二季度,存储继续涨价

来源:半导纵横发布时间:2026-04-01 16:36
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常规DRAM合约价预计环比仍将上涨58%–63%,NAND Flash合约价预计环比上涨70%–75%。

TrendForce最新存储价格调研显示,2026 年第二季度,DRAM 厂商正将产能转向HBM与服务器应用,并通过补涨定价缩小各产品线价差。尽管终端市场出货存在下行风险,常规DRAM合约价预计环比仍将上涨58%–63%。

与此同时,NAND Flash 市场持续受 AI 与数据中心需求拉动,涨价已蔓延至全产品线。整体来看,2026 年第二季度 NAND Flash 合约价预计环比上涨70%–75%。

细分DRAM各产品线价格趋势可见,供给持续偏紧对价格形成支撑。尽管 PCDRAM整体系统需求已下修,但供应商同步削减了对 PC OEM 与模组厂的出货量。由此,配额满足率较低的 OEM 厂商被迫以更高价格向原厂或模组商采购,进一步支撑了价格上涨。

北美云服务提供商(CSP)正加速 AI 推理部署,带动 AI 服务器与通用服务器需求攀升,高容量 RDIMM成为主要采购目标。供给端,受更高利润率驱动,供应商持续优先保障服务器DRAM产能,并与核心客户洽谈长期合约(LTA)以支撑未来扩产。但短期内供给依旧紧张。

智能手机领域,终端品牌持续面临存储器成本上涨压力,或自 2026 年第二季度起调整生产计划。不过上半年移动DRAM需求预计不会大幅萎缩。随着供应商与核心客户敲定二季度价格、确立涨价基准,并通过补涨缩小不同应用间价差,移动DRAM合约价预计环比继续走高。

显卡DRAM方面,存储器成本上涨压制笔记本与游戏设备需求,同时 GDDR 产能分配有限导致供给受限,预计 2026 年第二季度价格将进一步上涨。

消费级DRAM方面,客户主要聚焦低成本、走量的低毛利产品。2025 年初以来的持续涨价已导致部分产品成本高于售价,采购需求略有放缓。但主流供应商逐步退出消费级DRAM市场仍是供需失衡的核心原因,供给短缺局面尚未缓解。

AI算力竞赛加剧,产能挤压持续推高NAND Flash价格

2026 年第二季度,尽管 NAND 厂商通过工艺升级与提高 QLC 占比提升比特产出,但涨幅依然有限。AI 服务器需求保持强劲,而 PC 与手机厂商被迫下调产品存储容量以抑制 NAND 需求。尽管 PC 市场尚未回暖,买家对客户端 SSD 涨价预期持续升温,同时担忧服务器需求将耗尽全部可用产能,因而开始提前补库存。与此同时,供应商在二季度继续严控客户端 SSD 供给,以维持价格、实现利润最大化。

随着生成式 AI 进入大规模普及阶段,高性能企业级 SSD 需求大幅增长,订单未见放缓。预计 2026 年将出现明显缺货,实质性产能扩张或要等到 2027 年底至 2028 年。云服务商愿意接受更高价格并签署长期合约以保障稳定供货,进一步强化了供应商的定价权。

eMMC/UFS 方面,尽管智能手机市场疲软,但旗舰机型 AI 功能带动的高速传输需求刚性较强,汽车与工业领域需求也温和复苏。供给端,eMMC/UFS 与企业级 SSD 工艺产能共享,但毛利率显著偏低,导致其成为所有产品线中供给缺口最大的品类,预计 2026 年第二季度价格将大幅上涨。

零售市场、存储卡及 U 盘需求在涨价压力下持续萎缩,模组厂面临成本与销售双重压力,进而减少对 NAND 晶圆的采购。考虑到库存调整与盈利因素,晶圆成为供应商出货优先级最低的品类。在市场供给极度有限的驱动下,二季度晶圆价格预计仍将上行。

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