联发科，计划投片台积电美国厂

联发科还正在与台积电协商于美国本土生产特定芯片，以响应客户对本地化制造组件的需求。尽管该计划仍在评估阶段，但若联发科成功通过台积电亚利桑那州 21 号晶圆厂（Fab 21）下单，其将成为首家在此量产芯片的非美国企业。尽管台积电美国工厂的芯片制造成本高于中国台湾地区本土，美国生产可能帮助联发科触达特定客户群并规避潜在关税。

联发科副总裁徐敬全（JC Hsu）透露了该公司的这一意向。计划聚焦两类特定产品：汽车零部件芯片，以及涉及更高监管要求的芯片。不过，这位联发科高管未透露公司计划何时启动亚利桑那晶圆厂的芯片生产，也未说明将采用何种制程工艺。

联发科能否在台积电亚利桑那晶圆厂（Fab 21）生产车规级芯片取决于多重因素，最关键的是该厂是否符合汽车质量管理标准 IATF 16949（国际汽车工作组质量管理体系），或至少能支持客户的相关需求。截至目前，台积电亚利桑那工厂尚未公开披露 IATF 16949 认证，且该晶圆厂初期聚焦于采用 N5 和 N4 制程生产消费级及 AI/HPC 处理器。若缺乏正式的 IATF 16949 合规认证或文档化的车规级生产流程，联发科或其他芯片设计公司将难以利用该工厂生产安全关键型汽车产品，尤其是需要 AEC-Q100 认证组件的应用场景。

尽管联发科自身未必需要获得 IATF 16949 认证，但其必须确保供应链各环节（包括制程工艺、晶圆厂、封装测试等）满足汽车行业的质量与追溯要求。

早在 2020 年台积电就宣布了在美国亚利桑那州投资 120 亿美元建厂计划，并于 2021 年 4 月开始在该地区建造首个晶圆制造厂。随后，台积电宣布将对美投资扩大至 650 亿美元，除了最初的晶圆一厂之外，还将建立两座晶圆厂。

目前，台积电亚利桑那州第一座 4nm 晶圆厂已经开始量产。据悉，为满足客户美国制造需求的增长，台积电亚利桑那州厂建厂正在加速。据供应链透露，规划配置3nm先进制程的台积电亚利桑那州二厂（P2）已经完成建设，整体进度有所提前，台积电正致力于依据客户对AI相关的强劲需求加速量产进度，预计后续到量产的进度将压缩在约两年。

供应链分析认为，台积电为回应客户需求及应对美国政府关税政策，台积电亚利桑那州二厂的进度提前，机台最快在明年9月就要进场安装，首批晶圆产出预计将在2027年。 通常晶圆厂盖完厂后，内部厂务还需要耗时约两年进行调整配置，以晶圆厂建设速度来说，台积电动作已非常快速。不过，需要指出的是，由于台积电亚利桑那州晶圆一厂、二厂都属于是晶圆代工厂，并无配套的先进封装厂，所以台积电在美国晶圆厂生产的4nm、3nm芯片还需要运回到中国台湾的先进封装厂进行封装。

总体来说，台积电在美国的整体建厂计划非常庞大，多数厂区无法在2029年前完全上线启动生产。 建厂期间国际情势与产业景气度也会持续变化，预计后续进度可能还会有变化。从台积电在中国台湾的布局来看，今年新建9座新厂、11个生产线同时进行建设，尤其是即将上线的2nm及需求旺盛的先进封装产能，同时都在进行。

日前，联发科宣布与台积电合作取得突破性成就。该公司已成功开发出采用台积电尖端 2nm 工艺技术的旗舰片上系统 （SoC），计划于 2026 年底量产。这一里程碑加强了联发科和台积电之间的长期合作，台积电始终如一地为旗舰移动设备、计算、汽车、数据中心等应用提供高性能、高能效的芯片组。

台积电的2nm制程技术引入了纳米片晶体管结构，这是半导体设计的重大飞跃。这种创新架构可以显著提高性能和能效，为先进芯片组树立新标准。联发科首款基于 2nm 的芯片组预计将于 2026 年底首次亮相，将利用这些进步为广泛的设备和行业提供无与伦比的功能。