Aletheia警示：2027年HBM价格有望翻倍

金融机构Aletheia Capital表示，存储厂商美光将在2026至2027年受益于DRAM与HBM价格走高。当下全球算力基础设施扩张带动AI芯片需求旺盛，叠加存储产能受限推高产品售价，美光、SK海力士、三星均已从中获利。该机构提出，短期之内存储芯片将成为AI产业链中价值权重最高的元器件，同时英伟达Vera CPU整机机架的价格也将因此飙升至极高水平。

未来数月服务器DRAM、HBM价格将大幅上涨

Aletheia Capital最新发布研报解读HBM与DRAM行情，此时德国市场最新存储报价显示，6月存储价格再度大幅攀升。数据显示，德国零售端DRAM价格同比涨幅达到三位数，环比涨幅也实现两位数增长。具体来看， 2x 32 GB DDR5-6000 CL28这类产品环比涨价22%；整体DDR5存储芯片6月价格同比大涨419%，较5月同比涨幅再提升5个百分点。

尽管当前存储价格涨幅已十分可观，但Aletheia Capital判断后续仍有巨大上涨空间。机构在最新研报中表示，持续涨价将大幅抬升美光的每股收益。

HBM涨价趋势将延续

Aletheia Capital给出预测，2026年第三季度DRAM平均销售单价（ASP）环比大涨30%，相比此前10%-15%的上调预期大幅上修；机构同时维持原有判断，预计第四季度DRAM价格将再度上涨10%-15%。

与此同时，机构预判未来数月HBM价格也将迎来显著上涨。Aletheia指出，2027年HBM均价同比或将翻倍。机构分析称：“存储器件正逐步成为AI硬件体系里最核心的零部件，2027年存储硬件整体价值占比预计突破70%，而2025年这一数值仅在45%左右。”

存储涨价会推高SOCAAM成本，进而传导至英伟达Vera CPU整机定价。Aletheia测算，受存储高价影响，单台Vera CPU机架成本或将高达2600万美元。

2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅皆破100%

根据TrendForce最新存储器产业研究，由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品，挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能，然而因需求稳定，已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划，预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。

2026上半年终端对存储器产品需求逐步恢复，加上AI相关应用快速成长，大幅消耗市场有限的供给，NOR Flash率先出现交期延长与配货（Allocation）现象，合约价平均累积涨幅将达100-120%，高容量产品涨势更显著。SLC NAND则因部分国际大厂陆续退出小容量及成熟制程产品，供给明显减少，而工控、车用及网通客户又开始建立长期安全库存，导致第二季出现明显备货潮，上半年价格平均累积涨幅将达130-150%。

至于下半年，TrendForce认为，由于全球主要供应商目前皆以制程微缩、提高良率及优化单位晶圆产出为主，无新增产能计划，预期下半年开始，高度依赖长生命周期产品的车用与工控市场将形成长期缺货风险。其中，高容量NOR Flash有车用电子与边缘AI需求支撑，预计下半年价格仍有60-65%以上的调涨空间。而中低容量NOR Flash则可能受供应商产能逐步释放影响，价格涨势趋缓，部分产品甚至进入高档盘整阶段。