消费级DRAM缺货潮蔓延至DDR2产品

TrendForce最新调研显示，成熟制程DRAM供给出现结构性紧缺，采购消费级DRAM的厂商为拿到更多供货配额，只能转采老旧代内存产品。市场由此掀起一轮老旧存储芯片采购热潮，带动DDR2、DDR3等前代产品价格持续走高。

继2026年一季度大幅涨价后，TrendForce测算，DDR2合约价2026年二季度涨幅约55%~60%，2026年三季度将再度上涨35%~40%。

TrendForce指出供给端现状：三大DRAM原厂持续倾斜先进制程产能，用以匹配AI基建投资催生的HBM、服务器DRAM增量需求。DDR4等成熟制程产品的晶圆投片配额随之缩减，采购DDR4等消费级DRAM的厂商只能转向中国台湾存储厂商寻求货源。

当前市场需求远高于台湾存储厂商的比特产出量，南亚科技、华邦电子议价权大幅提升。受供给总量约束，两家厂商主动缩减低毛利产品产能，转产高附加值产品以提升盈利水平。

消费级DRAM持续缺货、合约价快速上涨，部分整机OEM与ODM厂商选择下调内存规格，控制整机生产成本。不少产品方案从DDR4更换为DDR3，部分搭载DDR3的设备更是重新改用DDR2方案。

厂商选用更低容量、更老旧代次的内存，只为拿到更稳定的供货配额。这也使得消费级DRAM缺货压力沿各代存储产品层层传导。

DDR2核心供应厂商为华邦电子与晶豪科技。其中华邦正逐步下调DDR2产能，将产线转向DDR3、DDR4、LPDDR4等高毛利产品，该产能调整会进一步收紧DDR2供给。与之相反，晶豪科技计划在力积电现有晶圆配额内拉满DDR2产能，集中资源布局该品类增厚利润，弥补华邦减产留下的DDR2供给缺口。

二季度常规DRAM合约价环比上涨58%–63%， NAND合约价上涨70%–75%

根据TrendForce此前存储价格调研显示，2026 年第二季度，DRAM 厂商正将产能转向HBM与服务器应用，并通过补涨定价缩小各产品线价差。尽管终端市场出货存在下行风险，常规DRAM合约价预计环比仍将上涨58%–63%。

与此同时，NAND Flash 市场持续受 AI 与数据中心需求拉动，涨价已蔓延至全产品线。整体来看，2026 年第二季度 NAND Flash 合约价预计环比上涨70%–75%。

细分DRAM各产品线价格趋势可见，供给持续偏紧对价格形成支撑。尽管 PCDRAM整体系统需求已下修，但供应商同步削减了对 PC OEM 与模组厂的出货量。由此，配额满足率较低的 OEM 厂商被迫以更高价格向原厂或模组商采购，进一步支撑了价格上涨。

北美云服务提供商（CSP）正加速 AI 推理部署，带动 AI 服务器与通用服务器需求攀升，高容量 RDIMM成为主要采购目标。供给端，受更高利润率驱动，供应商持续优先保障服务器DRAM产能，并与核心客户洽谈长期合约（LTA）以支撑未来扩产。但短期内供给依旧紧张。

智能手机领域，终端品牌持续面临存储器成本上涨压力，或自 2026 年第二季度起调整生产计划。不过上半年移动DRAM需求预计不会大幅萎缩。随着供应商与核心客户敲定二季度价格、确立涨价基准，并通过补涨缩小不同应用间价差，移动DRAM合约价预计环比继续走高。

显卡DRAM方面，存储器成本上涨压制笔记本与游戏设备需求，同时 GDDR 产能分配有限导致供给受限，预计 2026 年第二季度价格将进一步上涨。

消费级DRAM方面，客户主要聚焦低成本、走量的低毛利产品。2025 年初以来的持续涨价已导致部分产品成本高于售价，采购需求略有放缓。但主流供应商逐步退出消费级DRAM市场仍是供需失衡的核心原因，供给短缺局面尚未缓解。