纵横“产品汇”，与更多行业伙伴共享技术成果，共拓市场机会。

以下五款产品，覆盖PA模组、射频开关/LNA、可重构L-PAMiD、TF-SAW滤波器/接收模组、硅基GaN射频PA

飞骧科技 FX5627ZB

4.0×6.8mm封装内集成HB/MB/LB三个频段的PA和控制电路，一颗模组即可覆盖从800MHz低频到2.7GHz中高频的全部5G Sub-6GHz发射需求，大幅减少终端PCB上的PA数量。B41/n41 PC2功率等级意味着该模组可直接用于高功率5G终端，无需额外外挂PA。

核心规格：

• 功能：HB/MB/LB LTE/NR PC3，B41/n41 PC2

• 封装：LGA 4.0mm × 6.8mm × 0.73mm

• 工艺：GaAs HBT + CMOS控制器

• 通信制式：2G/3G/4G/5G NR Sub-6GHz

• 产品线：同系列涵盖FX5613Z（3.0×3.0mm）、FX5627UB/VB/ZB（4.0×6.8mm）、FX5603（Cat.1）、FX5613A（4G MMPA）等多款型号

典型应用： 5G智能手机、5G CPE/模组、4G Cat.1物联网终端、车载通信、卫星通信终端

卓胜微 MXD8641H

0.4-0.5dB的插入损耗在2.7GHz以内与Skyworks、Qorvo同类产品处于同一水平，36dBm的P0.1dB意味着该开关可直接承受GSM终端的高功率发射信号而不产生非线性失真。2mm×2mm的QFN-14封装和无需外部隔直电容的设计，显著降低了终端PCB的占用面积和BOM成本。

核心规格：

• 电路结构：SP4T（单刀四掷）

• 频率范围：100MHz ~ 3GHz

• 插入损耗：0.4dB @0.1-1.0GHz，0.45dB @1.0-2.0GHz，0.5dB @2.0-2.7GHz（典型值）

• 隔离度：35dB @0.1-1.0GHz，28dB @1.0-2.0GHz，22dB @2.0-2.7GHz（典型值）

• P0.1dB压缩点：36dBm

• 工作电压：2.5V ~ 3.0V

• 控制电压：1.0V ~ 3.0V（兼容1.8V GPIO）

• 封装：QFN-14，2.0mm × 2.0mm × 0.55mm

• 工作温度：-20°C ~ +85°C

• 特性：集成ESD保护，无需外部直流隔直电容（除非RF端口外加直流偏置）

典型应用： 2G/3G/4G/5G智能手机TRX切换、天线分集切换、频段选择开关、物联网模组、Wi-Fi路由器

慧智微 S55043-11 / Phase8L

慧智微的AgiPAM架构在SOI晶圆上集成数模混合控制电路，配合GaAs PA核心，通过软件配置即可实现通路复用和频段切换，将单颗模组对GaAs晶圆的使用面积从传统方案的1.8mm²降至0.7mm²，在保持射频性能的同时优化了成本。S55043-11将PA、双工器/滤波器、LNA、射频开关全部集成在6×7mm的封装内，一颗芯片即完成低频段（B5/8/12/13/17/20/26/28/71等）的全部收发功能。

核心规格：

• 代表型号：S55043-11（L-PAMiD，低频段）

• 2G：GSM850/900，DCS1800，PCS1900

• 3G/4G/5G：B5/8/26/28A/12/13/17/20/28B/71

• 封装：6.0mm × 7.0mm

• S55055-11（L-PAMiD，低频段）：6.0mm × 7.6mm

• S55058-11（L-PAMiD，中高频段）：覆盖B1/2/3/7/34/39/40/41等，6.5mm × 8.6mm

• L-PAMiF发射模组（S55217系列）：n77/78、B42/43/48，5.0mm × 3.0mm

• L-FEM接收模组（S15722系列）：n77/78，2.6mm × 2.8mm

• 5G PAM（S55643系列）：覆盖B1~B71全频段，4.0mm × 6.8mm

典型应用： 5G/4G智能手机旗舰机型、折叠屏手机、5G CPE、物联网模组

星曜半导体 STR21230-21 + 四工器

星曜的TF-SAW B7双工器Tx插损<1.7dB、Rx插损<1.8dB、隔离度>60dB、TCF温漂系数-10ppm/°C，性能对标国际一线大厂。更值得关注的是其B1+B3+B66四工器——1.3×0.9mm的芯片尺寸是目前业界最小，在这个面积内集成4个滤波器并保持发射与接收通道之间>55dB的隔离度，且85°C高温下破坏功率达35dBm，打破了"越小越不耐功率"的行业困境。

