苹果基带，被曝使用FD-SOI工艺

近期独立拆机与技术分析证实，为苹果最新款 iPhone 17、iPhone 17 Pro 及 iPhone 17 Pro Max 提供支持的 5G 毫米波天线模组，采用了全耗尽绝缘体上硅（FD‑SOI）衬底技术。

行业情报机构 Yole Group 与 TechInsights 近期对毫米波集成模组——高通 QTM565 进行了深度拆解。据 TechInsights 研究报告《Qualcomm HG11‑34443‑2 (QTM565) FR2 收发前端芯片射频集成电路工艺分析》，并经 Yole Group 元器件分析佐证，高通 QTM565 模组采用格芯22FDX 射频工艺，而该工艺从根本上基于Soitec先进的 FD‑SOI 衬底。同款芯片已集成于 iPhone 17 的毫米波封装天线（AiP）方案中，这也凸显出 FD‑SOI 衬底在旗舰手机毫米波射频集成电路中的应用。

SemiWiki.com创始人丹尼尔・内尼（Daniel Nenni）表示：“这些发现凸显出行业正朝着高度集成的 5G 毫米波SoC方向重大转型，在这一领域，相控阵单元间距与面积限制至关重要。”

TechInsights 报告摘要指出，FD‑SOI 器件经过独特设计，可在毫米波频段高效工作，让单片式、高度集成的相控阵收发SoC能够应用于高端消费电子设备。

作为高通 QTM565 的基础衬底，FD‑SOI 技术实现了全集成式 5G 毫米波SoC。对于苹果、高通等厂商而言，该技术带来了多项关键优势。首先是微型化与占位面积优化，相较于同类竞争技术，FD‑SOI 在逻辑缩比上具备显著优势，可让设计人员将基带、控制逻辑与射频前端集成在单一裸片内，减少物料清单、缩小电路板面积，并大幅降低互连损耗。

其次是功耗效率，该平台可在低电压下工作，延长移动设备续航时间。其固有的低噪声模拟器件特性与出色的器件匹配度，在不牺牲功耗的前提下实现峰值性能。

第三是射频性能，正如 TechInsights 报告中提及的毫米波硅基验证芯片所证实，FD‑SOI 能够满足 5G Sub‑6 GHz 与毫米波网络对高频段的严苛工程要求。

FD‑SOI 技术在旗舰 iPhone 17 系列中的集成应用，凸显了该衬底在未来移动连接中的核心地位：既满足现代移动设备所需的微型化要求，又能实现更长续航与极致功耗效率。

值得一提的是，苹果刚刚宣布推出 iPhone 17e，搭载新一代A19芯片，起步容量256GB。iPhone 17e 配备苹果自研最新一代基带芯片 C1X，网速较 iPhone 16e 所搭载的C1最高提升2倍。4800 万像素融合式摄像头可拍摄新一代人像照片，以及 4K 杜比视界视频。该镜头还能实现光学级 2 倍长焦效果，相当于一机双摄。

6.1 英寸超视网膜 XDR 显示屏采用超瓷晶面板 2，抗刮擦性能较上一代提升 3 倍，同时减少眩光。支持 MagSafe 磁吸充电，用户可享受快速无线充电，并接入充电器、保护壳等庞大的配件生态系统。当 iPhone 17e 用户处于蜂窝网络与 Wi‑Fi 覆盖范围之外时，苹果卫星通信功能，包括卫星紧急求救、卫星道路救援、卫星信息、卫星查找，可在关键时刻帮助用户保持连接。