三星打造全球首款900层闪存芯片

三星电子已开发出全球首款900层V-NAND闪存芯片原型，这一里程碑使半导体行业向千层时代更近一步，也有望帮助这家韩国企业重新巩固其在NAND闪存存储领域的主导地位。

半导体业界25日消息称，三星近期利用“晶胞多重键合（Cell Multi Bonding，CMB）”技术实现了集成900层级V-NAND系统。该技术将两片450层晶胞晶圆合并为一体。

NAND闪存是存储数据的核心元器件，广泛应用于AI服务器、智能手机以及数据中心存储（SSD）。正如公寓楼的楼层叠加，层数越高，就能在有限的芯片面积内封装更大容量，在存储更多数据的同时最大化能效。

这被视为在AI服务器和端侧AI市场争夺主导权的关键技术。这两大市场对高容量、高效率器件有着极为迫切的需求。

在当前量产市场中，SK海力士以321层4D NAND保持最高层数纪录。然而，三星在准备今年量产其第十代V-NAND（V10，400层以上）的同时，已在研究阶段一举跃升至900层，在下一代NAND市场中占据了有利地位。

对于这一研究成果，三星表示“已验证正常的晶胞工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了器件能够实际正常运行。

自2013年率先将3D V-NAND商业化以来，三星持续改进工艺，突破堆叠极限。过去采用“单次堆叠”工艺，即在一次工序中完成细孔的刻蚀与堆叠，但随着层数不断增加，晶圆翘曲和对准误差等物理限制问题日益凸显。

在实现900层器件的过程中，三星通过采用先进的上卡盘（upper chuck）设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题；键合过程中产生的对准误差，则通过其专有的“新型叠对校正”技术加以克服。此外，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩减了芯片面积。

业内人士表示："900层NAND技术绝非简单的300层乘以三倍，而是一种改变堆叠工艺范式的技术。"他补充道："这向全球客户传递出三星仍是技术领导者的信号。”三星此次推出的原型产品虽尚未准备好投入商业量产，但已释放出明确信号：公司志在引领下一代闪存技术，而非将市场拱手相让于竞争对手。