SK海力士与闪迪联合发布HBF首个标准规范

8月4日，在闪存峰会FMS2026现场，存储大厂SK海力士与闪迪（Sandisk）共同对外发布高带宽闪存HBF（High Bandwidth Flash）首版完整标准规范，同步披露全套性能指标、生态伙伴布局与中长期技术路线。这套规范通过开放计算项目OCP正式对外公开，定位面向全行业的开放式通用标准，并非单一企业私有技术，将为AI基础设施搭建全新存储架构底座。

随着大模型持续迭代，AI推理业务规模化落地，算力系统长期面临“内存墙”桎梏。传统架构中，HBM带宽优异但容量受限、成本高昂；普通SSD容量充足，但传输带宽难以匹配GPU、CPU实时数据吞吐需求。全新HBF被定义为架设在HBM与企业级SSD之间的新型存储层级，融合两项技术优势，既拥有接近HBM的数据传输速率，又依托成熟NAND闪存实现大容量扩展，随着AI推理业务普及，待处理数据量暴涨，HBF有望同时解决带宽不足、容量难以扩展两大难题。

此次标准落地，是双方标准化合作的重要里程碑。早在2025年8月，SK海力士与闪迪启动HBF联合标准化工作，并在2026年2月组建HBF联盟，历经六个月推进完成首套规范定稿。根据官方披露技术参数，HBF设置8层、16层两种NAND堆叠方案，单颗最高容量可达512GB；带宽划分Grade1至Grade3三个档位，可实现0.4TB/s至3.0TB/s弹性扩展。互联层面，HBF原生采用UCIe通用芯粒互联标准，能够灵活对接GPU、各类CPU与AI加速器，打破不同计算芯片之间的互联壁垒，适配多样化异构算力架构。

生态建设层面，谷歌、Tenstorrent已正式加入HBF联盟，全程参与标准论证与技术验证工作。SK海力士表示，将持续依托开放模式吸纳产业链上下游厂商，不断壮大联盟规模，加速HBF在数据中心AI场景商业化落地，持续完善技术生态，提升产业普及度。

SK海力士解决方案开发负责人Kim Chun-sung以“层级内存（Tiered Memory）”架构为核心，提出适配未来AI算力集群的分层存储解决方案。

展台端同样释放重磅产品信息：SK海力士首次对外展出第十代（V10）375层4D NAND晶圆及样品。相比前代产品，新品单位功耗性能提升2.5倍，高度契合数据中心AI基础设施高能效运行要求。企业同步公布量产计划，预计2027年初推出基于375层4D NAND打造的高性能大容量企业级SSD（eSSD），巩固自身在AI NAND闪存赛道的竞争优势。不过官方暂未对外公布HBF芯片明确量产时间表。

KimChun-sung在发布现场表示：“AI应用快速普及，我们必须重新设计整套数据处理体系。依托HBF技术，SK海力士将消弭内存与存储之间的边界，助力打造能够提升系统整体运行效率的全新硬件架构。”

据了解，分层存储架构已是AI基础设施发展明确趋势。当前行业主要依靠HBM承载算力侧热数据，依靠SSD承载海量冷数据，两者之间长期存在性能断层。HBF标准的推出填补了中间层级空白，尤其利好大模型推理业务。依托NAND成熟产业链，HBF有望平衡性能、容量与成本，给云厂商、AI企业提供全新硬件选型思路。