SK 海力士重磅推出iHBM散热解决方案

SK 海力士今日正式对外宣布，推出专为新一代高带宽内存（HBM）产品量身打造的iHBM 创新散热解决方案。

该方案的核心突破的在于，首次将集成散热元件（ICEs） 直接嵌入高带宽内存（HBM）的封装结构内部，通过重构散热路径的方式，从根源上解决了当前 HBM 技术发展中面临的核心散热难题，为人工智能数据处理、高性能计算等场景的算力升级提供了关键支撑。

近年来，HBM 技术持续向更高堆叠层数、更快数据传输速率演进，旨在通过提升单位空间内的存储密度和数据吞吐能力，匹配 AI 加速器（如 GPU）的算力增长。然而，技术迭代的背后，散热管控问题日益凸显，成为制约 HBM 性能进一步释放的关键瓶颈 —— 随着堆叠层数增加、运行速度加快，HBM 的功率密度大幅提升，产生的热量若无法及时疏导，不仅会导致芯片运行稳定性下降、算力衰减，还可能缩短产品使用寿命，甚至引发硬件故障。

在这一背景下，裸片间物理层（D2D PHY）的功率密度高效管控，成为了定义新一代 HBM 产品核心竞争力的关键因素。作为连接 HBM 基底裸片与 AI 加速器（如 GPU）的核心硬件接口，D2D PHY 是数据高速传输的 “桥梁”，其工作时的功率密度直接决定了整个 HBM-GPU 系统的散热压力和运行效率。传统 HBM 产品由于散热设计的局限性，难以实现对这一核心区域的精准散热，导致热量在此处大量积聚，严重影响了系统的性能上限和稳定性。

针对这一行业痛点，SK 海力士跳出传统散热思路，从产品结构层面进行革新，推出了 iHBM 散热解决方案。与现有 HBM 产品采用的 “间接散热模式” 不同 —— 传统方案需依赖核心裸片作为热量传导介质，散热路径长、效率低，难以应对高功率密度场景下的热量堆积 ——iHBM 方案通过精准布局散热元件，实现了散热效率的质的飞跃。该方案将集成散热元件（ICEs）直接部署在热量最为集中的 D2D PHY 区域，相当于为 HBM 封装开辟了一条专属的 “快速散热通道”，能够直接、高效地将核心发热区域的热量导出。经实测验证，这一创新设计可使 HBM 的热阻降低 30%，即便在高温、高负载的极限运行条件下，也能确保芯片保持稳定性能，有效解决了高堆叠、高带宽 HBM 产品的散热顽疾。

除了核心的散热技术突破，SK 海力士成熟的大规模量产能力，也为 iHBM 方案的快速落地和市场普及提供了坚实保障。作为全球半导体封装技术的领先者，SK 海力士依托其经过市场长期验证的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）技术，构建了高效稳定的晶圆级封装（WLP）工艺体系。这一先进的封装工艺能够在不切割晶圆的前提下，一次性完成芯片的封装与测试流程，不仅大幅提升了生产效率，还能有效缩小芯片体积、优化电气性能，为 iHBM 方案的大规模量产提供了技术支撑。更值得关注的是，iHBM 方案在设计之初便充分考虑了与现有系统的兼容性 —— 其与当前主流的系统级封装（SiP）架构具备高度适配性，客户无需对现有产品设计进行大规模调整，仅需通过小幅优化即可快速集成该散热技术，极大降低了客户的应用门槛和转型成本，加速了 iHBM 方案在市场中的推广应用。

从市场应用前景来看，iHBM 方案的推出将为新一代 HBM 产品的迭代升级注入强劲动力。据悉，该方案将率先应用于 HBM5 等下一代高带宽内存产品中，而这些产品将广泛服务于高性能计算设备、人工智能数据中心等核心场景。随着 AI 技术的持续演进，数据处理规模和复杂度不断提升，数据中心对内存产品的带宽、容量和稳定性提出了更为严苛的要求。

iHBM 方案通过解决散热这一核心制约因素，能够帮助数据中心在实现更高密度部署、更大带宽传输的同时，保障系统的长期稳定运行，进而提升整体运算效率、降低能耗成本，为人工智能技术的持续突破提供坚实的硬件支撑。

SK 海力士封装开发高级副总裁李康旭在发布会上表示：“iHBM 散热解决方案是 SK 海力士将自身领先的内存设计能力与先进封装技术深度融合的成果，是应对当前 AI 时代散热挑战的最优解。面对人工智能行业快速变化的市场需求，SK 海力士将通过前瞻性布局，持续为全球客户提供符合场景需求的核心价值，进一步巩固我们在 AI 内存领域的领导地位。”