美光：HBM4E开启定制HBM时代

存储巨头正越来越多地将定制化高带宽内存（HBM）视作下一个增长引擎。在2026年KeyBanc科技领导力论坛上，美光执行副总裁Sumit Sadana表示，定制化HBM的转型将从HBM4E开启，公司计划与客户合作开发定制化型号。

更值得关注的是，Sadana指出HBM供应商格局或将迎来洗牌。他提到，HBM的设计与认证需要投入大量时间、研发资源与资金，客户不太可能在每个项目中同时选用全部三家HBM供应商。这有可能推动市场转向双供应商，甚至单一货源模式。

当前SK海力士、三星、美光均已向英伟达Vera Rubin平台供应HBM4，若上述趋势落地，将标志着行业格局发生重大转变。

HBM加剧产能紧张

美光执行副总裁Sumit Sadana强调了自家HBM3E的功耗优势：相比竞品中表现第二的产品，功耗降低30%，同时可维持大规模量产。但HBM产能快速上量，也给传统DRAM供给带来越来越大的压力，本就紧张的存储市场进一步收紧。

Sadana重申HBM与DDR存在3:1的产能置换关系：每生产100比特HBM3E，就要牺牲约300比特DDR的产能。随着新一代HBM产品问世，产能挤压还会进一步加剧。美光从HBM4迭代到HBM4E之后，该置换比例预计将恶化至接近4:1。

头部存储厂商加速布局定制化HBM

今年5月，美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia就已经披露了公司的定制化HBM路线图。Bhatia称，美光首款HBM4E将遵循JEDEC标准，计划2027年实现量产爬坡。

Bhatia表示，美光HBM4仍采用1‑beta DRAM工艺，进入HBM4E阶段后，预计将切换至1‑gamma DRAM工艺。他同时确认，标准版本与定制版本HBM4E所用逻辑芯片，都将交由台积电制造。

Bhatia还透露，美光HBM4产能爬坡速度，较去年HBM3 12层产品实际快了一倍，良率提升速度更快。该产品将搭载于英伟达人工智能运算平台Vera Rubin。

美光HBM4爬坡提速主要得益于三大原因：第一是基于上一代HBM3、HBM3E12层产品量产积累的经验与学习效应；第二是HBM4核心裸片（DRAM芯片）采用10纳米级第五代1β工艺制造，该工艺是美光当前主力工艺，性能与良率均已验证、运行稳定；第三是采用自研优化的基底裸片，通过1βDRAM与自研制造基底裸片相结合，最大化产品完整性与性能。

加码定制化HBM的并不只有美光。据悉，SK海力士通过月度人才招聘项目 “Highway”，为旗下 “下一代存储战略” 部门大规模招人。该团队将重点开发面向客户定制的存储方案，并挖掘存储业务新机会。

SK海力士的 “One Team” 模式已经落地实施。不同于三星完全内部自研的模式，SK海力士联合自身、英伟达与台积电三方协作：英伟达定义GPU所需的HBM技术指标，SK海力士负责内存堆叠，台积电承担逻辑芯片制造以及封装工作。