铠侠332层NAND Flash，2026年量产

据报道，日本铠侠正逆势推进一项战略扩张计划，该公司计划于 2026 年在其位于岩手县的北上市工厂，启动第十代 NAND 闪存的大规模量产，此举的核心目标是精准对接人工智能数据中心激增的市场需求。

从技术参数来看，这一举措堪称一次跨越式升级。 铠侠第十代 NAND 闪存采用 332 层堆叠架构，相较当前第八代产品的 218 层堆叠实现大幅提升。不过，铠侠在制造环节采取了更为务实的策略，并未新建晶圆厂，而是计划将其于今年 9 月刚投产的北上市 K2 工厂进行产线改造，用以生产这一代全新产品。

关于第十代 NAND 闪存的技术细节，此前披露的信息显示，该产品是铠侠与闪迪联合开发的，无论堆叠层数、存储密度、接口速率性能，都达到了新的高度。采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。在堆叠层数上达到332层，对比第8代的218层增加了多达38％，也超过了SK海力士的321层、三星的290层、美光的276层、西数的218层。同时，该NAND闪存存储密度提升59％，算下来约为每平方毫米36.4Gb，同样远远领先友商，西数也只做到了每平方毫米22.9Gb，SK海力士更是不过每平方毫米20Gb。

此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠首席技术官宫岛秀表示，随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

值得一提的是，近日有报道称，日本与美国正在考虑通过公私合作的方式在美国建立新的NAND晶圆厂，而铠侠和闪迪被视为潜在领投方。

不过有分析认为要达成合作会面临多重障碍，比如不同投资方在资本支出方面的分歧以及中国相关的监管风险不断升级等。受制于财务状况，铠侠可能会对新投资保持谨慎。在2025财年第二财季财报中，铠侠的净利润为407亿日元，相比去年同期大幅下降了62%，主要原因是产品组合不合理造成的，季节性智能手机需求提高了利润率较低的智能设备在收入中的占比，达到了35%。

铠侠与闪迪已建立超过20年的成功合资伙伴关系，今年9月，双方共同宣布位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造设施Fab2（K2）正式投产。Fab2拥有生产第八代218层3D闪存以及未来更先进的3D闪存的能力，旨在满足AI驱动下日益增长的存储需求。第八代3D闪存搭载了突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）架构。Fab2的产能将根据市场趋势分阶段逐步提升，预计将在2026年上半年开始实现规模化产出。

Fab2设施采用抗震建筑结构，其设计使用了先进的节能生产设备。它通过AI技术提高生产效率，同时采用节省空间的设计，为洁净室内的生产设备提供更多安装空间。根据2024年2月批准的计划，Fab2的部分投资由日本政府给予资助。

当时负责运营北上工厂的铠侠岩手公司总裁兼首席执行官Koichiro Shibayama表示。“Fab2生产的第八代及更先进的3D闪存产品，将为快速崛起的AI市场提供新的价值。我们将继续利用合作伙伴关系和规模经济效应来生产先进的闪存产品，实现公司的有机增长。铠侠将继续为半导体产业的进步以及地方和国家经济的发展做出贡献。”

闪迪公司闪存前端运营高级副总裁Maitreyee Mahajani表示：“随着AI的不断发展，它必将以我们难以想象的方式重塑各个行业、重新定义职业并改变我们的日常生活。闪存技术正处于这场变革的核心，为这波创新浪潮提供了必需的速度、效率和可扩展性。我们为与铠侠的长期合作伙伴关系及其提供的规模优势感到自豪，我们的客户因此能够充分把握AI带来的机遇。”