SemiAnalysis：长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商

近日，国际知名半导体分析机构SemiAnalysis发布的最新行业报告显示，长鑫存储当前稳居全球第四大DRAM原厂，依托持续产线爬坡，2026年末12英寸等效晶圆产能有望超越美光，跻身行业前三。

报告中指出，受益于全球存储市场供需失衡带来的涨价红利，长鑫存储近两年实现业绩跨越式翻盘，摆脱亏损困境。数据显示，公司2023年营收仅12亿美元，2024年攀升至33亿美元，2025年大幅增长156%至86亿美元，首次实现盈利，净利润突破10亿美元。进入2026年，增长态势进一步提速，第一季度营收达73亿美元，同比暴涨700%，已接近2025年全年营收水平，营业利润率飙升至70%，盈利能力大幅跃迁。

从全球格局来看，长鑫存储已坐稳全球第四大DRAM厂商席位，与三星、SK海力士、美光三大巨头的差距持续缩小，但规模体量仍存在量级差距。2025年三星、SK海力士、美光DRAM营收分别达到723亿美元、521亿美元、372亿美元，远超长鑫存储。行业机构预测，2026年长鑫存储营收有望突破500亿美元，延续连年翻倍的增长态势，盈利增速持续走高。

值得关注的是，长鑫存储的业绩爆发并非核心技术与市场份额大幅突破所致，核心驱动力是行业超级涨价周期。2026年第一季度，公司芯片出货量仅同比增长11%，但产品均价（ASP）大幅上涨57%，叠加2025年第三季度和第四季度连续超60%的环比涨价，直接推高企业盈利水平。目前公司全球DRAM出货市占率仅9%，预计2027年提升至12%。

产品价格方面，2026年第一季度，长鑫存储DRAM均价仅比海外三大巨头低5%-10%，价格差距远低于市场预期。后续价差或将小幅扩大，但核心原因并非产品定价劣势，而是产品结构差异。三星、SK海力士、美光拥有更高的服务器DRAM和HBM产品占比，这类高端产品溢价显著，而长鑫存储仍以消费级DDR、LPDDR通用存储芯片为主，产品结构差异拉开了盈利天花板。

盈利能力层面，长鑫存储毛利率实现颠覆性改善，从2023年-113%、2024年-4.7%的亏损状态，跃升至2025年37.8%，逼近三星39.4%、美光39.8%的水平，仅落后于主打高HBM占比的SK海力士（60.4%）。2026年第一季度，公司营业利润率进一步提升至70%，与海外巨头的差距持续收窄。但成本端短板依旧明显，其DDR5产品单位比特成本较三大海外厂商高出30%以上，证明盈利改善依托行业涨价红利，成本控制、产品竞争力仍需努力。

产能扩张是长鑫存储另一大核心优势，也是其冲击行业第三席位的关键底气。2026年末，公司晶圆产能预计达到350kwpm，逼近美光385kwpm的产能规模。随着合肥、北京基地产能满产及上海基地一期投产，2027年其产能将突破420kwpm，全球产能占比升至17%，2028年有望突破500kwpm，持续缩小与三星（720kwpm）、SK海力士（595kwpm）的差距。相较于海外巨头稳健扩产，长鑫存储2026-2028年扩产力度远超行业平均水平，成为全球存储产能增长的核心增量。

尽管产能快速释放，但行业供需格局仍将维持紧缺态势。机构测算，未来两年全球DRAM市场仍将维持中高个位数的供需缺口，长鑫存储的产能扩张不会引发行业过剩。不过，企业长期发展的短板集中在高端HBM领域，成为制约其进阶的核心瓶颈。目前长鑫存储晶圆产能几乎全部倾斜于通用DRAM产品，2025年HBM产能占比微乎其微，预计2027年、2028年HBM产能仅为55kwpm、100kwpm，全球市占率仅12%。

技术层面，长鑫存储HBM业务面临多重技术壁垒，其HBM3 8-hi产品综合良率仅25%左右，12-hi及更高规格产品良率更低，堆叠工艺、热管理、芯片开裂等难题尚未攻克。同时，其主流G4制程良率未达行业成熟标准，下一代G5制程研发仍面临诸多工艺挑战。短期来看，通用DRAM毛利率显著高于自研HBM产品，优先布局通用存储是市场化理性选择，但国内AI产业崛起带来的HBM刚需，使得企业必须加速高端技术突破。