
今日,盛美上海发布投资者关系活动记录表,其中回答半导体零部件涨价趋势时表示,公司已关注到零部件市场的价格波动情况,采取了相应的应对措施。目前,公司通过提高本土零部件使用比例、推进供应渠道多元化布局、提前储备零部件库存等多种方式降低市场价格波动对公司的影响。近年来,公司的核心零部件本土化进程也已取得积极进展。目前非标准件已实现全面本土化;对于标准件中的部分核心零部件同样取得了重要突破,例如磁旋泵、加热器、过滤器等部分实现本土化。同时,为系统推进公司零部件本土化,公司从 2025 年开始,在半导体前道及先进封装领域先后设计并组装出两台全部使用本土零部件的设备 (需要特别说明的是,上述设备仅为公司内部用于检验零部件性能的测试设备), 之后计划将其在临港洁净室中进行零部件测试及验证,并将把通过验证的合格零部件逐步导入公司量产设备中。
对于今年的订单情况,盛美上海表示,此前公司已披露 2026 年第一季度的新签订单同比增速为 65%, 这为公司营收增长奠定了较好基础。按照惯例,公司将在每年 9 月底自愿披露在手订单情况,敬请关注公司后续披露的公告。同时,综合近年来的业务发展趋势,以及目前的订单等多方面情况,公司仍然维持 2026 年全年 82.00 亿元至 88.00 亿元营收预期。
此前公司已披露 2026 年第一季度的新签订单同比增速为 65%。清洗设备方面,公司高温及中温硫酸设备的工艺已达到国际领先水平,能够有效提升全球客户产品良率。目前,中国及海外客户对该设备均产生较大兴趣,公司预计 2026 年中低温及高温硫酸设备将交付 20 余台设备至多个客户。电镀设备业务也将迎来显著增量,在 2026 年至今的新签订单中,电镀设备占比约 30%。
对于国产半导体的天花板在何处,盛美上海表示,未来,存储及逻辑领域仍将处于建设周期,公司对未来行业发展趋势保持乐观预期,持续看好中国半导体消费市场前景。前道及后道设备方面,后道设备的市场体量还远小于前道设备市场体量,但其增长率快于前道设备。
盛美上海定向增发的募投项目临港 mini-line 的建设取得积极进展,这是一条在 100 级洁净室环境下运行的完整实验性研发产线,整合了盛美自研设备、第三方工艺设备以及量测设备,能够在接近客户端真实量产环境的条件下开展工艺验证与联合研发。
临港 mini-line 带来的不只是研发效率的提升,更重要的是推动了公司新产品开发与交付模式的升级。过去,新设备通常需要直接进入客户端开展较长周期的验证与工艺调试;而现在,公司可以先在临港 mini-line 上基于客户产品需求进行工艺验证与参数优化,出货前就完成针对客户特定工艺需求的预验证,在满足客户特定工艺要求后,才交付客户端进行最终验证,大大加快了设备在客户端的验证周期。
该内部工艺线可覆盖清洗、电镀、涂胶显影、炉管及 PECVD 等全品类设备流片验证,降低外协测试成本,同时能够提前模拟各类制程工况,有助于优化设备稳定性与颗粒控制指标,还可配合客户开展下一代工艺联合开发。目前,这一模式已经展现出积极成效。公司 4 月出机的首台 PECVD SiCN 设备,正是在临港完成工艺预验证后出机,直接进入客户端最终验证阶段,显著缩短了客户端验证周期。此外,公司高温单片 SPM 产品也在临港与主要客户完成了数月联合测试及工艺参数优化。在完成 15 纳米颗粒控制性能验证后,该产品已成功获得多家客户批量订单。这些案例充分体现了临港 mini-line 在加速新产品开发、工艺验证及客户导入方面的重要战略价值。
对于国内电镀设备的市场空间,盛美上海表示,从市场规模长期来看,3D 封装会大规模应用电镀设备,头部封测企业后续集中采购规模可达数百台,落地周期暂未确定,但长期需求确定性较强;中国台湾地区头部晶圆代工厂年采购量也有一百多台,行业整体规模可观。国内市场尚处起步阶段,未来成长潜力突出,今年公司电镀设备业务也将迎来显著增量。
现阶段盛美上海世界首创的新产品 ECP 面板级电镀设备,创新性地采用了专利申请保护的水平式面板电镀方式,让方形电场与方形硅片实现同步旋转,能够更好地控制电镀均匀性;同时能够实现硅片传输过程中引起的槽体间污染控制,大大降低了不同种类金属电镀槽之间化学交叉污染的风险,依托该设备的技术难度及市场稀缺性,其毛利率表现良好。
