
在强劲的AI需求推动下,台积电持续扩大其先进制程产能。为了满足英伟达等客户的长期需求,台积电不仅正在提升其南部科学园区晶圆厂的3nm产量,还计划在该区域新建三座2nm晶圆厂。未来三年的资本支出增加将提振整个供应链,包括厂务工程、设备和材料供应商。
行业消息人士透露,英伟达目前是A16节点的唯一客户,量产预定于2027年在台积电的高雄P3厂进行,这与英伟达的产品路线图一致。基于此,预计苹果在进入2nm世代时将跳过A16节点,直接转向A14节点。
3nm产能的扩张主要是为了应对英伟达产品进入3nm时代所带来的大额订单。同时,增建三座2nm晶圆厂涉及调整新竹宝山F20、高雄F22、台中F25以及美国亚利桑那州F21晶圆厂的制程和产能计划。
台积电近期的资本支出增加、加速的制程开发以及产能扩张计划,表明其正在快速调整3nm以下先进制程的布局,以满足客户需求。
为了落实这一扩张蓝图,台积电正在对其位于中国台湾和美国的各个关键晶圆厂进行详细的产能配置与制程调整
在南科,以N4/N5制程为主的F18A晶圆厂——包括P1、P2、P3和P7——合计月产能为16万片晶圆。F15晶圆厂也已加入生产,而F18A P9晶圆厂的建设已经放缓,待处理的工作量正转移至亚利桑那州工厂。
以N3B和N3E制程为核心的F18B晶圆厂,其P4、P5、P6和P8晶圆厂的合计月产量从13万片增加到了16万片晶圆。
值得注意的是,台积电初步计划在南科附近再建三座2nm晶圆厂,目前仍处于土地征收阶段。这一产能调整与新竹宝山F20、高雄F22和台中F25晶圆厂对2nm以下制程和产能策略的修订相吻合。
据报道,新竹宝山F20的P1和P2晶圆厂专注于2nm,各自的目标月产能为2万至2.5万片晶圆。P3晶圆厂计划于2026年中期完工,专注于2nm和A14制程,而P4仍处于评估中。
高雄F22的P1和P2晶圆厂也瞄准2nm,拥有类似的月产能目标。到今年年底,P1的目标是月产约1万片晶圆;P2已于2025年8月开始移入设备。P3至P6的计划正在相应调整,其中P3定于2026年第二季度移入设备,主要致力于A16节点。因此,高雄厂只有P1和P2将运行纯2nm制程,而其他四座晶圆厂将运行2nm以下的制程。
亚利桑那州F21的P1晶圆厂正在使用N4制程进行量产,月产能约为2万至2.5万片晶圆。P2被修改为N3晶圆厂,目标是在2027年量产,而B厂则转向N2。P3于2025年4月开始建设,目标是最迟在2029年投产。P4建设将于2026年中期开始,两座工厂都计划用于N2和A16制程。
台中F25的P1晶圆厂预计将在2027年第一季度移入设备,并于2028年量产。P2将使用最先进的A12制程,P3和P4仍在审查中。
基于这些建设进度,业界预计未来几年先进制程产能将快速爬坡,伴随着A16节点带来的重大技术飞跃。
业内人士估计,到2025年底,新竹宝山、高雄、亚利桑那州和新南科晶圆厂的2nm合计月产能将达到约4.5万至5万片晶圆。2026年月产能应超过10万片,考虑到亚利桑那州P2B晶圆厂的早期生产,到2028年底将升至约18万片晶圆。随着2029年南科和亚利桑那州P3晶圆厂的加入,总产能可能超过20万片晶圆。
除高雄外,亚利桑那州的P3和P4晶圆厂也将成为A16生产的关键基地。A16节点集成了纳米片晶体管和超级电轨技术,以显著提升逻辑密度和性能。SPR将供电线路移至晶圆背面,释放了正面的空间用于信号布线,从而提高了逻辑密度和效率。
与N2P制程相比,A16在相同电压下速度提高8-10%,在相同速度下功耗降低15-20%,芯片密度提高高达1.1倍。这些改进使其特别适用于具有复杂信号和密集电源布线要求的高性能计算产品。
台积电此前预测,一旦亚利桑那州的所有六座晶圆厂完工,它们将占2nm以下总产能的30%。然而,由于紧迫的AI驱动需求以及成本和运营考量,中国台湾新竹、台中、台南和高雄晶圆厂的扩建已经加速。
为了保持美国在2nm以下产能中30%的份额,台积电可能会继续扩大其美国晶圆厂的规模,并在未来五年内保持较高的资本支出。
对于2025年,台积电的资本支出估计为400亿至420亿美元。该公司重申,基于当前的客户需求,未来几年的资本支出不会出现显著下降。
最近的供应链报告显示,台积电2026年的资本支出可能急剧上升至480亿至500亿美元。
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