别神化EUV，DUV才是被严重低估的制程底牌

谈及芯片性能，尽管不断有人预言摩尔定律即将走到尽头，它依旧是半导体行业流传最久的创新传奇。每一代全新逻辑与存储制程节点问世，都会被视作一次技术飞跃，也加深了大众的固有认知：行业进步完全依靠最前沿、顶尖的工艺设备驱动。

在所有技术里，极紫外（EUV）光刻最能印证这一点。它是近年助力延续摩尔定律的标志性技术突破，也是3纳米及以下先进制程制造的核心基石。EUV常年占据科技头条、吸引海量资本投入，更是芯片设计工艺极限的代名词。

但行业全貌远比大众认知复杂得多。在万众瞩目的EUV背后，还有一套极少获得关注、却同等关键的基础工艺体系，是先进制程能够落地的必要支撑。现代芯片制造从来不是单一技术就能完成，需要多道工艺协同配合，光刻技术也分多种类型。深紫外（DUV）光刻便是其中一项核心支撑技术，它诞生早于EUV，至今仍是先进制程生产中不可或缺的一环。

EUV技术普及并未削弱氟化氪（KrF）、氟化氩（ArF）以及浸没式ArF光刻的价值，反而对这类深紫外设备提出了全新需求。各类配套薄膜材料的技术迭代，最终将决定EUV能否充分释放全部工艺潜力。

光刻全流程面临的材料难题

现代芯片制造所需光刻材料，要适配多套工艺体系，各类光刻设备工作波长、硬件结构与运行环境截然不同。

相关材料体系覆盖面极广：既有沿用数十年的成熟方案，也包含各类工艺与配套材料的迭代升级、全新研发品类。正是这种高度复杂性，让DUV光刻持续迭代、不断突破，用以解决当下先进制程面临的各类材料瓶颈。

随着各类光刻技术持续迭代，材料的性能需求并未趋同，反而分化得愈发明显。深紫外光刻对材料的核心要求业内早已熟知，但标准持续收紧：宽工艺窗口下实现高分辨率、精准图形控制；大规模量产中有效管控缺陷；规模化生产下保证工艺稳定、提升产出效率。

而EUV光刻额外增加了一层技术难度。配套材料需要在极低光子数量下稳定工作，抑制随机效应带来的图形失真，同时适配高真空工作环境。

高端芯片制造需要一整套光刻配套方案应对上述各类挑战，涵盖光刻胶、底层辅助膜、掩模清洗药剂等产品，确保在同一工艺流程的多类工况下稳定发挥性能。

针对某一波长优化的光刻材料，无法直接套用在其他波长工艺上，每一层薄膜都需要专属材料解决方案。

大热的EUV，以及被片面解读的行业叙事

EUV是这套技术逻辑最典型的例子，却也最容易被大众误解。它频繁登上头条其实不难理解：依托13.5纳米极紫外光源，EUV能够减少多重图形工艺步骤，实现更精细的线路版图，是先进制程高密度逻辑器件生产的刚需，全球头部科技企业均高度依赖该设备。

但大众普遍存在一个误区：认为EUV能够独立、全方位解决制程微缩难题。实际生产中，EUV仅选择性用于部分关键工序，无法覆盖全部工艺流程，其余大量工序仍依靠其他光刻技术完成。

事实上，顶尖先进制程中，采用DUV光刻制作的薄膜层数，通常是EUV光刻层数的2至3倍。简单来说，EUV无法单独完成全部光刻工序，先进制程生产必须采用DUV+EUV混合光刻方案。

DUV光刻：先进逻辑芯片看不见的底层基石

不少人将DUV视作成熟、技术定型的老旧工艺，这种误解掩盖了它对先进制程良率、产能、成本持续且直接的影响。

时至今日，即便是全球最前沿的高端芯片生产，DUV依旧是核心制造工艺：193纳米浸没式ArF光刻负责大部分关键与次关键精细薄膜层；248纳米KrF光刻则承担流程中大量通用图形层与辅助层制作。

阿斯麦最新一代浸没式ArF光刻机等设备的迭代升级，也直观体现出DUV技术仍在持续进步。行业正在持续优化设备产能、提升图形精细度、强化与EUV设备之间的版图匹配精度，不断拓展DUV的工艺上限。

材料端的研发升级同样从未停下脚步。我们的客户持续深挖ArF光刻工艺极限，追求极致细微的器件尺寸；我们同步攻关降低线路边缘粗糙度、提升关键尺寸均匀性等核心难题。

良率、产能、设备稳定性与生产成本，进一步印证了DUV不可替代的价值。绝大多数薄膜层并不需要EUV级别的超高分辨率，而成熟量产线上稳定运行的DUV设备，能够兼顾各项优势；同时还能弥补EUV现存短板，例如线路边缘粗糙、随机缺陷等尚未完全攻克的技术痛点。

DUV并不会被EUV淘汰取代，而是与EUV同步迭代发展，先进芯片制造二者缺一不可。

完整光刻产业生态

尽管EUV占据了先进制程绝大部分关注度，但DUV才是默默支撑制程微缩、提升生产效率的核心力量。摩尔定律能够延续，依靠的不是新旧技术更替，而是各类工艺技术持续创新融合。KrF、ArF、浸没式ArF、EUV对应的底层辅助膜、清洗材料、光刻胶等多领域，都存在巨大技术升级空间。全球最顶尖芯片的诞生，依托一套覆盖多类设备、不同光源波长、多元材料体系的完整光刻生态。持续对整套生态投入研发、推进技术创新，是行业长期发展的关键。