巨头抢滩，HBM4倒计时

2026年将是存储巨头又一个里程碑之年，而这场跃迁的核心赌注，落在了HBM4身上。

SK海力士在2025年财报会上宣布，其HBM4已于9月完成开发并启动量产，2026年全面放量；三星在2026年新年致辞中直言：“我们的HBM4展现了真正的差异化竞争力，甚至有客户感慨：Samsung is back。（三星回来了）”；美光则在2025年9月的电话会议中确认：HBM4将于2026年Q2正式量产出货，下半年进入产能爬坡。

HBM4的量产冲刺，已在2026年初正式启程。

HBM4，亮相

截至目前，美光、三星和SK海力士均已通过不同活动展示了各自的HBM4产品。

SK海力士：16层堆叠 + MR-MUF + 台积电逻辑芯片

SK海力士正式展示了其新一代HBM4高带宽内存，采用16层堆叠、容量达48GB。相比此前推出的12层36GB版本（曾以11.7Gbps的速率创下行业纪录），新器件在容量和带宽上均有明显提升，整体带宽突破2TB/s。

MR-MUF的优势

实现16层堆叠的同时，还要满足JEDEC对HBM封装总高度不超过775微米的要求，这对制造工艺提出了极高挑战。SK 海力士的一大亮点是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技术：通过将单颗DRAM晶圆减薄至仅30微米，并在一次回流焊过程中完成多层芯片的垂直互连，既提升了集成密度，也增强了结构稳定性。SK海力士16层HBM4器件的另一大亮点是，与台积电合作将12纳米逻辑芯片集成到HBM4芯片的基础芯片中，作为HBM4堆栈的控制逻辑或“大脑”。

三星：1c DRAM + 混合键合 + 全流程自研

与SK海力士和台积电合作生产HBM4逻辑芯片不同，三星是在自家4nm工艺上生产逻辑芯片，并且在同一厂区内完成3D封装。三星是目前唯一在自有晶圆厂完成DRAM、逻辑芯片制造及3D封装全链条的HBM4供应商。

封装技术上，三星未采用MR-MUF，而是加速推进混合键合技术；同时，三星在HBM4 的另一个突破在于选择采用1c DRAM工艺技术。三星的HBM3和HBM3e都是基于1a纳米制程的DRAM，到了HBM4采用1c DRAM工艺技术以形成对SK海力士的竞争优势。（SK海力士、美光目前仍采用1b DRAM工艺）。三星电子内情的相关人士透露，三星电子1c DRAM良率已接近60%，超过盈亏平衡点，为量产奠定基础。

2025年底，三星已完成HBM4的量产准备认证（PRA），产品达到内部量产标准，正加速推进进入英伟达供应链的进程。在博通主持的技术性测试中，三星HBM4运行速度达到中低段11Gb/s水平，表现位列三大存储厂商之首。

此外，三星计划在2月举行的ISSCC（国际固态电路会议）上发布一款更高性能的HBM4芯片。其首款36GB HBM4带宽为2.4TB/s，新款产品带宽预计将达3.3TB/s，较上一代提升37.5%。

美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地芯片 + 台积电逻辑芯片

美光财报

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在2025财年第四季度及全年财报中证实，公司新一代HBM4内存将于2026年推出，多项性能指标超越JEDEC基础规范。

美光12层堆叠的HBM4正按计划推进，以支持客户平台的扩展。近期，美光已向客户交付HBM4样品，其带宽超过2.8TB/s，数据速率突破11Gb/s，处于行业领先水平。美光科技声称，新款HBM4产品在性能和效率方面将超越所有竞争对手。美光CEO表示：“我们成熟的1b DRAM、创新且节能的HBM4设计、自主研发的先进CMOS基地芯片以及先进的封装技术，是成就这款一流产品的关键所在。”值得一提的是，美光的HBM4E将与台积电合作生产逻辑芯片（对，和SK海力士类似），计划会在2027年上市。

