NOR FLASH火了

闪存包括NOR Flash（或非闪存）和NAND Flash（与非闪存），其中NAND Flash占据闪存市场95%以上份额。NOR Flash（或非闪存）凭借独特的技术特性，在工业、汽车等专业领域占据一席之地。作为非易失闪存的两大核心技术路径之一，NOR Flash历经数十年发展，在物联网、汽车电子、AI服务器等新兴场景的驱动下，正从“小众利基市场”迈向“高成长赛道”。

而在这一浪潮中，本土MCU企业的布局尤为关键。以中微半导为代表的本土企业，正凭借MCU赛道的技术与客户优势，加速切入这一高成长领域，推动NOR Flash从“小众刚需”向“规模化应用”迈进。

NOR Flash的发展始于上世纪80年代，1988年相关技术率先由东芝的富士雄研发，后经Intel推动产业化，彻底打破了此前EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory，电可编程序只读存储器）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory，电可擦只读存储器）一统只读存储器市场的格局。紧随其后的1989年，东芝推出NAND Flash，二者形成鲜明互补：NOR侧重代码存储，而NAND Flash以高存储密度、低成本为优势，主导大容量数据存储。 

NOR Flash的特点是采用并行寻址结构，芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，无需加载至系统RAM，且具备长数据保留时间、耐热、低功耗、擦写寿命长（约10万次）等特性。尽管其存储密度低、单位容量成本高，写入与擦除速度较慢，但在小容量、高可靠性、快速响应的场景中具有不可替代性，早期主要应用于功能机等设备的固件存储，如今已逐步拓展至更广泛的专业领域。

而NAND 由于具备极高的存储单元密度，可实现高存储密度，且写入、擦除速度表现优异；其落地应用的的困难在于需要配套专用的系统接口完成闪存的高效管理。读写性能上，NOR 的读取速度略优于 NAND，而 NAND 的写入速度则远胜 NOR。

多领域需求驱动NOR Flash量价齐升

随着物联网、汽车电子、人工智能等产业的快速发展，NOR Flash的应用场景持续拓宽，市场需求迎来爆发式增长，推动其从细分领域走向规模化应用。

在物联网与AIoT领域，MCU（微控制器）的应用也越来越广。早期MCU通过内置EEPROM或外置小容量NOR Flash即可满足需求，但随着智能设备功能不断丰富，系统升级、音频存储、GUI图片显示、视频缓存、协议栈等需求催生了更大容量的存储需求，MCU配套的NOR Flash也逐步向更高容量升级。

人工智能趋势下，端侧AI需求爆发进一步放大了这一趋势，AI耳机、智能手环、AR/VR设备、智能音箱、具身智能机器人、AI玩具等终端产品，对存储的快速响应能力和可靠性要求极高，且多数场景无需大容量存储，恰好契合NOR Flash的技术优势。比如，TWS耳机（内置1颗NOR以存储系统代码）、智能手表/手环（内置/外置1颗NOR）、AR/VR（通常配置1颗NOR）等可穿戴设备市场快速发展，带来巨大的NOR Flash潜在需求量。

汽车电子领域的增长同样迅猛。数字座舱、自动驾驶（ADAS）的快速发展，推动车载存储需求持续攀升。NOR Flash的即时启动（instant-on）特性，使其成为汽车仪表板的理想选择。相较于NAND Flash，其长数据保留、耐热、快速启动代码的优势，完美匹配车载场景的严苛要求。

而整个ADAS系统对NOR Flash的需求则更大。由于ADAS功能的复杂化正在推动智能传感器的普及，如前置摄像头、成像雷达，甚至激光雷达，因此需要大量高密度NOR Flash。特别是进入自动驾驶时代之后，每颗摄像头、雷达均需要一颗存储芯片与其配套使用，摄像头和雷达会将所感知到的路面信息写入存储芯片中，并通过专有算法对写入的数据进行运算、分析，快速做出紧急避让、制动等操作，这一需求只有NOR Flash能够胜任。

AI服务器的爆发式增长，成为NOR Flash需求的“超级引擎”。HBM4（高带宽内存）技术架构的革新，使得DRAM堆叠层数从HBM3的12层跃升至16-20层，其物理结构与电源管理逻辑更为复杂。NOR Flash承担着AI服务器系统初始化、安全启动和固件存储的核心功能，能够满足HBM4每层DRAM独立电源管理与初始化的需求。随着AI服务器从HBM3E向HBM4升级，单台设备的NOR Flash用量从1-2颗增至3-5颗，行业数据显示用量增幅达50%。在AI训练集群中，系统需频繁、可靠地调用底层指令，NOR Flash的低延迟、高可靠性使其成为不可替代的部件。

需求的持续火爆也引发了涨价潮。中微半导1月27日发布涨价通知函称，受当前全行业芯片供应紧张、成本上升等因素的影响，封装成品交付周期变长，成本较此前大幅度增加，框架、封测费用等成本也持续上涨。鉴于当前严峻的供需形势以及巨大的成本压力，经过慎重研究，决定于即日起对MCU、Nor flash等产品进行价格调整，涨价幅度15%~50%。

