美光斥资90亿美元扩建AI存储芯片工厂

美光科技7月3日在日本东广岛市举行破土动工仪式，宣布斥资1.5万亿日元（约93亿美元）扩建其半导体工厂。此举标志着存储芯片制造领域规模最大的单笔投资之一，美光意在此领域向 SK 海力士 发起挑战，争夺增长迅猛的AI存储市场份额。

该工厂将生产用于英伟达及其他客户AI处理器的高带宽存储芯片，商业出货预计于2028年夏季前后启动。日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元（约32亿美元）的资金支持，用于补贴该项目的资本支出。

此次扩张是美光旨在缩小与SK海力士之间的差距的重要措施。据Counterpoint Research数据显示，SK海力士在2026年第一季度占据全球HBM市场58%的份额。美光的市场份额已从2024年底的9%增长至2025年底的约21%，并在此过程中超越了三星电子。

据报道，广岛工厂预计将生产下一代DRAM制程及HBM4E等先进产品。美光已开始为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4进行大规模量产。美国存储芯片公司美光科技已开始在日本广岛工厂扩建下一代AI用存储芯片生产线。随着AI服务器对高带宽存储器（HBM）需求激增，美光被评估为正式进军此前由SK海力士和三星电子主导的HBM市场。

广岛工厂是美光2013年收购破产的日本DRAM企业尔必达后获得的生产基地，目前是美光DRAM和HBM的重要生产基地之一。在建的新厂房计划生产用于AI运算的下一代DRAM工艺以及HBM4E等先进产品。

美光高级副总裁Manishi Bhatia表示："我们正在考虑生产1γ（gamma）之后的尖端DRAM工艺。"下一代DRAM 1δ（delta）和HBM的下一代产品HBM4E也被列入生产目标。HBM4系列的数据通道比HBM3E更宽，作为下一代产品有助于AI半导体更快处理更多数据。

《日本经济新闻》报道称："计划2028年下半年将制造设备搬入新厂房，并逐步扩大生产规模。"

美光CEO Sanjay Mehrotra亲自出席动工仪式并强调："存储需求正以前所未有的速度增长。"美光的扩产预计将对HBM市场格局形成中长期竞争压力——此前该市场由SK海力士领跑，三星电子和美光追赶。美光锁定HBM4E之后世代的生产基地，三家公司围绕2028年后下一代HBM市场的竞争预计将进一步加剧。

日本政府力图重建半导体供应链，对此也抱有很高期待。据报道，日本经济产业省也已决定提供最高536亿日元的补贴。加上此前已承诺的研发支持，日本对美光在日本业务的总支持额目前合计约达7750亿日元，覆盖此次新增投资的近一半。这一补贴方案折射出东京重建国内半导体制造能力、争夺AI供应链话语权的更宏观战略布局。

日本在半导体材料和设备领域仍保持竞争力，但在成品制造方面已失去往日地位。为此，日本正投入巨额政府补贴，吸引台积电在熊本建厂、扶持Rapidus的下一代2纳米工艺。加上美光在先进DRAM和HBM领域的投资，有分析认为供应链重建正在显现成效。

经济产业大臣赤泽亮正表示："生成式AI推动存储需求不断扩大，我国自主生产并为全球做出贡献，意义重大。"广岛县也期待此次投资将强化本地供应链，创造超过1000个就业岗位。

此次奠基仪式恰逢分析师所称的"AI存储超级周期"。美国银行预计2026年高带宽内存（HBM）市场规模将达到546亿美元，较上年增长58%。三大DRAM制造商——SK海力士、三星和美光——的市值均首次同步突破1万亿美元。

新广岛厂房的设备安装预计将于2028年下半年启动，此后产能将逐步爬坡提升。