淘汰老旧闪存产线，三星华城12号线下半年投产

三星电子正在调整产线布局，以此扩充先进DRAM产能。近期公司已完成华城园区老旧NAND工厂的停产与设备搬迁工作，预计最快今年下半年就能助力DRAM出货量提升。

业内消息称，三星电子本月正式启动华城12号线后端工厂（End-fab）的投产筹备工作。华城12号线原本用于量产2D NAND闪存。2D NAND属于行业内非主流的老旧存储产品，三星此前已决定在今年内停止该产品出货。为此，三星于去年年中敲定这条产线的改造投资计划，计划将华城12号线改造为华城15号线配套的后端（BEOL）工艺产线。华城15号线负责量产1b（第五代10纳米级）、1c（第六代10纳米级）等业内最先进的DRAM芯片。

据悉，这条产线的改造工程从去年下半年启动，已于本月全部完工，预计最快下半年即可投入后端工艺生产。

一位半导体行业业内人士表示：“三星已分阶段完成华城12号线的设备改造，本月该产线2D NAND产能已彻底清零。产线本月正式停产（EOL），今年下半年就能配合15号线投入使用。”

本次华城12号线产线改造，有望加速三星DRAM产能扩充。改造前华城12号线每月可生产10万片晶圆级2D NAND，业内普遍期待，改造为后端工厂后，将大幅提升DRAM整体产能。后端工艺（BEOL）是通过金属布线，连接已完成制备的晶体管等元器件的工序，属于芯片前段制程的最后环节。和其他前段工序相比，后端工艺加工耗时更长，单独设立专用产线能够缓解整体前段制程的产能瓶颈。

目前行业高端DRAM芯片供应极度紧缺。全球大型科技企业持续加码人工智能（AI）基础设施建设，服务器DRAM、高带宽内存（HBM）等高附加值存储芯片需求暴涨。近期随着边缘AI产业发展，低功耗、高能效的LPDDR内存需求也持续走高。

由于存储超级周期，三星电子在产能扩张方面比较积极，规划未来5年在韩国建成4座晶圆厂，分别为平泽2座工厂、龙仁1座工厂、光州1座工厂，并且近期已将该规划告知各大合作厂商。

三星电子近期面向核心合作厂商，就中长期半导体晶圆厂投资方案的落地可行性展开调研问询。三星向合作厂商披露的投资规划具体如下：到2030年，三星计划建成平泽P5、P6（P5二期）、龙仁市南四邑半导体产业集群一号工厂、光州全新一号工厂。

业内预测，SK海力士除龙仁市元三邑半导体产业集群内的Y1、Y2工厂外，同样会在光州新建一座晶圆厂。综合两家企业规划，2026至2030年期间，三星与SK海力士合计将新建7座晶圆厂。

一位半导体行业从业者表示：“三星正在制定包含西南地区在内的中长期设备投资战略，为此对合作厂商开展详尽前期调研，确认各家厂商是否具备承接三星、SK海力士巨额投资项目的配套产能。”

另一位业内人士称：“三星近期通过线上、线下多种形式，与合作厂商研讨光州建厂投资计划。根据洽谈结果，韩国本土设备投资落地速度或将快于此前预期。”

此前，三星电子与SK海力士公布半导体设备投资路线图，两家企业合计投资规模达3200万亿韩元（不含AI数据中心投资）。本次投资核心方向有两点：一是加快在建半导体工厂的设备导入进度；二是大幅提前龙仁半导体产业集群整体建设周期。三星将龙仁工厂完工目标从原定2047年提前至2040年；SK海力士则将完工时间从2045年大幅提前至2033年。两家企业还约定，各自向韩国西南地区投入400万亿韩元，分别建设两座存储芯片前段制程工厂。

如此大规模的设备投资，将带来人力、设备物料需求的大幅激增。半导体行业普遍担忧，三星、SK海力士及其上下游合作厂商的配套承接能力或将触达上限。

业内分析认为，三星近期向合作厂商核查配套承接能力，也与光州建厂规划息息相关。一位半导体设备行业从业者表示：“三星以2030年前落地光州晶圆厂为前提，向合作厂商征询是否有意向在光州当地追加配套投资。但结合当下各家设备厂商产能、光州本地基础设施现状来看，暂时无法确定该计划能否顺利落地。”