SK海力士12层堆叠HBM4E，正式送样

6月18日，SK海力士发布公告称，面向人工智能领域的新一代DRAM产品HBM4E已向各大核心客户送出样品。SK海力士表示：“依托我们在高带宽内存（HBM）领域成熟的研发与量产技术积淀，本次得以按期交付12层堆叠版HBM4E样品。我们将携手产业链合作伙伴，推进产品按时实现大规模量产。”

SK海力士这款12层堆叠HBM4E在运算性能与能效两大维度均实现升级。产品单引脚最高数据传输速率可达16Gbps，能效相较上一代产品提升20%以上，大幅强化人工智能模型训练与推理场景的数据处理能力。该产品搭载全新接口并完成架构优化，有效降低数据传输延迟，同时可在高带宽工作环境下稳定运行，助力客户提升AI数据中心、大型算力集群的数据处理效率。

SK海力士在HBM4E产品中采用先进的批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术，12层堆叠方案即可实现48GB存储容量，同时保障芯片堆叠结构稳固。尤为关键的是，相比前代HBM4，产品耐热性能提升17%，可满足高性能计算场景下内存芯片长时间稳定工作的需求。批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）技术是在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，并使其固化。

凭借HBM3、HBM3E、HBM4三代产品成熟的量产交付经验，SK海力士已持续为客户交付定制化高性能内存解决方案。依托经过市场验证的产品可靠性与稳定供货能力，公司将助力下一代AI算力基础设施建设，破解人工智能系统算力瓶颈。

SK海力士开发总管安铉表示：“凭借行业领先的技术实力与制造功底，SK海力士依托HBM4E夯实自身在AI存储赛道的领先地位。我们将持续深化与合作伙伴的协同合作，为市场输送核心价值，巩固全栈式AI内存方案厂商的技术龙头地位。”

值得一提的是，三星电子在5月29日率先向全球主要客户送出业界首款12层堆叠HBM4E样品，相比SK海力士要早20天。三星HBM4E单引脚稳定运行速率为14Gbps，最高可提升至16Gbps，能够应对日益严苛的数据处理需求。相较HBM4，其速率提升超20%；单堆叠内存带宽最高可达3.6TB/s，可充分释放大语言模型（LLM）与新一代AI系统的运算性能。

三星12层堆叠HBM4E产品容量为48GB，相较上一代产品提升超30%。三星还将根据客户需求，陆续推出8层32GB、16层64GB等不同规格版本，丰富产品矩阵。HBM4E充分整合三星完整的半导体技术实力，沿用HBM4量产阶段打磨成熟的前沿技术，包括业界领先的第六代10纳米级1c DRAM工艺，以及三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片，保障产品拥有更出色的工艺稳定性与量产能力。

三星对HBM4E的存储及逻辑架构完成设计与工艺优化，进一步提升产品性能、能效与良率。其中，凭借先进低功耗设计与封装结构优化，该产品能效较上一代提升16%，热阻性能改善超14%。以上优化可实现更高效的散热效果，让新一代数据中心在高负载运行场景下，长期保持稳定运转，并降低整体能耗。完成样品交付与相关调试后，三星将结合客户进度启动HBM4E量产工作。