本期我们精选了5款 服务器电源 MCU 领域的相关产品或解决方案。如果您的企业也有相关内容待推广，欢迎入驻半导纵横“产品汇”，与更多行业伙伴共享技术成果，共拓市场机会。

国民技术N32DP474

面向数字电源控制的专用MCU，将电源闭环控制、采样调节全部硬件化，避免软件中断延迟带来的环路性能损耗。

核心规格

• 内核：ARM Cortex-M4F，最高240MHz，8KB I-Cache / 1KB D-Cache，集成FPU、MPU、CORDIC / FMAC / HCU（硬件卷积计算单元）

• 存储：512KB ECC加密Flash，128KB SRAM（含32KB CCM SRAM + 4KB备份SRAM）

• 高精度PWM：1个超高精度定时器（8×2路 @ 125ps），3个高级定时器，10个通用定时器，多组32bit基础/低功耗定时器

• ADC：4× 4.7Msps 12bit ADC

• 硬化环路：内置HCU硬件卷积计算单元，全硬件流水线架构将电压环、电流环、故障保护逻辑硬件化执行；支持硬件稀疏过采样

• 模拟外设：8个DAC、4个PGA（可编程增益放大器）、7个高速比较器、内置参考电压源与温度传感器；PGA与ADC支持硬件联动

• 通信接口：FS USB，多组SPI / I2S / I2C / UART，3×CAN-FD

• 存储扩展：XSPI、FEMC外部存储接口

• 安全特性：Flash加密、SMPU、TRNG真随机数、硬件密码算法引擎、CRC校验、UID唯一芯片标识

• 封装：N32H474系列提供6种封装24个型号

• 工作温度：-40℃~105℃ / 125℃

• 电气规格：1.8V~3.6V，ESD ±4KV（HBM）

差异化亮点

1. 硬件LLC峰值直控单元：可动态实时调节功率输出，面向全负载区间能效优化

2. 4路卷积计算单元（HCU） ：硬件实现高速稀疏过采样，区别于通用MCU的软件滤波方案

3. 全硬件流水线架构：电压环、电流环、故障保护逻辑全部硬件固化执行，减少CPU负载

典型应用

通信光模块电源、工业开关电源、储能双向变换器、大功率LLC谐振设备

海思Hi3071

产品定位

面向开关电源环路控制的MCU，以3路独立硬化环路控制单元为核心架构，实现亚微秒级环路响应。

核心规格

• 内核：ARM Cortex-M7，主频125MHz，超标量双发射6级流水线，4KB I-Cache / 4KB D-Cache

• 存储：256KB Flash，160KB SRAM（含64KB I-TCM + 64KB D-TCM）

• 高精度PWM：通过硬化环路单元直接控制，未采用独立HRPWM模块

• ADC：通用ADC为1×12bit、3MSPS、19通道。

• 硬化环路：3路独立硬化环路控制单元，每路配备高速内置EADC和硬件PID滤波控制单元，环路更新时间<400ns；支持配置为电压外环/电流内环/三环取小/双环取小；支持1路硬件滤波环路配置为前馈模式；支持7组可配置PID参数及区间动态平滑切换，可实现四开关Buck-Boost不同模式间的平滑切换

• 模拟外设：硬化环路内置高速EADC

• 通信接口：PMBus×1，UART×2，SPI×1，CAN×1

• 可配置逻辑：6路CLC可配置逻辑单元

• 安全特性：—

• 封装：QFN40 / QFN48 / QFP64

• 工作温度：-40℃~+105℃

• ESD：HBM 4kV，CDM 500V

• 可靠性设计：金线键合、超低α粒子ULA封装材料

差异化亮点

1. 3路独立硬化环路：每路自带EADC和硬件PID，<400ns环路更新，无需CPU干预——这是五款产品中唯一采用独立硬化环路单元架构的方案

2. 前馈模式支持：1路硬件滤波环路可配置为前馈模式，提升动态响应能力

3. PID参数区间平滑切换：7组PID参数支持动态切换，适配四开关Buck-Boost等复杂拓扑的模式切换需求

典型应用

服务器电源、工业定制电源、砖模块电源、中间母线转换电源

兆易创新GD32G5系列

产品定位

面向数字电源和功率控制的高性能MCU，以216MHz Cortex-M33内核配合硬件FFT/TMU加速器为核心，适用于AI数据中心（AIDC）电源、充电桩、储能逆变等场景。

核心规格

• 内核：ARM Cortex-M33，主频216MHz，316 DMIPS，CoreMark 694分；集成DSP指令扩展、单精度FPU

• 硬件加速器：TMU三角函数加速器（支持10类函数计算）、FAC滤波算法加速器、FFT快速傅里叶变换引擎——PFC、LLC等电源拓扑所需的复杂数学运算可由硬件完成

• 存储：512KB双Bank Flash（支持分区在线升级，升级时无需停机），128KB SRAM（含80KB SRAM0 + 16KB SRAM1 + 32KB TCMRAM零等待内存），2KB I-Cache / 512B D-Cache，2KB OTP；Flash/SRAM全区支持ECC校验

• 高精度PWM：16通道高分辨率定时器（HRTimer），精度145ps，支持10个外部事件输入和8个故障输入通道；另有3×8通道高级定时器、2×32位通用定时器、5×16位通用定时器、2×16位基本定时器、1×低功耗定时器

