LG电子HBM混合键合机,开始制造Alpha机

来源:半导纵横发布时间:2026-01-12 15:45
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HBM
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该设备的商业化目标时间节点在2028年至2029年左右。

经证实,LG 电子正在打造HBM用混合键合机的Alpha版本。

知情人士透露:“LG 电子与产业通商资源部合作开展课题共同研发的混合键合机,目前正处于Alpha机制作阶段,由Jystem负责该系统的整体集成工作。”

LG电子生产技术院自去年6月起,参与了由产业通商资源部主管的 “产业需求联动HBM高性能半导体超高集成混合键合堆叠设备研发” 课题。该课题总投入规模达140亿韩元,其中包含75亿韩元的政府扶持研发资金。除LG电子外,还有课题主导方Jystem、仁荷大学朱承焕教授团队、Concept Systems、庆北科技园等机构参与其中。

Alpha机是设备制造商为内部测试而打造的试验机(原型机)。据了解,目前各课题参与机构已完成HBM用混合键合机核心技术的概念验证,正处于制作测试用设备零部件并进行集成的阶段。

另一位半导体业界相关人士也证实:“确实在制作Alpha机,同时还在并行开展键合适配性验证工作。” 键合适配性验证旨在确认混合键合机能否以目标精度顺利完成作业。据悉,在组装Alpha机的过程中,团队正利用已完成的键合头(bonding head)等核心模块,测试实际的混合键合流程。

LG电子生产技术院凭借自身拥有的运动控制技术,研发出了对齐精度较高的键合头;Jystem负责实现混合键合机的接合机制,并统筹整个设备的开发工作;Concept Systems 则利用3D打印技术承担各类键合设备零部件的研发;仁荷大学与庆北科技园负责制定混合键合机的评估标准,并对接合可靠性等进行检测。

庆北科技园相关人士表示:“计划从今年起启动混合键合机的验证流程。”

产业通商资源部的HBM用混合键合机研发课题周期为4年,从去年持续至2029年。产业部对该HBM用混合键合机提出的核心技术指标首先是 ±200 纳米(nm)的键合精度(目前市场上销售的Besi量产型混合键合机精度为 ±100nm);其次需达到国际标准化组织(ISO)规定的ISO 3级洁净度(即每立方米空间中粒径大于 0.5 微米的颗粒物数量不超过35个);同时还需具备3D芯片与大面积晶圆基板的精密对齐及堆叠能力,并设计相应的视觉光学系统;此外,还需应用可高效、无损伤拾取超薄HBM芯片(裸片)的ejector・pickup技术。

半导体业界相关人士分析:“或许是因为课题周期较为充裕,目前项目推进速度并不算快,预计将在课题周期结束前后完成研发。” 该人士补充道:“虽然课题名义上是研发HBM用混合键合机,但实际上瞄准的是逻辑半导体市场 ,因为课题结束3年后,这款设备在HBM用混合键合机市场可能已缺乏竞争力。” 据悉,韩国多家设备厂商计划在1~2年内推出混合键合机产品。

LG电子相关人士回应:“LG生产技术院研发的HBM用混合键合机属于国家课题,不能随意更改用途,预计商业化目标时间节点在2028年至2029年左右。”

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