美光：2026年Q2开始量产HBM4

今日，美光公布其2025财年第四季度（6月至8月）的营收为113.2亿美元，每股收益为3.03美元。营收和每股收益均超过了市场研究公司伦敦证券交易所集团（LSEG）预测的112.2亿美元和2.86美元。值得注意的是，营收同比增长了46%。包括HBM在内的云存储领域表现尤为出色，营收达到45.4亿美元，是去年同期的三倍。

美光科技预计2026年第一季度（2025年9月至11月）营收将达到125亿美元，超过市场预期的119.4亿美元。此外，预计到2030年，HBM市场规模将增至1000亿美元，并且明年对DRAM和NAND闪存的需求将高于最初的预期，这进一步增强了市场对内存市场改善的预期。

此外，美光还在财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 HBM4E 上该芯片将转由台积电代工。

美光表示 HBM4E 内存预计在 2027 年左右正式商业化，美光将在该世代提供行业标准型和客户定制型两类基础逻辑裸片解决方案以满足不同的需求，而定制型 HBM4E 有望带来更高的毛利率。

而对于离现在更近的 HBM4，美光确认部分客户对这一内存产品提出了高于 JEDEC 规范的每引脚 10Gbps 传输速率带宽要求，美光最近向客户出样了 11Gbps 速率的 HBM4。

针对整体 HBM 销售和供应，美光已与几乎所有客户就 2026 年绝大多数 HBM3E 供应量达成价格协议，而美光的 2026 年 HBM4 供应谈判正在积极进行，有望在未来数月达成；美光的首批 HBM4 生产出货将在明年二季度实现。

至于非 HBM 的其它存储产品线，美光宣布该企业在 2025 财年第四财季完成首批 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 认证、取得首笔 1-gamma 服务器 DRAM 收入、在日本广岛生产基地安装首台用于 1-gamma DRAM 制造的 EUV 光刻机、性能级和主流级 G9 NAND 固态硬盘通过 OEM 客户认证。

随着AI算力需求的爆发，HBM等高性能存储芯片的市场潜力巨大。未来，随着AI技术的不断进步，对存储芯片的性能、容量和能效都将提出更高的要求。

三大HBM龙头企业中最先宣布量产HBM4产品的是SK海力士，本月这家韩国内存巨头宣布已完成HBM4开发，正准备开始大批量生产这些芯片。高带宽内存(HBM)已成为英伟达、AMD等公司高端AI加速器的关键组件。英伟达的Rubin系列和AMD的Instinct MI400系列GPU都在今年早些时候预发布，它们依赖内存供应商在2026年发布时能够提供充足的HBM4供应。

这一转变是因为GPU制造商遇到了现有HBM技术的限制，目前的容量上限约为36GB，每个模块的带宽约为1TB/s，使得英伟达B300或AMD MI355X等芯片的总内存带宽约为8TB/s。

随着向HBM4的迁移，带宽将显著提升。在3月的GTC大会上，英伟达透露其Rubin GPU将配备288GB的HBM4，实现13TB/s的总带宽。AMD计划在其即将推出的MI400系列GPU上装载更大容量的内存，这将为其首个机架级系统Helios提供动力。

从AMD 6月份的AI推进活动中我们了解到，这些产品将配备多达432GB的HBM，总带宽接近20TB/s。

SK海力士表示，通过将I/O终端数量增加到2048个（是HBM3e的两倍），有效地将HBM带宽提高了一倍。该公司认为这也将能效提升了40%以上。

虽然服务器中的普通DRAM通常不是主要的能耗来源，但HBM却是。从AMD MI300X的24GB增加到MI325的36GB模块，功耗从250W跃升至每个GPU约1千瓦。

SK海力士表示，除了更多I/O终端和改进的效率外，其芯片还超越了HBM4的JEDEC标准，实现了10Gb/s的运行速度。

三星也已于7月底向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。据悉，三星将采用10纳米级第六代DRAM工艺（1c）来开发更精密、良率更高的HBM4，以改变SK海力士在HBM3E市场上的独家供应地位。此前，三星在HBM3方面的推进较为迟缓，未能及时通过英伟达的认证，导致其在HBM3E市场中未能打入英伟达的主流供应链。

三星此次推出的HBM4样品不仅在技术上有所突破，还在量产时间上有所提前。三星计划在2025年底实现HBM4的量产，并从明年起与SK海力士展开全面竞争。

尽管三星在HBM3E的验证过程中遇到了一些困难，但其在HBM4的开发中表现出了更强的竞争力。根据此前信息，三星计划在8月交付更高堆叠的HBM4 16Hi样品。这一系列动作表明，三星正在积极争取在HBM4市场中占据一席之地，并希望通过与客户的合作来扩大市场份额。