• ADC：4× 12bit ADC，最高采样率5.3Msps，最多42通道（通道数随封装不同：LQFP128=42ch，LQFP100=39ch，LQFP80=38ch，LQFP64=26ch，LQFP48=21ch，QFN48=20ch）

• 硬化环路：GD32G553通过HRTimer + ADC + 比较器的硬件联动实现环路控制，支持多相交错并联架构和电流型LLC等先进拓扑，但未集成类似Hi3071的独立硬化环路单元或N32DP474的HCU卷积单元。环路控制依赖硬件外设联动而非独立硬化逻辑

• 模拟外设：4组12bit DAC（其中2组支持高达15Msps采样率），8个高速比较器（小封装型号为7个），内置参考电压源（VREF），HPDF高性能数字滤波器（支持8通道/4滤波器，可外接Σ-Δ调制器

• 通信接口：5×U(S)ART（3 USART + 2 UART），4×I2C，3×SPI，1×QSPI（支持最高200MHz DDR/SDR），3×CAN-FD，EXMC外部存储控制器

• 其他外设：4×CLA可配置逻辑模块，TRIGSEL触发选择控制器，CAU加密加速单元（DES/3DES/AES），TRNG真随机数生成器，CRC校验单元

• 安全特性：支持安全启动、安全OTA、安全调试、安全固件升级；提供SBSFU（Secure Boot and Secure Firmware Update）方案及Demo；IEC 61508 SIL2功能安全认证，配套Safety Manual、FMEDA和自检库

• 封装：LQFP128 / 100 / 80 / 64 / 48，WLCSP81（4×4mm），QFN48，共7种封装14个型号

• 工作温度：-40℃~+105℃（标准型号）；部分型号支持-40℃~+125℃（如GD32G553QET3）

• 工作电压：1.71V~3.6V

差异化亮点

1. 丰富的服务器电源参考方案：已有12kW OCP服务器电源（双MCU分工：前级图腾柱PFC + 后级全桥LLC）、CRPS185 4.5kW AI数据中心电源

2. 双Bank Flash OTA + IEC61508 SIL2：支持在线升级不停机，满足AIDC功能安全与信息安全规范

典型应用

数字电源系统、充电桩、储能逆变、变频器、伺服电机、光通信系统

小华半导体HC32F558

产品定位

面向AI服务器电源高频化、高效率、高动态响应、高可靠性需求的MCU，集成硬化PID环路和三电平关断时序等行业特色功能。

核心规格

• 内核：ARM Cortex-M4，最高240MHz（商用版固化），最高可达300MHz，集成FPU

• 存储：最高512KB Flash + 128KB SRAM（另有256KB / 128KB Flash版本），5KB OTP，均支持ECC

• 高精度PWM：8×2路130ps高精度PWM + 6×2路普通PWM

• ADC：4× 12bit 5Msps ADC，最多42路采样通道

• 硬化环路：硬化PID及其联动，支持MHz级环路更新需求

• 模拟外设：8个DAC，8个比较器

• 特色功能：三电平关断时序控制、电网锁相环、SDFM Sigma-delta滤波器、16个可编程逻辑单元PLA

• 通信接口：4×USART，3×SPI，3×I2C，3×LIN，3×CAN-FD

• 安全特性：CRC16/32

• 封装：QFN48 / LQFP48 / 64 / 80 / 100 / 128，全系列18个型号

• 工作温度：-40℃~+125℃

差异化亮点

1. 三电平关断时序控制：适配T型三电平、Vienna等多电平拓扑的时序需求，区别于常规两电平方案

2. 硬化PID + 电网锁相环：硬化PID支持MHz级环路更新，电网锁相环适配PFC应用

3. 130ps HRPWM + 5Msps ADC：PWM精度和ADC速率在五款产品中处于前列

典型应用

通信与服务器电源、直流充电桩模块、砖块电源、微型逆变器、户用/工商业储能、光伏逆变器、工业变频器、伺服驱动

极海G32R502系列实时控制MCU/DSP

产品定位

实时控制MCU/DSP，面向变频器、光伏优化器、通信电源模块、服务器电源模块等场景，支持A/B Swap OTA在线升级。

核心规格

内核：ARM Cortex-M52 @ 200MHz，单精度浮点运算单元FPU，紫电数学指令拓展单元，Helium™边缘AI加速单元

存储：256KB Flash（两个独立128KB Bank，支持A/B Swap OTA），40KB SRAM，支持ECC校验保护

高精度PWM：14ch HPWM @ 150ps

ADC：2× 3.72Msps 12bit

硬化环路：无独立硬化环路单元，环路控制通过软件实现

模拟外设：4×COMP，2× 12bit DAC

通信外设：PMBus×1，I2C×2，CAN×2 / CAN-FD，SPI×1，UART×3，LIN×1

控制外设：CAP×3，QEP×1

封装：LQFP80 / 64，HTQFP48，VQFN32

工作温度：G32R501为-40℃~+125℃

差异化亮点

Cortex-M52内核 + Helium AI加速：五款产品中唯一采用Cortex-M52内核并集成边缘AI加速单元，支持轻量化AI算法部署

A/B Swap OTA：双Bank Flash支持在线升级，升级时业务不中断

典型应用

变频器、光伏优化器、通信电源模块、微型逆变器、服务器电源模块、充电直流电源模块