对于 PECVD 设备当前开发进展,盛美上海表示,今年 4 月,公司首台 PECVD SiCN 设备已经顺利出机,该设备在盛美上海临港实验室已验证满足工艺指标,现发往客户端进行最终验证。该平台在单一反应腔内配置了三个工艺工位 (专利申请保护中), 采用旋转沉积的方式,每个工位完成总膜厚三分之一的沉积。这种设计能够实现对界面层形成、气流管理及薄膜均匀性的更精确控制。此外,盛美 “一工位一射频” 控制软件技术,通过每个工位独立的射频系统实现对等离子体的独立控制,大幅提升工艺的稳定性与一致性。该设备旨在支持 55 纳米及以下高端 IC 工艺的后段金属互联工艺应用中的 PECVD NDC (SiCN) 工艺,应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。
盛美上海LPCVD、ALD 炉管系列设备持续推进技术研发,均取得了创新突破。炉管设备方面,公司已获取部分客户的重复订单,此外,公司还自主研发了高温 Ultra Fn 立式炉管设备,该设备采用公司独有的立式炉管结构设计,具备最高 1250°C 的处理能力,能够聚焦高端 IGBT 应用,市场整体反响良好。ALD 设备方面,公司已积累了一系列自主研发的具有全球知识产权保护的专利技术,以差异化创新工艺持续满足客户多样化需求;PECVD 方面,公司正在与两家客户进行积极洽谈。
对于面板级封装设备在中国台湾市场的进展情况,盛美上海表示,目前,公司重点推出的世界首创面板级先进封装的新设备包括 Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备、Ultra C vac-p 面板级负压清洗设备和 Ultra C bev-p 面板级边缘刻蚀设备等三款新产品。其中,Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备创新性地采用了专利申请保护的水平式面板电镀方式,让方形电场与面板实现同步旋转,能够更好地控制电镀均匀性;同时能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制,大大降低了不同种金属电镀槽之间化学交叉污染的风险;Ultra C vac-p 面板级负压清洗设备利用负压技术去除微凸块中的助焊剂残留物,可使清洗液到达狭窄的缝隙。公司将积极推进上述三类产品在中国大陆和台湾市场、新加坡、韩国市场的应用及拓展,后续相关产品的具体动态信息敬请关注公司披露的公开信息。公司将积极把握面板级设备市场发展趋势,做全湿法工艺的面板设备类型。
对于涂胶显影设备取得的具体成效,盛美上海表示,公司布局前道涂胶显影多年,在涂胶显影设备 (Track) 领域,公司正有序推进 KrF 与 ArF 两大技术节点的产品布局,这两款设备亦是公司 Track 系列的核心组成部分。经过 5 年的潜心研发,2025 年第三季度公司推出首款自主研发的高产出 (300WPH) KrF 工艺前道涂胶显影 (Track) 设备 Ultra LITH KrF, 该产品具有高产能、先进温控技术以及实时工艺控制和监测功能,进一步拓展了光刻相关的应用领域,展现了公司在新产品品类中的持续扩展能力,已于 2025 年 9 月顺利交付中国头部逻辑晶圆厂客户,预计今年 7 月份与光刻机对接,年底完成全生产流程验证。同时,基于 KrF 与 ArF-i 设备在功能上的共同性,公司有望加快推进 ArF-i 设备的生产及研发进程,并期待未来与客户端的紧密合作。
盛美上海表示,当前 A 厂房已接近满产,B 厂房计划于今年下半年启动装修,四季度力争实现部分产线投产。A、B 厂房全部投产后整体年产值可达 200 亿元,B 厂房投产后将进一步打开公司业绩成长空间。
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