三星发布UFS 5.0，移动存储带宽突破10.8GB/s

6月23日，三星电子对外宣布，成功研发行业首款专为端侧人工智能（AI）场景优化、综合性能顶尖的新一代通用闪存存储（UFS）5.0 完整解决方案。

UFS 是智能手机、平板等移动终端搭载的高性能存储标准，核心优势在于高速数据传输与出色能效。所谓端侧 AI，指设备脱离网络，本地直接运行 AI 大模型完成运算。

该产品刷新了下一代移动存储行业性能基准。更高的传输带宽能够大幅降低终端运行大语言模型（LLM）时的数据延迟，显著提升端侧 AI 任务的响应速度。

三星电子存储产品规划负责人崔章硕（Jangseok Choi）表示：“步入端侧 AI 时代，闪存存储已经成为决定人工智能使用体验的核心硬件。如今我们率先完成业内首款 UFS 5.0 方案研发，三星重新定义移动嵌入式存储标准，同时将持续推动下一代移动平台的技术革新。”

生成式 AI 业务正快速从云端下沉至本地终端，设备本地运算所需的数据体量持续暴涨。在此趋势下，闪存不再只是单纯的数据存储载体，而是支撑 AI 算力运行的核心底层基础设施。

三星 UFS 5.0 完整遵循 JEDEC 最新嵌入式闪存接口规范，峰值带宽可达 10.8GB/s，创下行业现有移动存储最高水平。 这款新品连续读取速度最高 10.8GB/s，连续写入速度最高 9.5GB/s，两项核心速率均达到上一代 UFS 4.1 标准的两倍以上。性能跨越式提升，可以高效完成端侧 AI 场景下海量数据的读写与处理工作。

功耗层面，对比三星自研 UFS 4.1 产品，UFS 5.0 整体能效提升超 40%。厂商通过时钟门控、多电压调节等多项全新优化技术实现这一突破。同等数据传输量下，新款闪存所需功耗显著下降，能够有效延长下一代手机、便携设备的续航时长。

封装设计同样迎来优化，三星将 UFS 5.0 整体尺寸压缩至 7.5mm×13mm×0.9mm，相较前代产品体积缩小 16.7%。更小的封装尺寸大幅提升手机、可穿戴设备、扩展现实（XR）设备等各类终端的内部空间利用率，给整机结构设计留出更高自由度。

量产规划方面，三星将于今年第四季度启动 UFS 5.0 规模化生产，最高提供 1TB 容量版本。依托本次 UFS 5.0 技术突破，三星提前匹配下一代终端市场需求，后续将持续扩产供货，覆盖旗舰智能手机、XR 头显、AI 智能穿戴设备等多条产品线。

三星表示，依托 UFS 5.0 的研发与量产落地，将进一步巩固自身在全球 NAND 闪存市场的龙头地位。第三方调研机构集邦咨询（TrendForce）数据显示，2026 年一季度三星 NAND 闪存营收口径市占率达 31.6%，环比提升 3.6 个百分点，与第二名 SK 海力士（含 Solidigm市占率 17.6%）的领先差距持续拉大。