高塔半导体30亿美元扩产硅光与硅锗产能，预告2028利润增长60%

近日，以色列晶圆代工厂高塔半导体宣布在日本启动双线并行战略扩产，全面升级300mm硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）及先进光学封装产能。该项目总投资约30亿美元，其中日本政府经产省，（METI）提供10亿美元无偿拨款，旨在承接AI算力和数据中心光互联需求爆发带来的长期客户订单。

消息公布后，高塔半导体美股盘前涨幅一度超过18%，年内累计涨幅达115%，并带动美股光通信板块集体走强——AXT涨超12%、Applied Optoelectronics涨近7%、Lumentum涨超5%、博通涨超2%。

扩产分为两条路线同步执行。

路线一：改造荒井工厂，2027年Q4量产。 高塔将把位于荒井（Arai）的原Fab 6工厂改造为300mm硅光子器件及先进封装生产基地，同时最大化其位于鱼津（Uozu）的Fab 7 300mm产线产出。这条路线的核心优势在于利用现有设施快速扩产，避免从零建厂的漫长周期和学习曲线。公司预计路线一在2027年第四季度实现全面量产。

路线二：紧邻Fab 7新建300mm晶圆厂，2029年起贡献利润。 第二条路线是在Fab 7旁边新建一座300mm制造工厂，预计将实现硅光子和硅锗产能的数倍增长。新厂需待相关协议签署和交割后启动建设，预计从2029年开始产生显著经济效益，为2028年后的持续增长提供支撑。

高塔CEO Russell Ellwanger在声明中表示，双线并行策略的关键在于：路线一通过在现有盈利运营基础上快速增能，避开了全新晶圆厂从零认证或产线间产品转移所需的多轮学习周期，确保客户量产时间表不受影响；路线二则为2028年之后的长期增长铺路。

业绩指引大幅上修：2028年营收36亿、净利12亿

基于路线一的增长预期，高塔同步更新了业务模型：2028年营收目标从原来的28亿美元上调至36亿美元（增幅近30%），净利润目标从7.5亿美元提高到12亿美元（增幅60%），对应稳态净利率超过33%——在代工行业中属于罕见的高毛利水平。

订单支撑方面，公司今年5月已签署13亿美元硅光长期合同锁定2027年收入，并收到客户2.9亿美元产能预付款。2028年更大规模的晶圆长单正在推进中。

高塔半导体是全球硅光代工领域市场占有率超过70%。2026年第一季度，公司硅光业务营收同比增长3倍，AI算力光互联需求持续爆发是核心驱动力。

在客户层面，高塔已与Marvell联合出货超过500万颗相干光子芯片，产品适配谷歌、英伟达AI服务器的高速光模块需求。中际旭创作为高塔第一大硅光客户，其1.6T/3.2T硅光模块芯片产能将直接受益于此次扩产。此次扩产也将缓解市场对NPO（近封装光学）PIC芯片可能紧缺的担忧——高塔目前12吋产线主要满足NPO需求，业内人士指出，CPO商业化提速背景下，NPO为当前阶段过渡主力，可插拔、NPO、CPO有望长期共存。

此次扩产延续了高塔在日本深耕的路线。公司通过收购前松下半导体制造企业TPSCo的多数股权获得日本工厂资产，此后逐步将鱼津和荒井设施打造为高端光半导体制造中心。Ellwanger强调，日本政府的支持、当地世界级的研究机构以及深耕制造的产业人才，是选择继续在日本扩产的核心原因。

日本政府10亿美元拨款不仅降低了高塔的资本开支压力，也强化了日本在硅光子和硅锗领域的本土制造能力，进一步巩固日本半导体供应链韧性。这与日本经产省近年来吸引台积电熊本厂、力晶宫崎厂等外资半导体投资的战略一脉相承。