
三星电子正考虑在韩国西南部城市光州建设一座先进半导体封装工厂。随着高带宽内存及人工智能相关芯片需求持续增长,此举将进一步扩大其芯片后端制造业务布局。该项目若最终落地,将成为三星在韩国西南部地区打造的首个半导体生产基地,同时也是其近35年来在韩国本土新建的首个封装核心厂区。
目前,三星在韩国的封装业务主要集中在忠清地区的温阳与天安。有消息称,首尔都市圈电力、供水资源紧张,芯片扩产阻力重重,而拟建的光州工厂将把三星的芯片业务版图向南延伸。
三星尚未公布最终决议。该公司对此不予置评,韩国政府也表示企业投资决策应由企业自主决定。
三星此前一直在京畿道的平泽、龙仁两地扩充半导体产能,但如今在首尔都市圈,为人工智能相关芯片生产追加电力供给的难度不断加大。业内考量将项目落地韩国西南部,部分原因在于该区域太阳能、海上风电等可再生能源资源更丰富,供水条件也更为优越。当地政界与民间团体也一直呼吁,希望能争取到更多高端制造业投资。
据悉,三星与SK海力士已于今年5月实地考察多处备选地块,评估新建半导体厂区的可行性,考察范围包括全罗南道长城郡周边、光州尖端3园区以及光州军用机场附近区域。
此次拟在该地区开展的投资,预计将独立于韩国龙仁半导体产业集群。业内消息称,该项目以补充投资为主,主攻先进封装、后端制程及部分生产业务,并非用来取代龙仁园区。
先进封装属于芯片制造的后端环节,是将成品裸片组装为最终芯片产品的工序。如今芯片厂商纷纷通过多芯片集成封装提升产品性能,先进封装的重要性与日俱增。
这项技术对于HBM而言尤为关键。高带宽内存将多颗DRAM芯片垂直堆叠,常与服务器中的人工智能处理器搭配使用。三星正发力拓展高带宽内存市场,与行业龙头SK海力士展开竞争。三星的客户涵盖英伟达、AMD与谷歌。
今年5月,三星表示已向客户送出最新一代12层堆叠HBM4E芯片的样品,产品容量为48GB,相较上一代产品提升超30%。三星HBM4E单引脚稳定运行速率为14Gbps,最高可提升至16Gbps,能够应对日益严苛的数据处理需求。相较HBM4,其速率提升超20%;单堆叠内存带宽最高可达3.6TB/s,可充分释放大语言模型(LLM)与新一代AI系统的运算性能。
高带宽内存等高端存储产品的竞争焦点逐渐转向封装领域,这也是光州被选为先进封装备选地的重要原因。当地现有的封装配套供应商,也能与新投资项目形成产业协同效应。
外界同时也在关注SK海力士是否会跟进在该地区布局芯片后端业务、建设封装相关设施。该企业此前已宣布一项规模达19万亿韩元的投资计划,将在清州市兴建第七座先进封装工厂(P&T7),持续巩固其在忠清地区的产业布局。
业内匿名消息人士透露,韩国总统李在明将于近期与国内大型企业集团负责人举行会谈,三星预计会在6月29日于总统府举办的这场会议上,正式公布光州投资方案。三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源预计都将出席本次会议,会议主题定为“增长战略重大转型”。
在此前的记者会上曾透露,韩国政府很快将推出一批大型投资项目,旨在调整国家增长战略,推动发展机遇在全国范围内均衡分布。韩国《半导体特别法》定于今年8月正式施行,法案不仅扶持兼顾区域均衡发展的半导体产业集群,还配套了专项审批便利政策。
不过目前各项规划仍处于研讨阶段。三星电子与SK海力士均向当地媒体表示,并未和政府就相关投资展开具体磋商,区域投资事宜也尚未敲定。一名韩国政府官员也表态,投资规划属于企业自主决策,政府无法予以证实。
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