核心规格（STR21230-21 DiFEM）：

• 功能：分集接收模组（集成SOI射频开关 + 多频段TF-SAW/SAW滤波器）

• 支持频段：B1/66、B25、B3、B7、B8、B26、B28F、B34、B39、B40、B41F

• CA载波聚合：B1+3+7、B1+3+41、B39+41、B40+41及任意LB+MHB组合

• 封装：3.7mm × 3.2mm

• CA与non-CA插损恶化：0.5~0.8dB

• AUX扩展：4× LB + 2× MHB AUX口，支持大功率

• 面积节约：较分立器件方案节约60%以上layout面积

LNA Bank STR3230-11：

• 工艺：65nm SOI

• 频段：LB（617-960MHz）、LMHB（1427-1518MHz/1805-2690MHz）、MHB（1805-2690MHz）

• 增益：>20dB

• 协议：MIPI RFFE 3.0

• 封装：2.9mm × 2.9mm

L-DiFEM STR31230-11/21：

• 集成LNA + 射频开关 + 多频段滤波器

• 封装：3.6mm × 3.5mm，较分立方案节约70%以上PCB面积

TF-SAW滤波器产品线：

• Normal SAW：全频段TRx滤波器、双工器（B1/B5/B8/B39/B40/B41/Wi-Fi 2.4/GPS等）

• TF-SAW：全频段TRx、双工器、四工器（B3/B2/B25/B28F/B8/B20/B7/B1+B3等）

• BAW：高频宽带TRx（B40/n41/n78/n79/n79F/Wi-Fi 6E等）

• 代表性突破：B1+B3+B66四工器芯片尺寸1309（1.3×0.9mm），业界最小，兼容1612/1511封装；85°C破坏功率35dBm

典型应用： 5G/4G智能手机分集接收、主集接收、载波聚合、通信模组、可穿戴设备、车规级Wi-Fi

国博电子 硅基GaN射频PA

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，功率密度是GaAs的数倍，效率更高、带宽更宽，但过去因工艺壁垒高、成本昂贵，仅用于基站、雷达、卫星载荷等高价值领域。国博电子的突破在于以硅基衬底（GaN-on-Si）替代传统碳化硅衬底（GaN-on-SiC），在保持GaN材料性能优势的同时大幅降低了衬底成本，并解决了硅基GaN外延层晶格缺陷比例高的材料难题，使其满足消费级终端的可靠性和成本要求。实际应用数据显示，在演唱会、高铁、地铁等拥堵场景下，硅基GaN PA的上下行综合速率较国外同类产品提升200%，延迟降低25%，整机功耗降低10%，且一颗GaN芯片可替代两颗GaAs芯片，为手机内部腾出更多空间。

核心规格：

• 材料体系：硅基氮化镓（GaN-on-Si），第三代半导体

• 应用场景：智能终端射频功率放大器（PA）

• 累计交付：超500万颗（截至2026年6月）

• 拥堵场景上下行综合速率提升：200%（与国外类似产品对比）

• 延迟降低：25%

• 终端功耗降低：10%

• 集成度：一颗GaN芯片可替代原有两颗GaAs芯片

• 功能支持：手机直连卫星

• 技术来源：中国电科55所，全链条自主可控（材料外延、芯片设计、工艺验证、封装测试、量产管控）

• 基站产品：三代半导体GaN射频模块功率覆盖5W~700W，应用于4G/5G/U6G基站

• 2025年营收：23.86亿元；射频芯片营收1.87亿元（同比+9.84%），毛利率30.16%

典型应用： 5G/5G-A/6G智能手机、手机直连卫星、商业航天终端、低空经济通信终端、毫米波通信、U6G基站