美修订《MATCH法案》，最宽泛条款被删除

在行业反对声下，美国议员已修订《MATCH 法案》，缩小了管制范围，并删除了其中一项最宽泛的条款 —— 该条款曾禁止向关注国家的芯片制造商销售低温蚀刻设备。不过，由于现行出口管制措施，关注国家芯片厂商本就无法获得此类设备，因此此次修订在一定程度上仅为表面调整。

消息表示已看到修订后的文件（官方网站暂未公布），新版法案取消了对泛林集团（Lam Research）、东京电子（Tokyo Electron）等企业生产的低温蚀刻设备的全国性出口限制。报道还指出，4 月初版本中提出的多项限制已被删除，但未详细说明。该条款曾因覆盖范围过广、可能影响全球贸易，引发整个半导体设备行业的担忧。

原草案明确将低温蚀刻设备单独列为一类需实施专项出口管制的蚀刻设备。低温蚀刻设备适用于高深宽比、超高平整度的硅片蚀刻，要求将侧壁粗糙度降至最低。此类设备主要用于半导体前道制造，制作高精度硅结构，如先进晶体管架构（FinFET/GAA）及专用 MEMS 器件；也用于需要超高平滑、高深宽比硅蚀刻的研发场景。

根据美国现行出口管制，向海外出口可用于14nm/16nm 级别 FinFET 逻辑芯片制造的设备，必须申请出口许可证；因此低温蚀刻设备自 2021 年起已被纳入美国出口管制范围。现有管制已限制向特定晶圆厂销售先进设备，但被关注国家芯片厂商仍有可能为老旧产线获取此类设备。《MATCH 法案》原本提议直接限制向特定企业发货，因此全面禁止向关注国家出售低温蚀刻设备的做法被认为过于严苛。

法案最新版本保留对美国及外国企业向部分芯片制造商销售先进晶圆制造设备的限制。法案同时保留要求：为受管制工厂提供设备维修服务也需申请许可证。不过，修订版不再一律推定驳回许可证申请，这将缓解阿斯麦（ASML）、东京电子等企业最具争议的担忧之一。