三星电子平泽芯片厂，加快扩建

据报道，为满足AI带来的存储芯片需求增长，三星电子正着手扩充其平泽半导体工厂的产能。在决定重启平泽 5 号线（P5）建设工程后，三星电子就已启动核心基础设施的招标流程，同时有迹象表明，平泽P4的设备搬入时间节点正提前推进。

业内消息称，三星电子已针对平泽P5的气体及化学品供应设施启动竞争性招标。气体与化学品工艺设备是产线搭建的核心要素之一。通常情况下，此类设备招标需在厂房主体结构完工后开展，但此次为缩短量产周期，三星电子采用 “快速推进模式”，将厂房建设、设备招标与安装调试三项工作同步推进。

值得关注的是，P5为全新产线，原计划于2025年启动厂房主体施工，目标在2028年实现投产。不过，当前行业正面临着存储芯片严重短缺的局面，且有预测称，从明年开始芯片供应缺口将进一步扩大，外界因此预计 P5 产线的投产时间有望提前。

据悉，全球工业气体企业及韩国本土设备厂商均在筹备参与此次竞标。明确的潜在竞标方包括Linde、Air Liquide、Hanyang Kigong (Merck)、 WONIK HOLDINGS、 Hanyang ENG和STI。本次项目总投资额预计最低达数千亿韩元，最高或突破万亿韩元规模。

知情人士表示：“本次 P5 产线投资的推进速度前所未有。以往气体、化学品供应设施这类公用工程配套项目，都是在厂房主体完工后才启动，而此次公司已决定采取同步投资的策略。这一决策体现了管理层的判断 —— 企业必须快速响应市场形势变化。”

作为三星电子长期布局的核心项目，P4 产线的扩建投资也已进入 “竞速阶段”，该产线将主攻1c DRAM的量产。有消息称，P4 产线的设备搬入及试运行目标时间，已较原计划提前约 2 至 3 个月。此次量产的 1c DRAM 产品，将应用于HBM4，而 HBM4 正是明年 AI 存储芯片市场的核心竞争赛道。

三星电子在尖端制程领域的投资也在持续推进。此前，该公司已决定引入高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）设备用于量产，以此快速布局下一代精细制程工艺。需特别说明的是，EUV设备交付前，必须完成各类配套设备及平台的搭建工作。业内认为，这一需求与三星电子近期密集下达设备订单的举措密切相关。

各大设备合作厂商也在全力跟进三星电子的投资节奏。一家韩国本土大型设备厂商的负责人表示：“三星电子的订单规模超出预期，且推进节奏极快，我们的交付工期已十分紧张。尽管时间紧迫，本土设备厂商仍在调动全部产线资源，尽可能保障交付进度，但部分海外厂商已显现出配合意愿不足的态度。”