
荷兰半导体设备初创企业Nearfield Instruments完成3.8亿美元D轮融资,这是荷兰深度科技企业有史以来规模最大的一轮融资,公司计划在2028年启动首次公开募股(IPO)。
完成D轮融资后,Nearfield企业估值达到16亿美元。本轮新增投资方包括全球资管机构Fidelity Management & Research Company、卡塔尔主权基金卡塔尔投资局;原有股东荷兰应用科研机构TNO旗下创投基金TNO Ventures、荷兰跨国银行集团ING也持续追加投资。
第一大战略重点是扩充生产制造产能、缩短设备交付周期,以此满足晶圆厂、封测厂商以及存储芯片企业的采购需求。第二大重点是加快推进产品技术路线落地,向市场推出更多新一代高端量测解决方案。第三大重点是扩建全球服务体系,在全球范围内强化研发、应用工程与客户服务能力,深化与下游客户的协同合作。
随着摩尔定律逼近物理极限,单纯缩小半导体制程节点,已不再是提升芯片性能的唯一路径。Nearfield Instruments认为,下一代AI芯片制造的发展格局,不仅由极紫外(EUV)光刻技术与制程节点的迭代所定义,愈发精密的制程控制技术同样具备决定性作用。
在接受专访中,Nearfield Instruments公司CEO Hamed Sadeghian表示,ASML拥有行业领先的EUV光刻设备平台,而Nearfield则专注于将三维量测技术与制程控制深度融合;高精度三维纳米量测,是实现高效制程管控的底层基础。
Sadeghian预判,伴随AI芯片架构复杂度持续攀升,制程控制的重要性将逐步比肩EUV光刻。但他同时强调,Nearfield无意取代ASML。公司的目标并非成为另一家ASML,而是力争成为全球制程控制领域龙头企业,为先进半导体制造创新生态形成配套支撑。
从超大规模数据中心,到机器人、自动驾驶等实体终端AI应用,AI落地需求持续爆发,芯片架构的集成密度与复杂程度同步大幅提升。
Sadeghian指出,无论是云端AI芯片还是终端实体AI芯片,其研发制造均依托三大核心技术底座:高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)、新一代晶体管架构、先进三维集成电路封装。三者缺一不可。
当制造工艺迈入2nm以下节点,晶体管架构正从鳍式场效应晶体管(FinFET),演进至环绕栅极晶体管(GAA),最终走向互补式场效应晶体管(CFET);与此同时,芯粒与三维封装技术逐步成为行业主流。在此背景下,覆盖全生产流程的高精度纳米级制程监测,已然成为芯片厂商亟待攻克的核心课题。
Nearfield依托无损、非侵入式、高产能、在线式三维纳米量测方案,为上述三大技术赛道提供全套制程控制解决方案,帮助客户提升生产良率,同时适配大规模量产需求。
目前Nearfield的客户覆盖晶圆制造、半导体封测(OSAT)、存储芯片三大领域,产品主要落地于先进AI芯片产线。
针对晶圆厂,Nearfield可覆盖全流程制程管控,适配EUV、GAA、CFET及各类先进封装工艺。
在封测市场,该公司技术聚焦化学机械抛光(CMP)后表面量测,可在三维堆叠封装前后校验封装良率,同时适配面板级封装(PLP)等新兴工艺。
存储厂商同样面临严苛的制造指标。AI催生的高带宽内存(HBM)需求带来高深宽比结构、三维堆叠等制造难题;而3DNAND量产,则要求对深通道孔实现极高精度尺寸测量。
谈及当前主流的光学量测与电子显微镜技术,Sadeghian表示,Nearfield自研三维纳米量测平台突破了光学设备的分辨率瓶颈与逆向建模限制。
与此同时,该设备可采集近乎透射电子显微镜(TEM)级别的三维结构数据,且无需对晶圆做破坏性制样处理。既能完成各类新型复杂晶体管架构的精准检测,又完全适配工厂大规模量产环境。
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