抗衡英特尔，台积电研发类EMIB封装技术

据报道，台积电正在研发一款全新先进芯片封装技术，技术对标英特尔嵌入式多芯片互连桥接技术（EMIB）。这一动态意味着，人工智能半导体封装领域的竞争重要性，已经不亚于芯片制造本身。该内部代号为 “类EMIB” 的项目由台积电联合中国台湾载板供应商欣兴电子（Kinsus Interconnect Technology）共同开发，台积电希望借此丰富自身封装技术矩阵，响应持续增长的客户需求。

英特尔EMIB技术将硅桥直接嵌入封装载板内部，实现芯片之间高密度局部互连，同时规避整块硅中介层带来的成本与面积损耗。EMIB拥有多种方案：集成金属绝缘金属电容的EMIB-M、搭载硅通孔（TSV）的EMIB-T。该技术能够为芯片与芯片、芯片与HBM之间搭建高效高带宽互联通道。

而台积电当前CoWoS产品线包含CoWoS-S、CoWoS-L以及CoWoS-R。如果类EMIB方案顺利落地，将巩固台积电在封装领域的领先地位，削弱英特尔争夺客户（包括NVIDIA、谷歌）的竞争力。谷歌长期采用CoWoS方案。谷歌早期TPU使用CoWoS-S，第七代、第八代TPU升级至CoWoS-L，该技术如今可实现最高 5.5 倍光刻掩膜尺寸的封装。分析师指出，谷歌第九代TPU或将选用英特尔EMIB技术。

台积电现有的基板上晶圆上芯片封装（CoWoS）产能已经成为AI客户发展的制约瓶颈，这为英特尔推广EMIB技术留出市场空间。台积电首席执行官魏哲家近期坦言，尽管公司持续扩产，封装产能依旧紧张，制约客户业务扩张。

英特尔释放信号，EMIB业务增长势头强劲。英特尔首席执行官谭立武表示，市场对EMIB-T的需求 “十分旺盛”，企业订单储备持续增加。EMIB-T现已达成良率与可靠性目标，英特尔接下来的重心是推进EMIB-T大规模量产，支撑客户在2027年实现产品上量。

就在台积电推进新技术的同时，英特尔先进封装业务持续取得进展。路透社消息显示，联发科在2026年5月表示，同时支持台积电CoWoS与英特尔EMIB两种技术，客户可根据产品需求自由选择方案。联发科称，业内仅有少数定制芯片厂商能够兼容两套封装路线，这也体现英特尔相关技术正获得越来越多行业认可。

英特尔也投入巨额资金扩张封装业务。英特尔已投入数十亿美元建设先进封装工厂，其中包括获得《芯片与科学法案》资金支持的新墨西哥州产线扩建项目；同时将EMIB、Foveros等封装技术打造为代工业务核心竞争优势。英特尔高管提出观点：对于下一代AI处理器，先进封装的战略价值或将比肩晶体管微缩工艺。

行业分析师认为，封装赛道正在演变为核心竞争阵地。英特尔新一代EMIB-T技术可支持更大尺寸AI芯片封装，并优化供电能力。对于想要更大封装尺寸、或是希望摆脱单一CoWoS供应链、实现制造渠道多元化的客户而言，该方案吸引力不断提升。

台积电这款类EMIB技术目前仍处于研发早期，尚未公布商业化时间表。但该项目足以说明，AI催生的市场需求正在重塑半导体行业竞争格局。芯片厂商不再仅仅依靠先进制程建立优势，越来越多企业借助先进封装打造差异化竞争力，以此搭建尺寸更大、性能更强的AI多芯片系统。