640亿，SK海力士扩产3D NAND与HBM封装

SK海力士本周宣布，将向旗下清州园区追加 100 万亿韩元（折合 640 亿美元）投资，用于扩产厂区 3D NAND 闪存产能、扩建 HBM 高端封装产线。这笔投资规模庞大，将大幅新增产能，但新增产能要等到数年之后才能逐步投产。即便如此，该项目的投资额，和 SK海力士整体 7125 亿美元的韩国本土总投资规划相比仍相形见绌。

此次清州园区 100 万亿韩元（640 亿美元）投资，只是 SK海力士韩国全域 1100 万亿韩元（7125 亿美元）巨型投资蓝图的一部分。其中，公司计划向全新规划的西南半导体产业集群投入 400 万亿韩元（2595 亿美元），龙仁园区投资规模则达 600 万亿韩元（3893 亿美元）。尽管清州项目投资额远低于另外两大园区，但它是目前唯一披露完整细节的落地项目。

640 亿美元投向清州，加码 NAND 闪存与先进封装业务

SK海力士表示，将在忠清道清州园区新建一座 3D NAND 晶圆厂、添置生产设备，同时扩建面向 HBM 后端制程的先进封装产线。企业计划明年动工兴建 M17 晶圆厂，最早 2029 年才能实现投产。这座晶圆厂总投资约 80 万亿韩元（约518 亿美元），全新 P&T7 封装测试厂房则投入 20 万亿韩元（约129.45 亿美元）。

SK海力士清州园区现有 M11、M12、M15 等主力 3D NAND 闪存晶圆厂，历来是集团核心 3D NAND 内存生产基地。由于多层堆叠 3D NAND 与高带宽内存 HBM 采用相近封装工艺，该园区如今也转型承担 HBM 堆叠制造业务：M15X 厂区负责 DRAM 裸片生产，P&T3 厂房开展封装工序。

不过对比集团其他规划项目，清州 NAND 与 HBM 封装产线的投资规模并不算突出。

3893 亿美元布局龙仁半导体集群，大幅提升 DRAM 产能

SK海力士计划向龙仁半导体产业集群投入约 3893 亿美元，这是该企业有史以来单笔最大投资承诺，建成后龙仁园区将成为集团规模最大的 DRAM 生产基地。目前龙仁地块仍属于全新待开发绿地厂区。

龙仁首座晶圆厂预计 2027 年 5 月投产，剩余厂房将分批陆续建成。一座 DRAM 晶圆厂完成产能爬坡通常需要 1 至 1.5 年，因此这批产能预计 2028—2029 年才会实质影响全球内存市场。根据最新规划，四座晶圆厂全部完工时间由原定 2045 年提前至 2033 年，3893 亿美元的投资周期将延续至 2033 年之后。

2595 亿美元打造西南半导体产业集群

和龙仁不同，西南半导体产业集群目前尚处于规划阶段，甚至尚未敲定韩国西南地区具体选址。SK海力士称，将联合韩国中央与地方政府，综合评估土地供给、电力、水资源、交通等配套基建条件后，再确定确切地块。

该产业集群定位为继利川、清州、龙仁之后，SK 海力士又一处核心制造基地。现阶段规划总投资额约 2595 亿美元，但项目完工周期长达数十年，后续金额会随市场行情、晶圆制造设备成本上下浮动。

本次投资将分多年分批落地，涵盖土地收购、厂房建设、生产设备采购全流程。SK海力士表示相关筹备工作必须即刻启动，因为全新半导体产业集群从选址到配套基建完善需要漫长周期；以龙仁集群为例，整体开发耗时近 9 年。

韩国存储大厂集体加码本土产能

加码韩国本土半导体投资的并非只有 SK 海力士。三星于本周四公布规划，将向韩国忠清道产业布局投入 140 万亿韩元（909.8 亿美元）。 根据该方案：三星显示将在牙山扩建 OLED 产线；三星电子在温阳新建 5 条 HBM 生产线，并升级天安现有 HBM 配套设施；三星 SDI 将在天安搭建电池试产线，完成下一代电池技术验证后再推向全球；三星电机则在世宗扩产 AI 服务器封装基板产能。

SK海力士的投资是李在明总统于6月29日宣布的国家整体战略的一部分。韩国承诺动员企业在芯片和AI基础设施领域投入逾5000亿美元。三星电子与SK海力士联合承诺投入800万亿韩元，在韩国西南部新建四座晶圆厂，另有数百万亿韩元将专项用于AI数据中心和先进封装业务。

韩国芯片企业的大规模投资计划引发了"大空头"投资者迈克尔·伯里（Michael Burry）对半导体行业发出看空信号。据报道，伯里在一份文件及后续评论中写道，三星和SK海力士宣布合并投资计划后，他认为这是"末日的开始"。他将此次支出规模视为AI行情见顶的信号。

韩国这轮大规模投资浪潮究竟代表着对AI需求持续增长的信心，还是典型的周期末端过度扩张，这一核心矛盾悬而未决，而市场正在实时对此定价。