三星存储生产重心，从NAND转向DRAM

三星正准备对其存储芯片生产战略进行重大调整。由于全球 AI 基础设施的迅速发展，DRAM 的需求持续激增。韩国业界消息人士透露，三星计划将其位于平泽和华城的部分 NAND 闪存生产线转为 DRAM 制造；即将投产的平泽 Fab 4 工厂也将作为专用 DRAM 生产线，采用三星最新的 1c 制程工艺。

1c DRAM是三星电子计划在今年下半年量产的产品，且计划将搭载在HBM4上，在下一代存储器业务中具有非常重要的意义。

消息称，三星对 NAND 市场已经变得更加谨慎，而标准 DRAM 芯片的市场需求则出现了大幅跃升。当前，DRAM 价格正在迅速上涨，一些服务器客户愿意为 96GB 和 128GB DDR5 内存模块支付高达 70% 的溢价，但依然难以保证供应。大型科技公司预计内存短缺将持续数年，并已开始为 2027 年的 DRAM 配额展开协商。

目前，三星在平泽 Fab 1、Fab 3 及华城园区均生产 DRAM 和 NAND。未来，Fab 1 和华城的混合生产线将进一步向 DRAM 转型，相关 NAND 生产设备将被拆除。Fab 4 工厂正在收尾建设，明年将作为专用 1c DRAM 线投产，并有可能将 Fab 4 内另一原计划用于代工生产的区域，也转为 DRAM 产品线。一旦调整完成，明年上半年，三星来自华城 Fab 1 和平泽 Fab 4 的 DRAM 产量将显著提升。与此同时，韩国地区 NAND 产能的减少预计将通过三星位于中国西安的工厂来补足。

最初，三星为了提高芯片的产量和成本效率，缩小了芯片尺寸，但这一做法导致了生产稳定性下降，良率未能达到预期。为此，三星在2024年底决定对1c DRAM的设计进行部分修改，主要是在保持核心电路最小线宽的同时，放宽周边电路的线宽标准，以期快速提升良率。此外，三星还调整了芯片尺寸，从更小的尺寸转向更大的尺寸，以提高良率并确保HBM4内存的稳定量产。

此外，三星电子在与英伟达的合作上也取得了重大进展，敲定了HBM4供应协议，计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着HBM4需求的激增，三星正在全力投入1c DRAM的产能建设，以满足市场的需求。尤其是在服务器、PC及移动设备等领域，DRAM的需求正在快速上升，其中服务器DRAM因AI数据中心投资的扩张而需求暴增。数据中心运营商正在竞相投入基础设施，以支持AI服务，这直接推动了服务器DRAM价格的急剧攀升。

尽管PC和移动市场的增长速度有所放缓，但随着端侧AI的兴起，这些领域也开始悄然复苏。要在终端设备上有效运行AI计算，必须依赖大容量内存，这意味着DRAM的需求将大幅增加。因此，PC和移动设备市场有望成为支撑DRAM需求的重要支柱，预计将引发供应短缺。高性能内存的强劲需求，正是三星扩大1c DRAM生产占比的根本动因。

1c DRAM作为三星独有的差异化武器，进一步加速了这一进程。在竞争对手依然使用1b DRAM时，三星已决定采用1c DRAM制造HBM，以期通过领先一代的产品实现市场逆转。三星正在通过大规模扩充产能，力图以1c DRAM重塑市场格局。行业人士指出，三星电子凭借其远超竞争对手的生产能力，极有可能在1c DRAM领域重现市场主导地位。

据悉，三星已加速押注DRAM 领域，从 ASML购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。一位半导体业界人士表示：“过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。值得注意的是，今年3月，三星在其韩国华城园区引入了首台ASML制造的High-NA  EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，成为继英特尔和台积电（TSMC）之后，第三家购入High-NA  EUV光刻机的半导体制造商。三星已决定在未来的DRAM生产中采用High-NA EUV技术，竞争对手SK海力士也有同样的想法。

不过，据The Bell报道，三星和SK海力士已经决定推迟在DRAM生产中引入High-NA EUV技术的时间。原因是工具设备的成本过高，另外DRAM架构即将发生变化，从而让存储器制造商在High-NA EUV技术上采取更为谨慎的态度。