
近日,据韩国媒体报道,SK海力士已正式启动12层堆叠HBM4产品的量产出货,专属供应英伟达下一代AI核心平台“Vera Rubin”。目前该批次产品已进入稳步产能提升阶段,行业预判2026年9月将迎来大规模量产交付。此次突破性的极速量产落地,不仅刷新了全球HBM产业的生产交付纪录,更进一步巩固了SK海力士在英伟达核心供应链的龙头地位。
此次SK海力士HBM4量产交付最大的亮点,是极致压缩的生产周期,打破了行业传统生产节奏。据产业数据显示,常规高端HBM产品从晶圆投入生产到最终成品出货,完整周期约为四个月,而本次12层堆叠HBM4产品仅耗时两个多月便完成全流程交付,生产效率大幅提升,创下行业全新纪录。这一高效交付成果,源于SK海力士与英伟达的深度协同联动,为应对AI算力芯片的紧缺供货需求,双方开启专项紧急合作模式。
据悉,SK海力士针对英伟达的紧急供货请求,优先调配核心产线资源,将该批次HBM4生产工序列为最高优先级,全力保障产能输出。与此同时,英伟达为加速新品落地,主动简化适配该定制化产品的质量验证流程,在保障产品核心性能与品质标准的前提下,大幅压缩认证周期。目前产品初期出货量虽相对有限,但随着产能爬坡稳步推进,今年9月后供货规模将实现阶梯式大幅提升,充分匹配英伟达下一代AI平台的量产节奏。
高效、稳定且优质的交付表现,让SK海力士在英伟达供应链中的核心权重持续攀升。据行业市场测算,未来英伟达HBM4总采购订单中,SK海力士有望拿下60%的供应份额,在乐观行业预期下,其市场占比最高可攀升至70%,成为英伟达下一代AI算力存储的核心供应商。相较于行业竞争对手,SK海力士的供应链话语权与订单稳定性已形成显著优势。
除短期量产交付优势外,SK海力士已提前锁定长期市场收益,顺利完成2027年HBM4产品的价格谈判,率先敲定未来一年核心产品的盈利空间,规避了存储行业价格波动风险,为企业持续盈利奠定坚实基础。在产品核心技术与成本管控层面,SK海力士的竞争壁垒同样突出,其HBM4产品采用差异化成熟制程架构,核心芯片搭载10nm级第五代(1b)DRAM技术,基础芯片则依托台积电12nm成熟制程打造。
这套成熟的制程组合方案,既保障了HBM4高端产品的极致算力、传输速率等核心性能,又有效控制了生产成本,相较于主要竞品三星电子,形成了明显的成本优势。在高端HBM市场同质化竞争加剧的背景下,成本与性能的双重优势,让SK海力士的市场竞争力持续强化,拉开与同行的技术与盈利差距。
随着HBM4产能持续释放,SK海力士的产品结构也将迎来关键性迭代升级,完成从HBM3E到HBM4的技术迭代与营收重心切换。行业数据显示,2026年下半年SK海力士HBM4出货量将持续递增,预计第四季度HBM4产品在整体HBM业务中的销售占比将正式超越HBM3E,成为企业HBM板块的核心营收主力,标志着其高端存储产品正式迈入全新迭代周期。
在稳固英伟达核心大客户订单的同时,SK海力士持续推进客户多元化战略,全面提速HBM4商业化落地进程。继上月完成英伟达12层堆叠高端HBM4量产交付后,本月SK海力士已正式启动对AMD的8层堆叠HBM4产品出货,成功切入AMD高端AI芯片供应链,实现两大顶级AI芯片厂商的全覆盖布局。
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