三星电子考虑解散1c DRAM良率专项小组，冲刺年内量产HBM4

据一位熟悉三星电子内部消息人士透露，三星电子正积极考虑解散致力于提升10nm级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组，转而专注于年内实现下一代高带宽存储器HBM4的量产。这一决定反映了三星迫切致力于在年内优先为英伟达量产HBM4的承诺。

该特别工作组由存储业务部门的核心人员组成，旨在提升下一代DRAM的良率，是在去年全永铉副董事长上任后成立的，目前拥有400至500名员工。

10纳米级DRAM制程技术的发展顺序如下：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。随着制程进展到第六代（1c），线宽不断变窄，工艺难度呈指数级增长，容量和性能也随之提升。

变数在于，由于工艺难度高，提高1c DRAM的良率面临困难。据悉，三星电子目前正在开发的HBM4用1c DRAM在冷测试（Cold Test）中未能达到50%的良率。要达到通常被认为是量产标准的60%的良率并开始内部量产审批（PRA）工艺，还需要相当长的时间。冷测试是一种可靠性测试，通过在极低温度环境下运行芯片来验证电路的电气特性和稳定性。

三星电子原计划在第三季度完成HBM4 1c DRAM的PRA流程。然而，最近有报道称，该公司已跳过这一流程，直接着手建立HBM4的量产体系。