台积电2纳米，如期量产

台积电官网显示，2纳米（N2）技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片（Nanosheet）晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步。台积电公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。

台积电公司N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构，将提供全制程节点的效能及功耗的进步，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因持续强化的策略，进一步扩大台积电公司的技术领先优势。

有报道发现，台积电官网相关部分在11月21日时的描述仍然为“开发依照计划进行并且有良好的进展”，而该网页的逻辑制程路线图最近更新日期为今年12月16日，因此官方确认量产的时间距今不久。

值得一提的是，根据路线图显示，台积电A16制程计划将在2026年量产，而A14制程将在2028年量产。

官网显示，台积电A16技术，结合领先的纳米片晶体管及创新的超级电轨（Super Power Rail，SPR）解决方案以大幅提升逻辑密度及效能。SPR将供电线路移到晶圆背面，以在晶圆正面释放出更多讯号线路布局空间，来提升逻辑密度和效能。SPR也能大幅度降低压降（IR Drop），进而提升供电效率。更重要的是，独特的背面接面（Backside Contact）技术能够维持与传统正面供电下相同的闸极密度（Gate Density）、布局版框尺寸（Layout Footprint）和组件宽度调节的弹性，因此可以提供最佳的密度和速度上的优势，这也是业界首创的技术。

相较于台积电公司的N2P工艺，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高达1.10倍，特别适用于具有复杂讯号线路和高密度供电线路的高效能运算（High-Performance Computing，HPC）产品。

而A14则是台积电下一世代先进逻辑制程技术，通过尺寸微缩实现全制程节点的效能、功耗及面积的进步。A14工艺技术旨在通过提供更快的计算和更好的能源效率来推动人工智能（AI）转型，其亦有望通过增进设备端AI功能（on-board AI capabilities）来强化智能手机功能，使其更加智慧。A14制程技术截至目前开发进展顺利，良率表现优于预期进度。

与台积电领先业界的N2制程相比，A14将在相同功耗下，提升达15%的速度; 或在相同速度下，降低达30%的功率，同时逻辑密度增加超过20%。结合在纳米片晶体管方面的设计技术协同优化经验，台积电将其TSMC NanoFlex™标准单元架构发展为NanoFlex™ Pro，以实现更好的性能、能源效率和设计灵活性。