本土MCU企业布局NOR Flash的战略逻辑

日前，国内MCU龙头中微半导正式官宣首款非易失性存储器芯片CMS25Q40A，以4M bit低功耗SPI NOR Flash产品敲开存储领域大门，开启“MCU+存储”布局。

MCU与NOR Flash是天然“黄金搭档”。绝大多数搭载MCU的嵌入式设备，都需要外挂NOR Flash存储程序。这一天然协同性，也推动了本土MCU企业纷纷切入NOR Flash领域，成为产业发展的重要趋势。

NOR Flash与MCU在半导体设计及制造工艺层面具备天然共通性，二者同属嵌入式系统核心芯片，均需攻克低功耗设计、高可靠性保障、嵌入式存储优化等关键技术。企业依托在NOR Flash领域沉淀的工艺经验、IP资源储备及客户渠道优势，可高效推进MCU产品研发，落地“存储+控制”平台化战略，显著降低研发成本与市场风险。这一战略已得到多家企业实践验证：兆易创新、恒烁股份均明确将自身定位为“存储+控制”领域服务商，借助NOR Flash的渠道协同效应拓展MCU业务；普冉则推行“存储”与“存储+”双轮驱动战略，一方面持续完善原有存储产品线的全系列布局，强化工艺性能领先优势，聚焦中高端工控、车载客户拓展及新增领域增量机会，为市占率提升筑牢产品根基；另一方面，“存储+”板块下的MCU与VCM Driver产品快速打响品牌知名度，实现业务持续高速增长。

本土MCU企业布局NOR Flash有三大原因：

一是完善产品生态，强化客户粘性。MCU作为智能设备的核心控制芯片，通常需外挂存储芯片存储程序代码、配置参数等关键数据。若MCU企业实现NOR Flash自主供给，可构建“MCU+Flash”一站式解决方案，不仅能有效降低客户采购成本及供应链管理难度，更能通过产品协同绑定客户需求，显著增强客户粘性。

二是拓展业务边界，挖掘新增量。尽管NOR Flash市场规模不及DRAM、NAND Flash，但在汽车电子、工业控制、物联网设备等领域具备不可替代性，尤其适配小容量、低功耗应用场景。MCU企业可凭借既有的客户资源与技术积累切入该领域，突破原有业务边界，挖掘细分市场新增长点。

三是把握国产化机遇，抢占细分市场。全球NOR Flash市场长期由华邦、旺宏等国际厂商主导，近年来国产企业市场份额逐步提升，国产替代趋势显著。MCU企业可顺势而为，以中小容量产品为切入点，避开与头部厂商在高密度、车规级产品上的直接竞争，精准抢占细分市场份额。

当然，新进入者也面临不小挑战：NOR Flash市场已形成兆易创新、普冉股份等头部企业，新玩家需在性能、成本、可靠性上实现突破；产品系列化需持续投入大量研发资源，可能影响MCU传统业务的迭代速度；同时，市场受产能、需求波动影响较大，价格起伏可能冲击企业盈利能力。

不难看出，MCU企业布局NOR Flash，是依托技术协同、把握国产化机遇的战略选择，已成为近年来半导体行业的重要发展趋势，同时也需应对市场竞争与资源分配等多重挑战。

3D NOR闪存：非易失性存储革命

为了适应人工智能、智能汽车等产业发展，HBM、HBF、HBS等各类堆叠方案层出不穷。而在NOR Flash领域，这些应用也对更高密度、更快访问速度和更高可靠性的闪存提出更高要求。传统2D NORFlash已近接物理和性能极限，其平面架构限制了其可扩展性。

3D NOR Flash通过垂直堆叠存储单元，彻底解决了2D架构的可扩展性难题。以旺宏电子（Macronix）的产品线为例，2D NOR Flash单裸片最大容量仅为512Mb，若需更高密度需采用多裸片系统级封装（SiP）；而3D NOR Flash单裸片容量可达到4Gb，存储密度实现跨越式提升。这一特性使其成为有限物理空间内需要大量非易失性存储场景的理想选择，能够减少终端设备对eMMC和NAND等多存储器件的依赖。

除了存储密度的提升，3D NOR Flash还具备更短的访问延迟，显著优化了设备启动性能，这对于汽车仪表板、AI服务器等需要近乎即时访问存储数据的应用至关重要。随着3D NOR技术的成熟与量产，其将进一步满足汽车电子、AI服务器等高端场景的高性能需求。

从技术迭代到需求爆发，从本土突围到产业升级，NOR Flash在多领域刚需的推动下，成为半导体产业中极具增长潜力的黄金赛道。未来，随着3D NOR等技术的持续突破，以及国产化进程的加速，NOR Flash市场将迎来更为广阔的发展空间。