全球密度最高3D NAND闪存正式亮相

铠侠与闪迪在FMS大会上正式发布新一代BiCS10 3D QLC NAND芯片。该芯片拥有全球最高面密度，面向大容量数据中心级固态硬盘，旨在最大化数据中心的存储密度。这款新产品是铠侠、闪迪在BiCS 3D TLC NAND基础上迭代而来，后者面密度超过29Gb/mm²。

铠侠与闪迪推出的BiCS10 3D QLC NAND，面密度达到37Gb/mm²，是目前正式对外发布的密度最高的3D NAND存储器件。芯片拥有332层有效存储层，接口速率最高4800MT/s，并支持独立命令地址（SCA）功能，但厂商并未公布芯片的实际单片容量。参考上月发布的1Tb BiCS10 3D TLC NAND，假设存储单元数量、裸片尺寸大致相当，这款新芯片理论容量可达1.33Tb，该数值为行业推测。

NAND堆叠层数对比表

这款创下密度纪录的全新BiCS10 3D QLC NAND闪存芯片，面向数据中心级固态硬盘。这类产品既需要大容量，又要依托闪存高速I/O保证不错的性能。同时该类应用对功耗控制同样严苛，铠侠与闪迪为此引入功率隔离低抽头终端（PI‑LTT）技术，在不牺牲信号完整性的前提下，降低高速输出驱动器的功耗。

铠侠、闪迪采用最新BiCS10工艺制造这款BiCS10 3D QLC NAND。当良率达到目标水平后，对比竞品高密度3D QLC NAND芯片，它不仅拥有创纪录的比特密度，还具备成本优势。两家企业既可以用更低价格推出超大容量固态硬盘，也可以在同等售价下获得更高利润。

闪迪首席技术官Alper Ilkbahar表示：“我们的第十代BiCS QLC 3D闪存重新定义了QLC NAND的性能与能效边界，同步实现密度、带宽与能效提升，为大容量闪存存储建立全新范式，给下一代基础设施应用提供可扩展的硬件底座。”

铠侠与闪迪计划将BiCS10 3D NAND主要用于数据中心存储，也就是对容量、性能都有要求的AI固态硬盘。该芯片短期内是否会消费级固态硬盘上落地，仍有待观察。

此外，三星电子在此次大会上首次公开堆叠层数超过400层的V10 BV‑NAND。该技术先分别制作存储单元与电路，再通过晶圆键合（Bonding）工艺将二者结合，相比上一代V9，内存密度提升约58%。除堆叠层数提升之外，V10 BV‑NAND的读、写以及I/O性能相较上一代产品同样得到优化，业界预期，它将成为AI数据中心企业级固态硬盘（SSD）的核心技术。

三星还首次公开下一代NAND技术zNAND‑O。这项技术兼顾DRAM的读写速度以及NAND的大容量存储优势，预计将广泛应用于AI PC、AI智能手机、AI机器人等端侧AI设备，以及AI服务器等多个领域。业内对于此次发布的NAND技术很是关注，有媒体评价称，“AI市场正从训练主导转向推理主导，NAND闪存的重要性持续提高。三星推出400层BV‑NAND，是其在AI时代强化存储硬件竞争力的战略举措。”