不再局限于MLCC，三星电机扩大硅电容布局

三星电机正与多家全球大型科技企业洽谈合作，计划为人工智能服务器供应硅电容（Si-Cap），目前该企业已与日本Murata Manufacturing、中国台湾台积电一同跻身主流供应商行列。三星电机近日在技术研讨会上分享了旗下硅电容技术及商业化布局策略。

三星电机硅电容开发部门高级副总裁兼负责人Kim Won-ki表示：“多家全球知名科技企业正评估采用硅电容产品。当前该市场仅由少数几家供应商主导，因此三星电机也在积极拓展销售业务。”

目前硅电容市场由Murata与台积电占据主导地位。该领域准入门槛极高，企业需同时掌握半导体晶圆工艺技术与无源元件研发能力，这也导致市场供应商数量十分有限。

公司总裁Chang Duck-hyun将硅电容定为布局人工智能市场的核心增长业务。三星电机自去年开始向客户批量供货，正式全面入局硅电容市场。其产品已应用于主流网络专用集成电路厂商Marvell Technology的人工智能加速器，以及三星电子Exynos 2600移动应用处理器封装组件中。

近期，三星电机与一家全球大型科技企业签订了规模达1.5万亿韩元的供货合同，创下公司史上单笔订单金额新高。相关营收预计从2027年开始计入企业财报。

三星电机推出整合硅电容、多层陶瓷电容器（MLCC）与封装基板业务的整体解决方案战略，并将其作为自身核心竞争优势。硅电容可安装在封装基板内部或周边。同时供应两类产品，能让三星电机对封装结构与元器件进行一体化设计和优化。该公司称，自己是业内唯一同时布局无源元件与封装基板两大业务的企业。

在生产模式上，三星电机并未大规模兴建生产工厂，而是采取设计主导的发展策略。企业采用无晶圆厂模式，将晶圆生产交由晶圆代工厂完成，元器件封装工序则外包给半导体封装测试（OSAT）企业。产品设计、测试及品质验证工作均由三星电机自主完成，硅电容的设计研发工作在其水原厂区的元器件事业部门开展。

三星电机的硅电容采用300毫米晶圆进行生产。硅电容是以硅晶圆为原料制成的无源元件，可临时储存电能并按需释放，以此稳定半导体封装内部的电压。传统多层陶瓷电容器依靠堆叠多层陶瓷结构实现容值，而硅电容则是在晶圆上制作微孔，并在孔内设置电极。这种结构可将器件厚度控制在100微米以内。

三星电机表示，硅电容的研发灵感源自DRAM技术。DRAM依靠存储单元内的电容保存数据，该公司仅提取其中的电容结构进行技术演化，将其打造为独立的元器件产品。依托在DRAM电路线宽微缩过程中积累的精密工艺技术，相关经验也直接应用到了硅电容的研发当中。晶圆内部制作的微孔越细密，产品可实现的容值就越高。

各家竞品的技术路线存在差异：三星电机采用基于DRAM的结构，而台积电据悉使用基于逻辑工艺的沟槽结构。三星电机选用存储半导体通用的300毫米晶圆开展量产。

企业预测，硅电容市场年均增速将超过18%。其应用场景正从移动设备，逐步拓展至人工智能服务器、汽车电子、航空航天以及光通信领域。随着封装集成度不断提升、功率密度持续增大，人工智能服务器已成为硅电容最大的需求来源。

Kim Won-ki称：“随着半导体性能不断升级，电压稳压的重要性也愈发凸显。硅电容将持续在人工智能服务器及下一代高性能半导体市场中发挥更大作用。”