产能格局，分化加剧

主要DRAM供应商的DRAM晶圆加工能力（月产量，单位：千片）和TSV工艺晶圆加工能力（月产量，单位：千片）。所有数据截至年底。来源：2025年FMS会议论文集，TrendForce

据TrendForce预测，预计到2025年底，三大DRAM厂商的DRAM晶圆加工能力（月产量）分别为：三星电子65.5万片，SK海力士54.5万片，美光科技34万片。其中，采用TSV工艺（HBM）的晶圆加工能力（月产量）预计分别为：三星15万片，占DRAM总产量的23%；SK海力士15万片，占28%；美光5.5万片，占16%。

预计到2026年底，三大DRAM厂商的DRAM晶圆加工能力（月产量）分别为：三星67万片，同比增长1.5万片；SK海力士 60万片，同比增长5.5万片；美光36万片，同比增长2万片。其中，SK海力士的产能增长尤为显著。

SK海力士采取“HBM3E+HBM4”双代并行策略，在巩固当前市场优势的同时，全力冲刺下一代产品。目前已锁定2026年全部DRAM与NAND产能的客户需求，预计全年DRAM出货量同比增长超20%，管理层判断HBM供应紧张局面将持续至2027年。

美光对HBM市场的长期前景保持高度乐观。其CEO在2025年底业绩电话会上表示，预计2025年至2028年全球HBM总潜在市场（TAM）复合年增长率（CAGR）约为40%，规模将从350亿美元增至1000亿美元。为抓住这一窗口期，美光计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。

面对AI驱动的爆发性需求，三大厂商正以前所未有的力度推进产能建设。

全球布局加速

我们梳理一下各家存储大厂的制造基地布局。

SK 海力士

SK 海力士目前在全球设有多个半导体生产基地，主要分布在韩国、中国和美国，从分布来看，最尖端的HBM和先进制程DRAM集中在韩国，成熟DRAM依赖中国无锡厂支撑，而美国工厂主攻先进封装。

重点来看韩国这边，SK海力士在利川有三家工厂：M10、M14和M16。M10工厂聚焦基础DRAM和HBM晶圆制造，2025年完成产线改造（M10F），承担HBM内存封装任务；M14工厂与M16厂协同扩产，最新建成于2021年的M16工厂主要专注于生产DRAM产品。

在韩国清州地区，SK 海力士有M15工厂，主攻NAND闪存制造，是清州园区的核心生产设施。配套还有M15X工厂，是M15扩建计划的一部分，生产HBM，2025年Q4投产，总投资20万亿韩元。

最新进展显示，SK海力士已将M15X的量产时间从原定的2026年6月大幅提前至2026年2月，初期月产能约1万片，目标到2026年底提升至5.5万–6万片。该厂将同时生产HBM3E与HBM4，并已通过1b DRAM工艺认证。值得注意的是，M15X还将为下一代HBM4E铺路，未来将导入10nm级第六代（1c）DRAM技术。

此外，在清州地区SK海力士今年会投资19万亿韩元，建设一个P&T7工厂。主要面向HBM等AI内存的需求的先进封装后端晶圆厂。这个晶圆厂占地面积7万坪（约合 23.14 万平方米），计划于 2026 年 4 月开工建设，预计于2027 年底竣工。其将与SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圆厂构成有机整体。

更长远看，SK海力士在京畿道龙仁市启动了规模空前的龙仁半导体集群项目，规划四座大型晶圆厂，总投资高达600万亿韩元。首座工厂已于2025年2月动工，预计2027年5月投产。

在美国方面，SK 海力士在印第安纳州准备建设一个先进封装中心，投资38.7亿美元，负责半导体产品的封装和测试，计划于2028年下半年开始运营。

在中国有两家工厂，一家在无锡、一家在重庆。其中无锡厂是SK海力士的存储芯片生产主力之一，占其全球DRAM总产量的30%–40%。目前该厂12英寸晶圆月产能达18万–19万片，已升级至1a工艺。

