SK海力士子公司量产车载芯片EMC工艺

SK启方半导体已实现车用半导体电磁兼容（EMC）优化技术量产。该公司宣布其基于双向可控硅整流器（Bi-SCR）研发的片上EMC防护技术已完成商业化落地，目前该技术已应用于旗下130纳米Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) 工艺生产的芯片产品。

SK启方半导体是SK海力士全资子公司，主要聚焦硅基特色工艺代工，例如模拟、混合信号、高压功率芯片代工。SK启方半导体CEO李东宰表示，这项新技术能够提升车载半导体产品可靠性，同时改善整车电子系统整体稳定性。

电磁兼容（EMC）指半导体芯片在遭遇电磁干扰、瞬时过电压等易引发器件故障的工况下，仍可保持正常工作的能力。车辆运行过程中会持续产生正向、负向瞬时电压尖峰，若缺少防护措施极易造成整车系统失效。传统设计方案会在正负信号通路分别布置多颗静电放电（ESD）防护器件来应对该问题。

SK启方半导体的Bi-SCR技术仅依靠单颗器件即可实现双向过压防护。当电压浪涌来袭时，相比传统器件结构，双向可控硅整流器能更快泄放多余电流，为芯片提供更稳定的防护效果。该片上集成架构将防护电路直接嵌入芯片内部，在保障电磁兼容性能不变的前提下，省去外置瞬态电压抑制（TVS）二极管。该方案可减少外围元器件数量、简化电路设计，同时提升芯片面积利用率；产品还满足ISO10605国际标准，可承受车辆运行过程中严苛的电气冲击。

SK启方半导体计划持续扩充high-voltage LDMOS、BJT、SCR及二极管系列防护器件产品矩阵，重点面向高可靠性车载市场，覆盖电源管理芯片（PMIC）、电机驱动芯片、功率控制集成电路等产品。

第四代200V高压0.18微米BCD工艺

今年年初，SK启方半导体宣布推出第四代200V高压0.18微米（µm）BCD工艺，已与国内外主要客户展开实质性的产品开发合作，计划年内实现量产。

BCD是一种将模拟（Bipolar）、数字（CMOS）以及高电压功率（DMOS）器件集成于同一芯片的半导体制造技术。SK启方半导体此次发布的新工艺，旨在应对电动汽车以及AI数据中心加速普及背景下，高电压、高效率功率半导体需求持续增长的市场环境。

SK启方半导体表示：“随着汽车电压体系从原有的12V向48V转变，AI服务器和数据中心也为最大化电力效率与功率密度，正将直流电压从380V提升至最高800V。”“在100V以上高电压环境下实现稳定耐压并高效控制电力的工艺技术，其重要性正前所未有地提升。”

据介绍，此次推出的第四代BCD工艺在功率效率和高温耐久性方面实现提升，用于衡量性能的特性导通电阻（Rsp）和击穿电压（BVDSS）等关键指标较前代工艺改善超20%。该工艺可根据不同工作电压提供低导通电阻（On-Resistance）器件，从而有效缩小芯片面积并降低功率损耗，提升整体工艺竞争力。

在应用层面，该工艺为采用BCD及高电压（HV）MOSFET的高电压、大电流电源管理集成电路（PMIC）提供了厚层绝缘膜（ThickIMD）选项，可在确保数字信号安全传输的同时，阻断不必要的高电压和噪声干扰。

此外，它还支持SRAM（静态随机存储器）、ROM（只读存储器）、MTP（多次可编程存储器）、OTP（一次可编程存储器）等嵌入式存储选项，并提供用于精密电机控制的霍尔传感器，以提升电路设计的灵活性和扩展性。

该工艺可应用于高电压电源管理与转换芯片、电机驱动器、LED驱动器、电源供给用栅极驱动器等多种产品的开发，并满足车用零部件可靠性评估标准“AEC-Q100 Grade 0”的要求。