三星电子、SK海力士，在华投资飙升

据韩媒报道，三星电子与SK海力士正对中国工厂进行大规模设备投资，同步提升工艺水平与生产能力。在全球人工智能投资热潮推动下，存储器芯片供应短缺问题日益加剧，两家韩企正动员包括中国工厂在内的所有产能扩大供应。三星与SK海力士希望通过大规模投资，改善NAND Flash与DRAM生产工艺，实现芯片供给扩大与盈利能力提升。

据金融监督院消息，三星电子去年对中国西安工厂投资4654亿韩元，较 2024 年（2778 亿韩元）增长 67.5%。中国西安工厂是三星电子唯一的海外 NAND Flash 生产基地，承担着三星约40% NAND 总产量。三星电子曾在 2019 年向西安工厂投资约 6984 亿韩元，此后 2020 至 2023 年间未进行大规模追加投资。但该公司在 2024 年重启投资，投入 2778 亿韩元，去年进一步将投资额提升至 4654 亿韩元，对当地产线进行升级。

SK 海力士去年也向中国无锡的 DRAM 工厂与大连的 NAND Flash 制造子公司投入超 1 万亿韩元。其中仅无锡 DRAM 工厂就获得 5810 亿韩元投资，较 2024 年（2873 亿韩元）大增 102%；大连 NAND 工厂投资额为 4406 亿韩元，同比增加 52%。这是SK海力士自2022年收购英特尔大连 NAND 工厂以来，首次对中国工厂实施万亿韩元级别的集中投资。

作为全球存储芯片双巨头，三星电子与SK海力士积极加码中国生产设施，其背后原因是源源不断涌入的存储芯片订单。当前存储市场正面临严重的供应短缺，DRAM 与 NAND Flash 今年计划产量已基本 “售罄”。随着 AI 服务从单纯搜索向需要更多推理与学习的智能体（Agentic）方向演进，高性能 DRAM 需求持续攀升，用于处理信息的 AI 数据中心所需的超高规格存储器订单也呈现爆发式增长。

瑞银证券预计，今年全球半导体市场规模将较去年扩大40% 以上，达到1万亿美元。叠加中国 AI 基建投资带动，内需同样强劲。中国存储芯片市场规模去年已接近 4580 亿元人民币，预计今年将进一步扩大。三星电子与SK海力士仅依靠韩国本土产能已无法满足全球需求，因此正通过升级中国生产基地来扩大供应。三星计划通过此次大规模追加投资，将西安 NAND 工厂的主力工艺从 128 层（6 代）升级至 236 层（8 代）。

一位业内人士表示：“为防止核心技术外泄，海外工厂通常会比韩国本土落后约2代工艺。三星今年计划在韩国本土量产 400 层（10 代）NAND 产品，因此中国工厂向8代工艺切换的速度将会加快。”

据了解，SK海力士近期已顺利完成其中国无锡工厂的制程升级，将DRAM生产节点从原有的1z 工艺全面转向更先进的1a 工艺。目前，无锡工厂的DRAM月产能约为18万至19万片12英寸晶圆，其中约90%已完成向1a制程的转换。在DRAM工艺中，1z代表10纳米级别第三代制程，1a则属于第四代。此举将使无锡工厂能够大规模量产第五代双倍数据率（DDR5）等高附加值产品，预计将对业绩改善形成重大贡献。业内人士表示：“占据SK海力士整体DRAM产量30% 以上的无锡工厂，已转型为高附加值产品生产基地。大连工厂也将通过扩大投资改善财务结构，提升生产效率。”