2026年DRAM资本支出613亿美元，NAND222亿美元

根据TrendForce调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。

具体而言DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，年增率达14%。NAND Flash部分，资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%。

在DRAM领域，美光科技被认为是最积极的厂商，其2026年资本支出预计达135亿美元，年增23%，主要专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置。SK海力士的增幅也十分显著，2026年预计为205亿美元，年增17%，以应对M15x的HBM4产能扩张。三星预计投入200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。

据TrendForce分析，目前在无尘室空间也有不足供应的情况，检视所有DRAM供应商的产能空间，仅有三星与SK海力士仍有小幅扩大产线的机会，而美光则需要等待其美国ID1新厂落成，最快2027年才能有产出，因此任何后续上修的资本支出对2026的位元产出贡献皆非常有限。

而在NAND Flash各供应商中，铠侠/闪迪因没有DRAM业务，被认为是最积极扩大产能以巩固地位的厂商，预计投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产并投资BiCS9研发。美光2026年目标是微幅增加NAND Flash产能并专注于G9制程和Enterprise SSD业务，预计资本支出年增幅达63%。相较之下，三星和SK海力士/Solidigm则将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先将投资转向HBM和DRAM领域。

在TrendForce看来，此次NAND Flash产业需求的爆发，主要受AI对储存容量需求的急速攀升，以及HDD供应不足导致云端服务供应商(CSP)转单所带动。此现象属于结构性短缺，而非短暂的市场波动。

据TrendForce分析，过去数年产业经历多次景气循环，使部分厂商在资本支出与扩产策略上趋于保守。随着2026年资本支出重心放在制程升级和导入hybrid-bonding而非扩产，将导致供应位元增幅有限，NAND Flash市场的供不应求状态预计将延续2026年全年。

在价格方面，延续先前数周，DDR4与DDR5价格将持续上扬，但由于卖方释出供给量非常有限，因此成交量处于低水位。其中颗粒的报价（以Gb为单位来看）已经超越相同容量的模组报价，且价差巨大。TrendForce认为，未来短期内于现货市场将会观察到模组价格快速走扬，收敛与颗粒间的价差。主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s在本周的价格涨幅为7.10%，由US$11.071上涨至US$11.857。

而NAND Flash得益于合约市场强势拉动，现货市场氛围进一步升温，价格上涨幅度及报价频率均显著增加。由于中小型买家难以通过原厂取得货源，转向现货市场采购的需求明显增温。然而，现货供应相对稀缺，持货商普遍看好后市走势，延后出货、惜售情绪浓厚，导致成交量有限但价格持续上扬。