光刻机太贵！三星暂缓使用，台积电硬刚涨价

近日关于光刻机的消息密集刷屏，英特尔率先实现关键落地，成为全球首家将ASML高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）投入量产的企业，该设备已用于其18A Panther Lake处理器的部分关键工艺层。与之形成鲜明对比的是，三星电子虽已完成两台High-NA EUV设备装机，却迟迟未跟进量产导入。业内分析人士认为，三星持谨慎态度并非受技术条件制约，而是出于财务层面考量，企业不愿再追加大额资本开支，进一步扩大晶圆代工业务亏损。

此外四位知情人士透露，ASML近期已与台积电讨论提高EUV系统价格，并通知部分客户，计划将部分DUV深紫外光刻设备价格提高约10%。台积电正在抵制这一方案，但也有部分客户接受了DUV设备涨价。

三星电子去年率先在韩国京畿道华城园区落地首台High-NA EUV设备，今年上半年完成第二台设备进场，整体投资规模超1万亿韩元。从设备到货时间来看，三星与英特尔差距不大，但该设备是否已投入量产加工芯片，官方尚未证实，等于设备虽已就位，实战投产计划持续延后。

三星内部及行业观点均认为，三星放缓High-NA EUV落地节奏的核心因素是资金状况，而非技术问题。三星半导体代工业务自2022年持续亏损，市场近期传出其最快今年第四季度有望实现盈利。对于亏损业务板块而言，仓促全面启用高价设备，会大幅增加折旧、运维等固定成本；盈利拐点近在眼前，企业不愿再加码大额投资，推迟扭亏节点。

也有观点认为其技术储备尚未完全到位。有消息称三星2纳米工艺良率已提升至55%左右，距离行业公认稳定量产的60%临界线仅一步之遥。一名半导体设备行业业内人士表示：“仅从良率来看，当前工艺水平并非无法搭载新设备，但企业现阶段维持保守的设备投入策略，优先依靠大客户订单夯实盈利基本面。”

三星DS事业部内部将今年视作关键转折点，代工业务需同步证明自身技术竞争力与盈利能力。熟悉三星的业内人士透露：“全永铉副董事长接任DS事业部负责人后，整顿过往经营问题时，反复强调代工业务要重获海外客户信任。今年企业已启动对核心客户的芯片交付，首要任务是保障已接订单产品的稳定性与性能。”

High-NA EUV单次曝光即可绘制更高密度电路图形，省去多重图形化工艺，简化制造流程。这项技术在1.4nm及以下先进制程中将愈发关键，但高昂成本仍是其大规模普及的核心阻碍。据悉，单台High-NA EUV设备造价约4亿美元，近乎传统EUV光刻机的两倍，且产线适配整合存在极高技术难度。

对于ASML High-NA EUV光刻机，台积电一直以来的态度是暂不计划采用。魏哲家在财报电话会议上曾表示，High-NA EUV前景广阔，但技术成熟度与成本，是决定是否大规模导入该设备的两大核心考量因素。

长期以来ASML一直推行的是价值定价策略，依据新设备的晶圆产出、图形工艺成本、功耗优化等给客户带来的综合收益逐步上调报价。以往调价多为阶段性小幅涨价：早期TwinScan NXE系列Low-NA EUV设备单价约1亿至1.2亿欧元（折合1.15亿至1.37亿美元），性能升级后的新款起售价达到1.7亿欧元（折合1.95亿美元）。与此同时，Low-NA机型产能大幅迭代：初代机型每小时晶圆产能（WPH）仅160~170片，套刻精度≤1.1纳米；如今NXE:3800E/NXE:3800F产能提升至220/260片/小时，套刻精度优化至0.9纳米。未来NXE:4200G/NXE:4200H机型产能将突破300片/小时，套刻精度进一步优化至0.8~0.7纳米区间。

Dassen称：“当下市场需求旺盛，我们产品为客户创造的产业价值十分可观，相较以往，我们拥有更大的定价调整空间，并且我们也会合理落地这一策略。”不过他也强调，即便当前半导体行业供需紧张，ASML仍会坚持价值定价核心逻辑，但未来计价维度不再只围绕产能提升。“我们一直能向客户证明，设备价值不止体现在晶圆产出提升，更包含成像质量、套刻精度优化等多重收益。只是过去设备均价（ASP）和产能提升高度绑定，市场定价形成了固有规律。”

值得关注的是，未来两年内，ASML无法上调现有Low-NA EUV设备合约价格。公司积压在手的存量订单售价已写入合同，仅可根据通胀小幅调整；2027全年、2028年初交付的绝大多数设备定价均已锁定。除非双方重新谈判修改原有合约，涨价政策仅适用于2028年及以后交付设备，或是极少数挤入2027交付窗口期的新增订单。计划2029年量产交付的NXE:4200G机型本身性能大幅升级，落地后自然会拉高整体设备均价。

对台积电而言，此次涨价事关长期战略布局。该代工厂2030年前先进制程路线，核心依靠迭代Low-NA EUV、搭配高端光掩膜、计算光刻与多重图形化工艺实现技术推进；其原定规划至少在10A（1纳米级）工艺前，暂缓导入High-NA EUV设备。

一旦ASML上调后续Low-NA EUV设备售价，台积电未来数年全部制程规划都将受到冲击。台积电目前拥有全球规模最大的Low-NA EUV装机集群，同时为布局中国台湾、美国、日本全球晶圆厂，还需持续采购大量光刻设备。即便涨幅幅度有限，超出预期的采购成本也会使其资本开支新增数十亿美元，大幅削弱暂缓采购High-NA设备带来的成本优势，最终抬升芯片整体制造成本。

更关键的是，若本轮接受涨价，会为未来数十上百台设备确立更高定价基准，ASML将分得先进光刻设备创造的更多产业增值收益。

至于涨价是否会迫使台积电提前切换至High-NA EUV？即便提早导入设备，除单台3.5亿欧元以上的光刻机采购成本外，配套光刻胶、掩膜版、保护膜、量检测设备、芯片设计规则、全套计算光刻流程都需要全新配套，台积电现阶段并未完成整套产线配套储备。