随着半导体制造持续推进特征尺寸更小的先进工艺节点,光学邻近校正(OPC)流程开始采用曲线掩模,以此获得传统曼哈顿几何图形无法实现的更大工艺窗口。
传统曼哈顿掩模仅允许图形使用水平、垂直边缘,迫使OPC算法只能用大量微小直线段近似还原曲线。曲线掩模采用三次贝塞尔样条(平滑数学曲线)原生表征图形,在光刻难度最高的拐角与弧形区域实现更精准的图形控制。但这一技术切换带来了巨大算力负担,拖慢整套光学邻近校正流程。
问题核心在于掩模规则检查(MRC),该验证环节用于确保掩模版图可无缺陷投产。针对曲线掩模的MRC计算会占据OPC总运行时长的绝大部分。若设计团队无法快速完成掩模可制造性校验,迭代周期将大幅拉长、收敛速度变慢;而先进工艺节点对产品上市周期要求严苛,这会带来严重的项目交付风险。
行业正通过GPU加速重构OPC方案,以此降低计算耗时与成本。传统架构是将掩模版图分块分配至多个CPU核心并行运算;全新GPU加速架构改为一组CPU核心共享单台GPU设备。如图1所示:CPU核心将具备大规模并行计算特征的OPC任务卸载至GPU执行,串行运算仍由CPU本地处理。整套方案的核心约束为显存(VRAM),显存需要承载当前所有版图分块的全部相关数据;频繁在GPU与内存间搬运数据会产生巨大传输开销,应当尽量规避。

图1:多核CPU共享同一GPU资源。本示例中16颗CPU核心共用一块GPU,高效处理高度并行化任务,展示掩模规则检查场景下CPU与GPU资源协同调度方式。
针对曼哈顿几何图形,计算两条平行掩模线段最小间距的算法高效且结果精确:仅需求取两组坐标差值的绝对值,无近似、无误差容限、计算逻辑极简。
曲线掩模不具备这种计算优势。求解两条任意三次贝塞尔曲线的最小间距,属于多元优化问题,不存在高效解析闭式解。现有通用方案只能采用迭代近似算法,不仅算力消耗极高,计算结果本身还存在固有误差。如图2所示,三次贝塞尔曲线带来的核心MRC难题是无法得到精确解;设计规模化MRC流程时,必须在误差容限、近似精度与运行耗时之间做权衡取舍。

图2:左侧曲线掩模需采用多元迭代求解最小间距,右侧曼哈顿掩模仅需基础算术运算。向贝塞尔曲线版图的转型,大幅提升了掩模规则检查的计算复杂度。
引入曲率后,计算复杂度进一步提升,需区分两种场景:同一多边形内部贝塞尔曲线段间距计算、不同多边形之间贝塞尔曲线段间距计算。两类场景均新增约束条件:法向量比对(角度容限校验)、轮廓间距检测。
GPU擅长大规模并行负载,理论上非常适配MRC(每一组曲线对可独立运算)。但传统用于贝塞尔曲线间距求解的经验算法高度依赖递归逻辑,从底层限制了GPU加速落地。
递归运算会产生不可预测的内存访问模式、分支发散执行路径,完全破坏GPU所需的统一并行计算模型。不同线程进入不同递归分支时,GPU流式多处理器会空闲等待所有分支线程运算完成,GPU强大的并行算力无法发挥。
本文提出一套原生GPU架构MRC算法,彻底摒弃递归逻辑,相较传统CPU方案同时实现性能跃升与精度提升。该算法专为GPU并行执行模型设计,规避递归带来的并行失效问题。
根据精度指标不同,本方案相较CPU基准版本实现14~37倍提速,同时计算精度提升一个数量级。如图3所示,针对多边形外部违规场景,误差分布高度集中于零点;超90%的计算误差控制在1个版图数据库单位(dbu)以内,dbu是版图中最小可分辨坐标增量。

图3:三组不同精度指标下,多边形外部违规(左)、内部违规(右)的MRC误差分布直方图。
高度收敛的误差分布证明,本方案数值稳定性媲美甚至优于暴力遍历参考算法。多边形内部违规场景因几何约束更复杂(叠加角度容限、图形内部间距校验),误差分布区间相对更宽。
该算法可原生处理局部角度容限校验,这是传统递归算法难以实现的能力。MRC校验违规项时,不仅要计算曲线间最小间距,还需校验最短距离点处两条曲线的夹角;原生GPU方案可在同一并行框架内同步完成两类耦合计算。
规模化落地MRC流程时,显存容量是首要瓶颈。大尺寸版图分块包含海量待校验曲线对,所有数据必须存入GPU显存,否则会产生高昂的数据传输开销。
本文采用批处理机制化解该限制:将总计算负载切分为多组小子集、依次串行运算。相较无分块方案,显存峰值占用降低一个数量级,在不损失运行性能的前提下大幅节约显存资源。
增加批处理组数可显著降低GPU显存峰值占用,显存需求相较不分块场景下降一个数量级。针对大尺寸版图分块,批处理不会拖慢整体运算速度:任意时刻仅部分曲线对载入显存,GPU流式多处理器仍能保持满负载运行,不同批处理组数下GPU加速倍数基本稳定。
这套原生GPU MRC流程直接解决曲线掩模OPC流程中最核心的算力瓶颈。依托可扩展架构实现算力大幅提升、计算精度同步优化,有效缩短大规模量产场景下曲线掩模OPC总耗时。
算法优势不止体现在运行速度层面:本文提出的去递归架构、智能批处理策略,也为后续各类原生GPU计算光刻算法奠定技术基础。半导体行业持续向更低k1工艺节点演进,同时GPU硬件显存容量不断提升;这套架构设计思路,对未来复杂度持续攀升的掩模版图校验工作具备长期参考价值。
采用曲线掩模的设计团队无需再在校验精度、迭代速度之间二选一;原生GPU方案二者兼顾,扫清曲线型OPC大规模量产落地的关键障碍。MRC校验速度提升14~37倍且精度更高,设计迭代周期大幅缩短,同时掩模可成功投产的收敛置信度显著提升。
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