三星

三星在美国和韩国都有工厂。韩国这边，华城工厂位于京畿道华城市，是三星在韩国的重要存储芯片生产基地，主要生产DRAM和NAND Flash存储芯片。器兴（Giheung）工厂是三星早期建立的晶圆厂，主要生产成熟工艺节点的存储芯片及相关半导体产品，支持从350纳米到8纳米的工艺，为三星存储业务提供基础产能支持。平泽工厂是三星存储业务的战略核心。该基地已建成P1至P4晶圆厂，并正在重启P5建设（预计2028年投产）。其中，P4工厂被明确指定用于1c DRAM的量产，计划用于HBM4等高端存储产品。

同时，三星在美国有奥斯汀和泰勒晶圆厂，奥斯汀主要生产65nm至14nm逻辑芯片，产品应用于移动设备、通信等领域；泰勒专注于先进制程芯片生产，准备生产特斯拉AI6芯片（预计基于2nm工艺）。

据韩国《每日经济新闻》报道，英伟达团队已访问三星，通报了HBM4系统级封装（SiP）的测试结果。结果显示，三星HBM4在运行速度与功耗效率两大核心指标上，表现优于所有竞争对手。“与HBM3E时期不同，我们在HBM4开发上处于领先地位，”一位三星内部人士表示。

据悉，三星正综合评估平泽P4产线的扩产进度与交付能力，计划于2026年第一季度敲定最终供应合同，并于第二季度启动正式量产交付。

美光

前两天，美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示：“我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。”

Bhatia在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的HBM（高带宽存储）“消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域，例如智能手机和个人电脑，出现巨大的供给缺口”。

在HBM的巨大需求下，美光同样也在疯狂扩产。美光的HBM工厂分布在新加坡、日本、美国，其中大多都是新建工厂。

去年年初，美光就在新加坡投资70亿美元，准备建设一家专门的HBM先进封装工厂。这个工厂原计划是2026年开始运营，并且从2027年开始扩大美光的先进封装总产能。

后来，美光又宣布在日本建广岛工厂，这家则是专门生产HBM芯片。工厂在2025年5月正式动工，预计2028年左右实现HBM芯片的规模化出货。该工厂将采用先进制程技术，是美光自2019年以来规划的首个新生产基地。当然，日本政府说要给美光的新工厂提供最多5,360亿日元的补贴（约合人民币259亿元）。

之前，美光承诺将其40%的DRAM制造产能转移到美国本土。

在美国，美光投资了1000亿美元建设的大型晶圆厂综合体，规划四座晶圆厂，其中两座已动工，预计2030年开始投产。今年1月，美光在纽约州奥农多加县为其晶圆厂举行正式开工仪式。之前美光还宣布，还会在自家总部的爱达荷州博伊西市建设第二座内存制造工厂，提升美国国内半导体生产和研发能力。

从新建工厂来看，进程在明后年才能实现投产。面对当下的生产需求，美光决定直接买工厂。也就是最近宣布的，以18亿美元现金收购力积电苗栗铜锣P5晶圆厂，交易预计于2026年第二季完成。

在铜锣厂之前，美光已收购AUO台南厂2座、AUO Crystal在台中的厂房，以及Glorytek的台中厂房，作为Wafer Probe（晶圆测试）、Metallization （金属化）、HBM TSV等各项用途。此外，美光还规划将部分新加坡NAND Flash无尘室改用于DRAM Metallization。

值得一提的是，虽然SK海力士和美光都在积极扩张产能，但三星的扩张步伐却显得较为谨慎。据TrendForce预测，预计到2026年底，三星的TSV工艺（HBM）晶圆加工能力（月产量）将与去年持平，为15万片；SK海力士的产能将同比增长5万片，达到20万片；美光的产能将同比增长4.5万片，达到10万片。